Вышедшие номера
Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов MnAgIn7S12
Переводная версия: 10.1134/S106378261916005X
Боднарь И.В.1, Чан Б.Т.1, Павловский В.Н.1, Свитенков И.Е.2, Яблонский Г.П.2
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
Email: chemzav@bsuir.by
Поступила в редакцию: 23 июля 2019 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.

Направленной кристаллизацией расплава выращены монокристаллы MnAgIn7S12 диаметром 16 и длиной ~ 40 мм, определены их состав и структура. Показано, что выращенный материал кристаллизуется в кубической структуре шпинели. По спектрам пропускания в области края фундаментального поглощения в интервале температур 10-320 K определена ширина запрещенной зоны Eg монокристаллов и построена ее температурная зависимость. Полученная зависимость имеет вид, характерный для большинства полупроводниковых материалов: с понижением температуры Eg возрастает. Проведен расчет, и показано, что расчетные и экспериментальные величины согласуются между собой. Ключевые слова: монокристаллы, кубическая структура шпинели, спектры пропускания, ширина запрещенной зоны.