"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Сравнение радиационной стойкости перспективных биполярных и гетеробиполярных транзисторов
Переводная версия: 10.1134/S1063782619100178
Шоболова Т.А.1, Коротков А.В.1, Петрякова Е.В.1, Липатников А.В.1, Пузанов А.С.1, Оболенский С.В.1, Козлов В.А.2
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: obolensk@rf.unn.ru
Поступила в редакцию: 24 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2019 г.

Обсуждаются подходы к решению задачи создания эффективных биполярных и гетеробиполярных транзисторов радио- и сверхвысоких частот (0.1-10 ГГц), которые могли бы использоваться в качестве активных элементов современных Si- и GaAs-радиационно стойких аналого-цифровых интегральных схем. Проведено сравнение радиационной стойкости перспективных "латеральных" Si-биполярных и "вертикальных" AlGaAs/GaAs-гетеробиполярных транзисторов с характерной толщиной базы 70-350 нм. Детально проанализированы особенности транспорта электронов в активной области транзисторов и оценено влияние эффекта всплеска скорости и диффузии квазибаллистических электронов на повышение радиационной стойкости транзисторов. Ключевые слова: биполярные и гетеробиполярные транзисторы, кремний-на-сапфире, транспорт электронов, моделирование, радиационная стойкость.
  1. Е.А. Ладыгин. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники (М., Сов. радио, 1980)
  2. Ф.П. Коршунов, Ю.В. Богатырев, В.А. Вавилов. Воздействие радиации на интегральные микросхемы (Минск, Наука и техника, 1986)
  3. L. Ratti, V. Speziali. Proc IEEE Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems ( SiRF) (Atlanta, GA, USA, Sep. 18-20, 2006) p. 251
  4. I-Sh.M. Sun, W.T. Ng, H. Mochizuki, K. Kanekiyo, T. Kobayashi, M. Toita, H. Imai, A. Ishikawa, S. Tamura, K. Takasuka. Proc IEEE Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems ( SiRF) (San Diego, USA, Jan. 8-10, 2006) p. 50
  5. В.К. Киселев, С.В. Оболенский, А.С. Пузанов, А.В. Скупов. Журн. радиоэлектроники, 17 (2), 10 (2014)
  6. А.С. Пузанов, С.В. Оболенский, В.А. Козлов. ФТП, 52 (11), 1295 (2018)
  7. А.С. Пузанов, С.В. Оболенский. Микроэлектроника, 38 (1), 64 (2009)
  8. А.С. Пузанов, С.В. Оболенский. Микроэлектроника, 41 (4), 304 (2012)
  9. А.С. Пузанов, С.В. Оболенский. Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру, вып. 4, 5 (2012)
  10. В.К. Киселев, С.В. Оболенский, А.С. Пузанов. Вестн. ННГУ. Сер. Радиофизика, вып. 2, 56 (2013)
  11. А.С. Пузанов. Вестн. ННГУ. Сер. Физика твердого тела, вып. 2, 88 (2014)
  12. А.С. Пузанов, С.В. Оболенский, В.А. Козлов. ФТП, 49 (1), 71 (2015)
  13. А.С. Пузанов, С.В. Оболенский, В.А. Козлов. ФТП, 50(12), 1706 (2016)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.