Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Краевое легирование в графеновых приборах на подложках SiO₂

DOI: 10.21883/FTP.2019.12.48627.9151

Переводная версия: 10.1134/S1063782619160292

Васильева Г.Ю.¹, Смирнов Д.², Васильев Ю.Б.¹, Грешнов А.А.¹, Haug R.J.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Institut fur Festkorperphysik, Leibniz Universitat Hannover, Hannover, Germany Institut für Festkörperphysik, Leibniz Universitat Hannover, Hannover, Germany

Institut für Festkörperphysik, Leibniz Universitat Hannover, Hannover, Germany

Email: a_greshnov@hotmail.com

Поступила в редакцию: 29 апреля 2019 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Экспериментально изучена проводимость лент монослойного и двухслойного графена шириной 0.5-4 мкм, изготовленных методом плазменного травления в кислороде. Обнаружена зависимость концентрации электронов в графене от ширины ленты. Этот эффект объясняется краевым легированием графена за счет дефектов, расположенных в SiO₂ вблизи краев ленты. Предложен способ формирования резких p-n-переходов в графене и структур с постоянным градиентом концентрации электронов в плоскости графена с помощью краевого легирования. Ключевые слова: графен, краевое легирование, подложка, дефекты, плазменное травление.

K.S. Novoselov, A.K. Geim, S.V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S.V. Dubonos, I.V. Grigorieva, A.A. Firsov. Science, 306, 666 (2004)
X. Du, I. Skachko, A. Barker, E.Y. Andrei. Nature Nanotechnol., 3, 491 (2008)
R.A. Nistor, M.A. Kuroda, A.A. Maarouf, G.J. Martyna. Phys. Rev. B, 86, 041409 (2012)
S. Goniszewski, M. Adabi, O. Shaforost, S.M. Hanham, L. Hao, N. Klein. Sci. Rep., 6, 22858 (2016)
W. Xu, T.-W. Lee. Mater. Horiz., 3, 186 (2016)
K. Brenner, Y. Yang, R. Murali. Carbon, 50, 637 (2012)
V. Umansky, R. de-Picciotto, M. Heiblum. Appl. Phys. Lett., 71, 683 (1997)
S. Ryu, L. Liu, S. Berciaud, Y.-J. Yu, H. Liu, P. Kim, G.W. Flynn, L.E. Brus. Nano Lett., 10, 4944 (2010)
K. Nagashio, T. Yamashita, T. Nishimura, K. Kita, A. Toriumi. J. Appl. Phys., 110, 024513 (2011)
D. Bishoff, T. Krahenmann, S. Droscher, M.A. Gruner, C. Barraudm, T. Ihn, K. Ensslin. Appl. Phys. Lett., 101, 203103 (2012)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель