"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Роль структурных несовершенств графена в резонансном туннелировании через локализованные состояния в h-BN барьере ван-дер-ваальсовых гетероструктур
Переводная версия: 10.1134/S1063782620030082
Российский научный фонд, «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований отдельными научными группами» , 17-12-01393
Программа Президиума РАН, Изучение квантовых эффектов в веществе в конденсированном состоянии при сверхнизких температурах
Григорьев М.В.1, Казарян Д.А.2,3, Вдовин Е.Е.1, Ханин Ю.Н.1, Морозов С.В.1, Новоселов К.С.2,4
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2School of Physics and Astronomy, University of Manchester, M13 9PL Manchester, United Kingdom
3Department of Physics, National Research University Higher School of Economics, Moscow, Russia
4Department of Material Science & Engineering, National University of Singapore, Singapore, Republic of Singapore
Email: vdov62@yandex.ru
Поступила в редакцию: 26 августа 2019 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2020 г.

Исследовано резонансное туннелирование через уровни дефектов в h-BN барьере ван-дер-ваальсовых гетероструктур. Обнаружен эффект мультиплицирования туннельных резонансов через эти уровни, обусловленный влиянием высокой дефектности структуры соседнего слоя графена, созданной нами преднамеренно с помощью его обработки в плазме. Обсуждены различные механизмы такого влияния. Ключевые слова: графен, ван-дер-ваальсовы гетероструктуры, дефекты кристаллической решетки, нитрид бора, туннельный транзистор, резонансное туннелирование.
  1. U. Chandni, K. Watanabe, T. Taniguchi, J.P. Eisenstein. Nano Lett., 15 (11), 7329 (2015)
  2. U. Chandni, K. Watanabe, T. Taniguchi, J.P. Eisenstein. Nano Lett., 16 (12), 7982 (2016)
  3. Y. Liu, Zh. Tan, M. Kumar, T.S. Abhilash, G.-jun Liu, P. Hakonen. APL Materials, 6, 091102 (2018); doi: 10.1063/1.5042327
  4. A. Ranjan, F.M. Puglisi, N. Raghavan, S.J. O'Shea, K. Shubhakar, P. Pavan, A. Padovani, L. Larcher, K.L. Pey. Appl. Phys. Lett., 112, 133505 (2018)
  5. M.T. Greenaway, E.E. Vdovin, D. Ghazaryan, A. Misra, A. Mishchenko, Y. Cao, Z. Wang, J.R. Wallbank, M. Holwill, Yu.N. Khanin, S.V. Morozov, K. Watanabe, T. Taniguchi, O. Makarovsky, T.M. Fromhold, A. Patane, A.K. Geim, V.I. Fal'ko, K.S. Novoselov, L. Eaves. Commun. Phys., 1, A94 (2018)
  6. N.R. Jungwirth, B. Calderon, Y. Ji, M.G. Spencer, M.E. Flatte, G.D. Fuchs. Nano Lett., 16, 6052 (2016)
  7. P. Mcdonnell, T.J. Foster, P.C. Main, L. Eaves, N. Mori, J.W. Sakai, M. Henini, G. Hill. Solid-State Electron., 40, 409 (1996)
  8. Ю.Н. Ханин, Е.Е. Вдовин, Ю.В. Дубровский. ФТП, 38 (4), 436 (2004)
  9. Е.Е. Вдовин, Ю.Н. Ханин. Письма ЖЭТФ, 108 (9), 674 (2018)
  10. L. Britnell, R.V. Gorbachev, R. Jalil, B.D. Belle, F. Schedin, A. Mishchenko, T. Georgiou, M.I. Katsnelson, L. Eaves, S.V. Morozov, N.M. Peres, J. Leist, A.K. Geim, K.S. Novoselov, L.A. Ponomarenko. Science, 335, 947 (2012)
  11. M. Zhu, D. Ghazaryan, S.-K. Son, C.R. Woods, A. Misra, L. He, T. Taniguchi, K. Watanabe, K. Novoselov, Y. Cao, A. Mishchenko. 2D Mater., 4, 011013 (2017)
  12. E.E. Vdovin, A. Mishchenko, M.T. Greenaway, M.J. Zhu, D. Ghazaryan, A. Misra, Y. Cao, S.V. Morozov, O. Makarovsky, T.M. Fromhold, A. Patane, G.J. Slotman, M.I. Katsnelson, A.K. Geim, K.S. Novoselov, L. Eaves. Phys. Rev. Lett., 116, 186603 (2016)
  13. D.C. Elias, R.R. Nair, T.M.G. Mohiuddin, S.V. Morozov, P. Blake, M.P. Halsall, A.C. Ferrari, D.W. Boukhvalov, M.I. Katsnelson, A.K. Geim, K.S. Novoselov. Science, 323, 610 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.