"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Расчетно-экспериментальное моделирование обратимых сбоев ячеек статической памяти субмикронных микросхем при воздействии потоков нейтронов
Переводная версия: 10.1134/S1063782619090173
Пузанов А.С.1,2, Венедиктов М.М.1,2, Оболенский С.В.1,2, Козлов В.А.1,3
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Филиал "Российского федерального ядерного Всероссийского научно-исследовательского института экспериментальной физики" "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова", Нижний Новгород, Россия
3Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: aspuzanov@inbox.ru
Поступила в редакцию: 24 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2019 г.

Проведено моделирование обратимых одиночных сбоев в тестовых образцах микросхем статической памяти с проектными нормами 0.5, 0.35, 0.25 и 0.1 мкм при воздействии потоков нейтронов с различной энергией. Теоретически и экспериментально показано, что в современных изделиях микро- и наноэлектроники могут иметь место обратимые одиночные сбои при воздействии потока нейтронов спектра деления, вызванные прохождением первичных атомов отдачи и продуктов ядерных реакций вдоль поверхности микросхемы перпендикулярно линиям электрического тока в области вблизи стока транзистора. На основе предложенной модели проведена интерпретация серии облучательных экспериментов микросхем статической памяти с проектными нормами 0.35 мкм. Ключевые слова: переходная ионизационная реакция, обратимый одиночный сбой, кремний-на-изоляторе.
  1. С.В. Баранов, Б.В. Васелегин, П.Н. Осипенко, А.И. Чумаков, А.В. Яненко. Микроэлектроника, 37 (1), 52 (2008)
  2. D. Binder, E.C. Smith, A.B. Holman. IEEE Trans. Nucl. Sci., 22 (6), 2675 (1975)
  3. J.C. Pickel, J.T. Blandford, jr. IEEE Trans. Nucl. Sci., 25 (6), 1166 (1978)
  4. T.C. May, M.H. Woods. IEEE Trans. Electron Dev., 26 (1), 2 (1979)
  5. J.F. Ziegler, W.A. Lanford. Science, 206, 776 (1979)
  6. C.S. Guenzer, E.A. Wolicki, R.G. Allas. IEEE Trans. Nucl. Sci., 26 (6), 5048 (1979)
  7. А.С. Пузанов, С.В. Оболенский, В.А. Козлов, Е.В. Волкова, Д.Г. Павельев. ФТП, 49 (12), 1585 (2015)
  8. А.С. Пузанов, С.В. Оболенский, В.А. Козлов. ФТП, 52 (11), 1295 (2018)
  9. И.В. Антонова, В.П. Попов, В.И. Поляков, А.И. Руковишников. ФТП, 38 (12), 1439 (2004)
  10. К.О. Петросянц, И.А. Харитонов, Е.В. Орехов, Л.М. Самбурский, А.П. Ятманов, А.В. Воеводин. Сб. тр. 5-й Всеросс. науч.-техн. конф. "Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем--2012" (М., ФГБУ ИППМ РАН, 2012) с. 413
  11. А.М. Митерев. УФН, 172 (10), 1131 (2002)
  12. Ф.Ф. Комаров. УФН, 173 (12), 1287 (2003)
  13. Ф.Ф. Комаров. УФН, 187 (5), 465 (2017)
  14. А.С. Пузанов, С.В. Оболенский, В.А. Козлов. Науч.-техн. сб. "Радиационная стойкость электронных систем --- Стойкость-2016" (М., НИЯУ МИФИ, 2016) с. 69
  15. А.С. Пузанов, С.В. Оболенский. Физические и физико-химические основы ионной имплантации: Тез. докл. VI всеросс. конф. (Нижний Новгород, 2016) с. 89
  16. Электронный ресурс: http://www.srim.org/
  17. Электронный ресурс https://www.synopsys.com
  18. Электронный ресурс https://www.silvaco.com

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.