"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Вертикальный полевой транзистор с управляющим p-n-переходом на основе GaAs
Переводная версия: 10.1134/S1063782619100245
Востоков Н.В.1, Данильцев В.М.1, Краев С.А.1, Крюков В.Л.2, Скороходов Е.В.1, Стрельченко С.С.2, Шашкин В.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2ООО "МеГа Эпитех", Калуга, Россия
Email: vostokov@ipm.sci-nnov.ru, danil@ipm.sci-nnov.ru, kraev@ipm.sci-nnov.ru, evgeny@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 24 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2019 г.

Приводятся первые результаты по созданию оригинального силового полевого транзистора на GaAs с вертикальным каналом, управляемым p-n-переходом. Главной технологической особенностью является использование двух отдельных процессов эпитаксиального роста при формировании транзисторной структуры. Часть транзистора, содержащая области стока, дрейфа и затвора, выращивается методом жидкофазной эпитаксии. Для формирования областей канала и истока применяется технология металлоорганической газофазной эпитаксии. Ключевые слова: силовой вертикальный полевой транзистор, GaAs.
  1. F. Roccaforte, P. Fiorenza, G. Greco, R.L. Nigro, F. Giannazzo, F. Iucolano, M. Saggio. Microelectron. Engin., 187--188, 66 (2018)
  2. T. Paul Chow. Proc. 3rd IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (Blacksburg, Virginia, USA, 2015) p. 402
  3. Y. Zhang, A. Dadgar, T. Palacios. J. Phys. D: Appl. Phys., 51, 273001 (2018)
  4. D. Ji, A. Agarwal, H. Li, W. Li, S. Keller, S. Chowdhury. IEEE Electron Dev. Lett., 39, 863 (2018)
  5. D. Ji, C. Gupta, A. Agarwal, S.H. Chan, C. Lund, W. Li, S. Keller, U.K. Mishra, S. Chowdhury. IEEE Electron Dev. Lett., 39, 711 (2018)
  6. В.Л. Крюков, Е.В. Крюков, Л.А. Меерович, С.С. Стрельченко, К.А. Титивкин. Наукоемкие технологии, 15 (2), 42 (2014)
  7. B. Jayant Baliga. Gallium Nitride and Silicon Carbide Power Devices (World Scientific, 2017)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.