Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Расчетно-экспериментальное моделирование обратимых сбоев ячеек статической памяти субмикронных микросхем при воздействии потоков нейтронов

DOI: 10.21883/FTP.2019.09.48133.16

Переводная версия: 10.1134/S1063782619090173

Пузанов А.С.^1,2, Венедиктов М.М.^1,2, Оболенский С.В.^1,2, Козлов В.А.^1,3

¹Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

²Филиал "Российского федерального ядерного Всероссийского научно-исследовательского института экспериментальной физики" "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова", Нижний Новгород, Россия Branch of Russian federal nuclear center all-Russian research institute of experimental physics «Sedakov Scientific Research Institute of Measurement Systems», Nizhny Novgorod, Russia

Branch of Russian federal nuclear center all-Russian research institute of experimental physics «Sedakov Scientific Research Institute of Measurement Systems», Nizhny Novgorod, Russia

³Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Email: aspuzanov@inbox.ru

Поступила в редакцию: 24 апреля 2019 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведено моделирование обратимых одиночных сбоев в тестовых образцах микросхем статической памяти с проектными нормами 0.5, 0.35, 0.25 и 0.1 мкм при воздействии потоков нейтронов с различной энергией. Теоретически и экспериментально показано, что в современных изделиях микро- и наноэлектроники могут иметь место обратимые одиночные сбои при воздействии потока нейтронов спектра деления, вызванные прохождением первичных атомов отдачи и продуктов ядерных реакций вдоль поверхности микросхемы перпендикулярно линиям электрического тока в области вблизи стока транзистора. На основе предложенной модели проведена интерпретация серии облучательных экспериментов микросхем статической памяти с проектными нормами 0.35 мкм. Ключевые слова: переходная ионизационная реакция, обратимый одиночный сбой, кремний-на-изоляторе.

С.В. Баранов, Б.В. Васелегин, П.Н. Осипенко, А.И. Чумаков, А.В. Яненко. Микроэлектроника, 37 (1), 52 (2008)
D. Binder, E.C. Smith, A.B. Holman. IEEE Trans. Nucl. Sci., 22 (6), 2675 (1975)
J.C. Pickel, J.T. Blandford, jr. IEEE Trans. Nucl. Sci., 25 (6), 1166 (1978)
T.C. May, M.H. Woods. IEEE Trans. Electron Dev., 26 (1), 2 (1979)
J.F. Ziegler, W.A. Lanford. Science, 206, 776 (1979)
C.S. Guenzer, E.A. Wolicki, R.G. Allas. IEEE Trans. Nucl. Sci., 26 (6), 5048 (1979)
А.С. Пузанов, С.В. Оболенский, В.А. Козлов, Е.В. Волкова, Д.Г. Павельев. ФТП, 49 (12), 1585 (2015)
А.С. Пузанов, С.В. Оболенский, В.А. Козлов. ФТП, 52 (11), 1295 (2018)
И.В. Антонова, В.П. Попов, В.И. Поляков, А.И. Руковишников. ФТП, 38 (12), 1439 (2004)
К.О. Петросянц, И.А. Харитонов, Е.В. Орехов, Л.М. Самбурский, А.П. Ятманов, А.В. Воеводин. Сб. тр. 5-й Всеросс. науч.-техн. конф. "Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем--2012" (М., ФГБУ ИППМ РАН, 2012) с. 413
А.М. Митерев. УФН, 172 (10), 1131 (2002)
Ф.Ф. Комаров. УФН, 173 (12), 1287 (2003)
Ф.Ф. Комаров. УФН, 187 (5), 465 (2017)
А.С. Пузанов, С.В. Оболенский, В.А. Козлов. Науч.-техн. сб. "Радиационная стойкость электронных систем --- Стойкость-2016" (М., НИЯУ МИФИ, 2016) с. 69
А.С. Пузанов, С.В. Оболенский. Физические и физико-химические основы ионной имплантации: Тез. докл. VI всеросс. конф. (Нижний Новгород, 2016) с. 89
Электронный ресурс: http://www.srim.org/
Электронный ресурс https://www.synopsys.com
Электронный ресурс https://www.silvaco.com

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель