"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Сравнительный анализ люминесценции слоев Ge : Sb, выращенных на подложках Ge(001) и Si(001)
Переводная версия: 10.1134/S1063782619100154
RFBR , 16-29-14056-ofi_m
RFBR , 18-02-00771
Scholarships of the President of the Russian Federation for young scientists and graduate students, SP-469.2019.5
The Russian Government, 0035-2014-0201
Новиков А.В. 1, Юрасов Д.В. 1, Байдакова Н.А.1, Бушуйкин П.А.1, Андреев Б.А.1, Юнин П.А.1, Дроздов М.Н.1, Яблонский А.Н.1, Калинников М.А.1, Красильник З.Ф.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: anov@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 24 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2019 г.

Выполнены сравнительные исследования люминесцентных свойств легированных Sb слоев Ge, выращенных на подложках Si(001) и Ge(001). Показано, что в сигнал фотолюминесценции слоев Ge : Sb/Ge(001), в отличие от слоев Ge : Sb, выращенных на кремнии, значительный вклад дают непрямые оптические переходы. Данный факт связывается с большим временем жизни носителей заряда в гомоэпитаксиальных структурах Ge : Sb/Ge вследствие отсутствия в них дефектов кристаллической решетки, связанных с релаксацией упругих напряжений. Показано, что значительное возрастание вклада прямых оптических переходов в общий сигнал фотолюминесценции, наблюдаемое при увеличении уровня легирования слоев Ge : Sb/Ge(001), вызвано ростом заселенности электронных состояний в -долине. При концентрациях Sb, значительно превышающих ее равновесную растворимость в Ge, когда наблюдается частичная электрическая активация примеси, значительное влияние на излучательные свойства слоев Ge : Sb, выращенных на различных подложках, оказывают центры безызлучательной рекомбинации, которыми могут являться кластеры примесных атомов. Ключевые слова: кремний, германий, легирование, люминесценция, излучательная и безызлучательная рекомбинация.
  1. J. Liu, X. Sun, D. Pan, X. Wang, L.C. Kimerling, T.L. Koch, J. Michel. Opt. Express, 15, 11272 (2007)
  2. J. Liu, X. Sun, R. Camacho-Aguilera, L.C. Kimerling, J. Michel. Optics Lett., 33, 679 (2010).
  3. R.E. Camacho-Aguilera, Y. Cai, N. Patel, J.T. Bessette, M. Romagnoli, L.C. Kimerling, J. Michel. Opt. Express, 20, 11316 (2012)
  4. S. Saito, A.Z. Al-Attili, K. Oda, Y. Ishikawa. Semicond. Sci. Technol., 31, 043002 (2016)
  5. S. Bao, D. Kim, C. Onwukaeme, S. Gupta, K. Saraswat, K.H. Lee, Y. Kim, D. Min, Y. Jung, H. Qiu, H. Wang, E.A. Fitzgerald, C.S. Tan, D. Nam. Nature Commun., 8, 1845 (2017)
  6. L. Baldassarre, E. Sakat, J. Frigerio, A. Samarelli, K. Gallacher, E. Calandrini, G. Isella, D. Paul, M. Ortolani, P. Biagioni. Nano Lett., 15, 7225 (2015)
  7. M.P. Fischer, Ch. Schmidt, E. Sakat, J. Stock, A. Samarelli, J. Frigerio, M. Ortolani, D.J. Paul, G. Isella, A. Leitenstorfer, P. Biagioni, D. Brida. Phys. Rev. Lett., 117, 047401 (2016)
  8. J. Vanhellemont, E. Simoen. Mater. Sci. Semicond. Proc., 15, 642 (2012)
  9. G. Grzybowski, R. Roucka, J. Mathews, L. Jiang, R.T. Beeler, J. Kouvetakis, J. Menendez. Phys. Rev. B, 84, 205307 (2011)
  10. M.R. Barget, M. Virgilio, G. Capellini, Y. Yamamoto, T. Schroeder. J. Appl. Phys., 121, 245701 (2017)
  11. D.V. Yurasov, A.V. Antonov, M.N. Drozdov, P.A. Yunin, B.A. Andreev, P.A. Bushuykin, N.A. Baydakova, A.V. Novikov. J. Cryst. Growth, 491, 26 (2018)
  12. R. Geiger, J. Frigerio, M.J. Suess, D. Chrastina, G. Isella, R. Spolenak, J. Faist, H. Sigg. Appl. Phys. Lett., 104, 062106 (2014)
  13. T. Arguirov, M. Kittler, N.V. Abrosimov. J. Phys.: Conf. Ser., 281, 012021 (2011)
  14. T. Arguirov, M. Kittler, M. Oehme, N.V. Abrosimov, O.F. Vyvenko, E. Kasper, J. Schulze. Sol. St. Phenomena, 205, 383 (2014)
  15. M. Virgilio, T. Schroeder, Y. Yamamoto, G. Capellini. J. Appl. Phys., 118, 233110 (2015)
  16. Д.В. Юрасов, А.И. Бобров, В.М. Данильцев, А.В. Новиков, Д.А. Павлов, Е.В. Скороходов, М.В. Шалеев, П.А. Юнин. ФТП, 49, 1463 (2015)
  17. L.H. Chan, E.I. Altman, Y. Liang. J. Vac. Sci. Technol. A, 19, 976 (2001)
  18. D.V. Yurasov, A.V. Antonov, M.N. Drozdov, V.B. Schmagin, K.E. Spirin, A.V. Novikov. J. Appl. Phys., 118, 145701 (2015)
  19. C. Xu, C.L. Senaratne, J. Kouvetakis, J. Menendez. Phys. Rev. B, 93, 041201(R) (2016)
  20. E. Gaubas, J. Vanhellemont. Appl. Phys. Lett., 89, 142106 (2006)
  21. S.C. Jain, D.J. Roulston. Solid State Electron., 34, 453 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.