Вышедшие номера
Cиловой МДП-транзистор на 4H-SiC с эпитаксиальным заглубленным каналом
Переводная версия: 10.1134/S1063782620010157
Михайлов А.И.1, Афанасьев А.В.1, Ильин В.А.1, Лучинин В.В.1, Решанов С.А.2, Schoner A.2
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Ascatron AB, Kista, Sweden
Email: aleksey.i.mikhaylov@gmail.com
Поступила в редакцию: 4 сентября 2019 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2019 г.

Для уменьшения сопротивления силового МДП-транзистора на 4H-SiC во включенном состоянии предложен способ формирования заглубленного канала путем эпитаксиального наращивания слоев на поверхности высоколегированной p-области. Рассмотрены особенности транспорта носителей заряда в канале такого транзистора в сравнении с изготовленным по обычной технологии. Достигнуто уменьшение сопротивления силового МДП-транзистора более чем в 3 раза. Ключевые слова: 4H-SiC, эпитаксия, канал транзистора, МДП-транзистор, MOSFET.