Приводятся первые результаты по созданию оригинального силового полевого транзистора на GaAs с вертикальным каналом, управляемым p-n-переходом. Главной технологической особенностью является использование двух отдельных процессов эпитаксиального роста при формировании транзисторной структуры. Часть транзистора, содержащая области стока, дрейфа и затвора, выращивается методом жидкофазной эпитаксии. Для формирования областей канала и истока применяется технология металлоорганической газофазной эпитаксии. Ключевые слова: силовой вертикальный полевой транзистор, GaAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.