"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Получение тонких пленок теллурида висмута на полиимидных подложках методом импульсного лазерного осаждения
Переводная версия: 10.1134/S1063782620030173
Шупенев А.Е. 1, Коршунов И.С.1, Григорьянц А.Г. 1
1Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Москва, Россия
Email: ash@bmstu.ru, korshunovivan@gmail.com, mt12@bmstu.ru
Поступила в редакцию: 25 июня 2019 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2020 г.

В настоящей работе сообщается об особенностях получения тонких термоэлектрических пленок p-Bi0.5Sb1.5Te3 и n-Bi2Te2.7Se0.3 с характерной толщиной ~300 нм на полиимидном материале методом импульсного лазерного осаждения. Рассмотрено влияние температуры роста, давления и расстояния между мишенью и подложкой на свойства пленок. Достигнуты высокие значения коэффициента Зеебека 220 и -200 мкВ/К, но факторы электрической мощности для пленок p- и n-типа составили 9.7 и 5.0 мкВт/см·K2 соответственно из-за достаточно высоких сопротивлений пленок. Ключевые слова: тонкие пленки, импульсное лазерное осаждение, термоэлектрический эффект, теллурид висмута, полиимид.
  1. G.J. Snyder, E.S. Toberer. Nature, 7, 105 (2008)
  2. M. Hainan Wang. Int. J. Heat Mass Transfer, 52, 2102 (2009)
  3. A.J. Schmidt, R. Cheaito, M. Chiesa. Rev. Sci. Instrum., 80 (9), 094901 (2009)
  4. P.H. Le, C-N. Liao, C.W. Luo, J. Leu. J. Alloys Compd., 615, 546 (2014)
  5. M.K. Wu, J.R. Ashburn, C.J. Torng, P.H. Hor, R.L. Meng, L. Gao, Z.J. Huang, Y.Q. Wang, C.W. Chu. Phys. Rev. Lett., 58, 908 (1987)
  6. D.H. Lowndes, D.B. Geohegan, A.A. Puretzky, D.P. Norton, C.M. Rouleau. Science, 273, 898 (1996)
  7. R.K. Singh, J. Narayan. Phys. Rev. B, 41 (13), 8843 (1990)
  8. B. Toftmann, J. Schou, S. Canulescu. Appl. Surf. Sci., 278, 273 (2013)
  9. T.N. Hansen, J. Schou, J.G. Lunney. Appl. Phys. A, 69, S601 (1999)
  10. О.А. Новодворский. Автореф. док. дис. (Шатура, ФБГУ ИПЛИТ РАН, 2012)
  11. J. Schou. Appl. Surf. Sci., 255 (10), 5191 (2009)
  12. A. Dauscher, A. Thomy, H. Scherrer. Thin Sol. Films, 280 (1-2), 61 (1996)
  13. A. Dauscher, B. Lenoir, O. Boffoue, A. Jacquot. Proc. SPIE, 4762, 52 (2002)
  14. A.A. Aziz, M. Elsayed, H.A. Bakr, J. El-Rifai, T. Van der Donck, JP. Celis, V. Leonov, P. Fiorini, S. Sedky. J. Electron. Mater., 39 (9), 1920 (2010)
  15. H.-C. Chang, T.-H. Chen, W.-T. Whanga, C.-H. Chen. J. Mater. Chem. A, 19, 1 (2015)
  16. M. Ohta, H. Obara, A. Yamamoto. Mater. Transactions, 50 (9), 2129 (2009)
  17. Y. Deng, H. Liang, Y. Wang, Z. Zhang, M. Tan, J. Cui. J. Alloys Compd., 509 (18), 5683 (2011)
  18. T.T. Sun, J. Ma, Q.A. Yan, Y. Huang, J. Wang, H.H. Hng. J. Cryst. Growth, 311 (16), 4123 (2009)
  19. E. Symeou, M. Pervolaraki, C.N. Mihailescu, G.I. Athanasopoulos, C. Papageorgiou. Appl. Surf. Sci., 336, 138 (2015)
  20. L.T.C. Tuyen, P.H. Le, C.W. Luo, J. Leu. J. Alloys Compd., 673, 107 (2016)
  21. J. Walachova, R. Zeipl, J. Zelinka, V. Malina. Appl. Phys. Lett., 87 (8), 081902 (2005)
  22. Б.М. Гольцман, В.А. Кудинов, И.А. Смирнов. Полупроводниковые термоэлектрические матриалы на основе Bi2Te3 (М., Наука, 1972)
  23. P.H. Lea, C.-N. Liao, C.W. Luoc, J-Y. Lind, J. Leua. Appl. Surf. Sci., 285, 657 (2013)
  24. A.Li. Bassi, A. Bailini, C.S. Casari, F. Donati, A. Mantegazza, M. Passoni, V. Russo, C.E. Bottani. J. Appl. Phys., 105, 124307 (2009)
  25. E.I. Rogacheva, A.V. Budnik, M.V. Dobrotvorskaya, A.G. Fedorov. Thin Sol. Films, 612 (1), 128 (2016)
  26. L.M. Goncalves, C. Couto, P. Alpuim, A.G. Rolo. Thin Sol. Films, 518 (10), 2816 (2010)
  27. С.И. Анисимов, Б.С. Лукьянчук. УФН, 172 (3), 301 (2002)
  28. M. Tyunina, K. Sreenivas, C. Bjormander, J. Wittborn, K.V. Rao. Appl. Surf. Sci., 96-98, 831 (1996)
  29. A. Bailini, F. Donati, M. Zamboni, V. Russo. Appl. Surf. Sci., 254 (4), 1249 (2007)
  30. A. Jacquot, B. Lenoir, M.O. Boffoue, A. Dauscher. Appl. Phys. A, 69 (1), S195 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.