Вышедшие номера
Краевое легирование в графеновых приборах на подложках SiO2
Переводная версия: 10.1134/S1063782619160292
Васильева Г.Ю.1, Смирнов Д.2, Васильев Ю.Б.1, Грешнов А.А.1, Haug R.J.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Institut fur Festkorperphysik, Leibniz Universitat Hannover, Hannover, Germany
Email: a_greshnov@hotmail.com
Поступила в редакцию: 29 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.

Экспериментально изучена проводимость лент монослойного и двухслойного графена шириной 0.5-4 мкм, изготовленных методом плазменного травления в кислороде. Обнаружена зависимость концентрации электронов в графене от ширины ленты. Этот эффект объясняется краевым легированием графена за счет дефектов, расположенных в SiO2 вблизи краев ленты. Предложен способ формирования резких p-n-переходов в графене и структур с постоянным градиентом концентрации электронов в плоскости графена с помощью краевого легирования. Ключевые слова: графен, краевое легирование, подложка, дефекты, плазменное травление.