Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Cиловой МДП-транзистор на 4H-SiC с эпитаксиальным заглубленным каналом
Переводная версия: 10.1134/S1063782620010157 
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия 
2Ascatron AB, Kista, Sweden
2Ascatron AB, Kista, Sweden
Email: aleksey.i.mikhaylov@gmail.com
Поступила в редакцию: 4 сентября 2019 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2019 г.
Для уменьшения сопротивления силового МДП-транзистора на 4H-SiC во включенном состоянии предложен способ формирования заглубленного канала путем эпитаксиального наращивания слоев на поверхности высоколегированной p-области. Рассмотрены особенности транспорта носителей заряда в канале такого транзистора в сравнении с изготовленным по обычной технологии. Достигнуто уменьшение сопротивления силового МДП-транзистора более чем в 3 раза. Ключевые слова: 4H-SiC, эпитаксия, канал транзистора, МДП-транзистор, MOSFET.
- В.В. Лучинин. Нано- и микросистемная техника, 18 (5), 259 (2016)
- В.В. Лучинин. Наноиндустрия, 65 (3), 78 (2016)
- A.I. Mikhaylov, A.V. Afanasyev, V.V. Luchinin, S.A. Reshanov, A. Schoner, L. Knoll, R.A. Minamisawa, G. Alfieri, H. Bartolf. Jpn. J. Appl. Phys., 2016, 08PC04 (2016)
- А.И. Михайлов. Автореф. канд. дис. (СПб., СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2018) с. 182
- H.F. Li, S. Dimitrijev, H.B. Harrison, D. Sweatman. Appl. Phys. Lett., 70 (15), 2028 (1997)
- Ph. Jamet, S. Dimitrijev, Ph. Tanner. J. Appl. Phys., 90 (10), 5058 (2001)
- V.V. Afanas'ev, A. Stesmans, F. Ciobanu, G. Pensl, K.Y. Cheong, S. Dimitrijev. Appl. Phys. Lett., 82 (4), 568 (2003)
- D. Okamoto, H. Yano, T. Hatayama, T. Fuyuki. Appl. Phys. Lett., 96 (20), 203508 (2010)
- H. Yano, T. Hatayama, T. Fuyuki. ECS Trans., 50 (3), (2013)
- А.И. Михайлов, А.В. Афанасьев, В.А. Ильин, В.В. Лучинин, С.А. Решанов, M. Krieger, A. Schoner, T. Sledziewski. ФТП, 48 (12), 1621 (2014)
- S. Dhar, S.H. Ryu, A.K. Agarwal. IEEE Trans. Electron Dev.. 57 (6), 1195 (2010)
- D. Okamoto, H. Yano, T. Hatayama, T Fuyuki. Mater. Sci. Forum., 645--648, 495 (2010)
- P. Fiorenza, L.K. Swanson, M. Vivona, F. Gianazzo, C. Bongiorno, A. Frazzetto, F. Roccaforte. Appl. Phys. A, 115 (1), 333 (2014)
- A.I. Mikhaylov, A.V. Afanasyev, V.V. Luchinin, S.A. Reshanov, A. Schoner, L. Knoll, R.A. Minamisawa, G. Alfieri, H. Bartolf. Mater. Sci. Forum, 858, 651 (2015)
- A. Modic, G. Liu, A.C. Ahyi, Yu. Zhou, P. Xu, M.C. Hamilton, J.R. Williams, L.C. Feldman, S. Dhar. IEEE Electron Dev. Lett., 35 (9), 894 (2014)
- S. Harada, S. Suzuki, J. Senzaki, R. Kosugi, K. Adachi, K. Fukuda, K. Arai. IEEE Electron Dev. Lett., 22 (6), 272 (2001)
- S. Potbhare, N. Goldsman, G. Pennington, A. Lelis, J.M. McGarity. J. Appl. Phys., 100 (4), 44515 (2006)
- F. La Via, M. Camarda, A. La Magna. Appl. Phys. Rev., 1 (3), 31301 (2014)
- А.В. Афанасьев, В.А. Ильин, В.В. Лучинин, А.И. Михайлов, С.А. Решанов, A. Schoner. Нано- и микросистемная техника, 18 (5), 308 (2016)
- G. Ghibaudo. IEEE Electron Dev. Lett., 24 (9), 543 (1988)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
