Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Омические контакты к приборным структурам на основе нитрида галлия
Переводная версия: 10.1134/S1063782620030197 
Минобрнауки России, Разработка микроскопических моделей для прогнозирования и исследования термодинамических и кинетических свойств твердых растворов, включая полупроводниковые системы, 3.3572.2017/ПЧ
Желаннов А.В.
1,2, Ионов А.С.1, Селезнев Б.И.
2, Федоров Д.Г.
1
1АО «ОКБ-Планета», Великий Новгород, Россия 
2Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого, Великий Новгород, Россия
2Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого, Великий Новгород, Россия
Email: ZhelannovAV@okbplaneta.ru, IonovAS@okbplaneta.ru, Boris.Seleznev@novsu.ru, FedorovDG@okbplaneta.ru
Поступила в редакцию: 23 июля 2019 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2020 г.
Представлены исследования характеристик омических контактов к эпитаксиальным и ионно-легированным слоям нитрида галлия на основе системы металлизации Cr/Pt/Au. Показана возможность формирования низкоомных контактов без использования высокотемпературной обработки. Для гетероструктур на основе AlGaN/GaN показано улучшение характеристик омических контактов Ti/Al/Ni/Au при использовании ионной имплантации через маску двуокиси кремния. Ключевые слова: гетероструктура, нитрид галлия, омический контакт, система металлизации, ионная имплантация, быстрый термический отжиг, удельное контактное сопротивление.
- Д.Н. Слаповский, А.Ю. Павлов, В.Ю. Павлов, А.В. Клековкин. ФТП, 51 (4), 461 (2017)
- В.Ю. Павлов, А.Ю. Павлов. Нано- и микросистемная техника, 18 (10), 635 (2016)
- Z-S. Kim, H. Ahn. J. Korean Phys. Soc., 66 (5), 779 (2015)
- Z. Zheng, H. Seo, L. Pang. Phys. Status Solidi A, 208 (4), 951 (2011)
- F. Recht, L. McCarthy, S. Rajan, A. Chakraborty, C. Poblenz, A. Corrion, J.S. Speck, U.K. Mishra. IEEE Electron. Dev. Lett., 27 (4), 205 (2006)
- С.С. Арутюнян, А.Ю. Павлов, В.Ю. Павлов, К.Н. Томош, Ю.В. Федоров. ФТП, 50 (8), 1138 (2016)
- C. Zeng, S.M. Zhang, H. Wang, J.P. Liu, H.B. Wang, Z.C. Li, M.X. Feng, D.G. Zhao, Z.S. Liu, D.S. Jiang, H.Yang. Chin. Phys. Lett., 2 (1), 017301 (2012)
- M.L. Lee, J.K. Sheu, C.C. Hu. Appl. Phys. Lett., 91 (18), 182106 (2007)
- Б.И. Селезнев, Г.Я. Москалев, Д.Г. Федоров. ФТП, 50 (6), 848 (2016)
- А.В. Желаннов, Д.Г Федоров, Б.И.Селезнев. Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Техн. науки, N 6 (104), 24 (2017)
- G.K. Reeves. IEEE Electron. Dev. Lett., EDL-3 (5), 111 (1982)
- http://www.srim.org (дата обращения: 08.07.2019)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
