"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Омические контакты к приборным структурам на основе нитрида галлия
Переводная версия: 10.1134/S1063782620030197
Минобрнауки России, Разработка микроскопических моделей для прогнозирования и исследования термодинамических и кинетических свойств твердых растворов, включая полупроводниковые системы, 3.3572.2017/ПЧ
Желаннов А.В. 1,2, Ионов А.С.1, Селезнев Б.И. 2, Федоров Д.Г. 1
1АО «ОКБ-Планета», Великий Новгород, Россия
2Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого, Великий Новгород, Россия
Email: ZhelannovAV@okbplaneta.ru, IonovAS@okbplaneta.ru, Boris.Seleznev@novsu.ru, FedorovDG@okbplaneta.ru
Поступила в редакцию: 23 июля 2019 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2020 г.

Представлены исследования характеристик омических контактов к эпитаксиальным и ионно-легированным слоям нитрида галлия на основе системы металлизации Cr/Pt/Au. Показана возможность формирования низкоомных контактов без использования высокотемпературной обработки. Для гетероструктур на основе AlGaN/GaN показано улучшение характеристик омических контактов Ti/Al/Ni/Au при использовании ионной имплантации через маску двуокиси кремния. Ключевые слова: гетероструктура, нитрид галлия, омический контакт, система металлизации, ионная имплантация, быстрый термический отжиг, удельное контактное сопротивление.
  1. Д.Н. Слаповский, А.Ю. Павлов, В.Ю. Павлов, А.В. Клековкин. ФТП, 51 (4), 461 (2017)
  2. В.Ю. Павлов, А.Ю. Павлов. Нано- и микросистемная техника, 18 (10), 635 (2016)
  3. Z-S. Kim, H. Ahn. J. Korean Phys. Soc., 66 (5), 779 (2015)
  4. Z. Zheng, H. Seo, L. Pang. Phys. Status Solidi A, 208 (4), 951 (2011)
  5. F. Recht, L. McCarthy, S. Rajan, A. Chakraborty, C. Poblenz, A. Corrion, J.S. Speck, U.K. Mishra. IEEE Electron. Dev. Lett., 27 (4), 205 (2006)
  6. С.С. Арутюнян, А.Ю. Павлов, В.Ю. Павлов, К.Н. Томош, Ю.В. Федоров. ФТП, 50 (8), 1138 (2016)
  7. C. Zeng, S.M. Zhang, H. Wang, J.P. Liu, H.B. Wang, Z.C. Li, M.X. Feng, D.G. Zhao, Z.S. Liu, D.S. Jiang, H.Yang. Chin. Phys. Lett., 2 (1), 017301 (2012)
  8. M.L. Lee, J.K. Sheu, C.C. Hu. Appl. Phys. Lett., 91 (18), 182106 (2007)
  9. Б.И. Селезнев, Г.Я. Москалев, Д.Г. Федоров. ФТП, 50 (6), 848 (2016)
  10. А.В. Желаннов, Д.Г Федоров, Б.И.Селезнев. Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Техн. науки, N 6 (104), 24 (2017)
  11. G.K. Reeves. IEEE Electron. Dev. Lett., EDL-3 (5), 111 (1982)
  12. http://www.srim.org (дата обращения: 08.07.2019)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.