"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние температуры на морфологию планарных нанопроволок GaAs (моделирование)
Переводная версия: 10.1134/S1063782620020190
Спирина А.А.1, Шварц Н.Л.1,2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
Email: nataly.shwartz@gmail.com
Поступила в редакцию: 26 сентября 2019 г.
Выставление онлайн: 20 января 2020 г.

С помощью кинетической решеточной модели Монте-Карло проанализирован самокаталитический рост планарных GaAs нанопроволок. Рост нанопроволок по механизму пар-жидкость-кристалл рассматривался для подложек GaAs с ориентациями (111)А и (111)В. Исследовалось влияние температуры и расположения капель галлия на морфологию и направление роста планарных GaAs нанопроволок. Выявлен диапазон температур, в котором наблюдался стабильный рост планарных GaAs-нанопроволок на поверхности GaAs(111)А. Выбранное асимметричное расположение капель позволяет получать однонаправленный рост нанопроволок. Ключевые слова: GaAs, планарные нанопроволоки, моделирование, Монте-Карло.
  1. P. Krogstrup, H.I. J rgensen, E. Johnson, M.H. Madsen, C.B. S rensen, A.F. i Morral, M. Aagesen, J. Nygard, F. Glas. J. Phys. D: Appl. Phys., 46 (31), 313001 (2013)
  2. S.A. Fortuna, J. Wen, I.S. Chun, X. Li. Nano Lett., 8 (12), 4421 (2008)
  3. Y. Chen, P. Kivisaari, M.-E. Pistol, N. Anttu. Nanotechnology, 29 (4), 045401 (2018)
  4. W. Choi, E. Seabron, P.K. Mohseni, J.D. Kim, T. Gokus, A. Cernescu, P. Pochet, H.T. Johnson, W.L. Wilson, X. Li. ACS Nano, 11 (2), 1530 (2017)
  5. F. Bastiman, H. Kupers, C. Somaschini, L. Geelhaar. Nanotechnology, 27 (9), 095601 (2016)
  6. S. Breuer, C. Pfuller, T. Flissikowski, O. Brandt, H.T. Grahn, L. Geelhaar, H. Riechert. Nano Lett., 11 (3), 1276 (2011)
  7. S. Ambrosini, M. Fanetti, V. Grillo, A. Franciosi, S. Rubini. AIP Advances, 1, 042142 (2011)
  8. K. Sano, T. Akiyama, K. Nakamura, T. Ito. J. Cryst. Growth, 301-302, 862 (2007)
  9. Z. Dong, P. Kashkarov, H. Zhang. Nanoscale, 2, 524 (2010)
  10. K.K. Sabelfeld, V.M. Kaganer, F. Limbach, P. Dogan, O. Brandt, L. Geelhaar, H. Riechert. Appl. Phys. Lett., 103, 133105 (2013)
  11. A.G. Nastovjak, I.G. Neizvestny, N.L. Shwartz. Pure Appl. Chem., 84 (12), 2619 (2012)
  12. М.В. Князева, А.Г. Настовьяк, И.Г. Неизвестный, Н.Л. Шварц. ФТП, 49 (1), 63 (2015)
  13. A.G. Suprunets, M.A. Vasilenko, N.L. Shwartz. J. Phys.: Conf. Ser., 690, 012011 (2016)
  14. А.Н. Карпов, А.В. Зверев, А.Г. Настовьяк, С.В. Усенков, Н.Л. Шварц. Вычисл. методы и программирование, 15 (3), 388 (2014)
  15. A.A. Spirina, I.G. Neizvestny, N.L. Shwartz. Def. Diff. Forum, 386, 21 (2018)
  16. A.A. Spirina, N.L. Shwartz. Mater. Sci. Semicond. Process., 100, 319 (2019)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.