"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности МПЭ ПА синтеза слоев n+-GaN на виртуальных подложках GaN/c-Al2O3
Переводная версия: 10.1134/S1063782619090112
Мизеров А.М.1, Тимошнев С.Н.1, Никитина Е.В.1, Соболев М.С.1, Шубин К.Ю.1, Березовская Т.Н.1, Мохов Д.В.1, Лундин В.В.2, Николаев А.Е.2, Буравлев А.Д.1,2,3
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: andreymizerov@rambler.ru
Поступила в редакцию: 24 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2019 г.

Представлены результаты исследований синтеза слоев n+-GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота на виртуальных подложках GaN/c-Al2O3. В частности, разработан метод предэпитаксиальной очистки GaN поверхностей виртуальных подложек от инородных атомов. Показано, что для формирования слоев GaN относительно высокого качества, в том числе легированных кремнием вплоть до ~4.6· 1019 см-3, сначала следует проводить предэпитаксиальную очистку виртуальных подложек в потоке активированных частиц азота при увеличении температуры подложки от TS=400 до 600oC, с последующей экспозицией поверхности подложки в потоке активированного азота при фиксированном значении TS=600oC в течение 1 ч. После этого температуру подложки необходимо увеличить до TS=700oC и осуществить окончательную очистку GaN-поверхности с использованием процедуры осаждения/десорбции галлия. Ключевые слова: GaN, молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией, легирование кремнием.
  1. K. Kim, M. Hua, D. Liu, J. Kim, K.J. Chen, Zh. Ma. Nano Energy, 43, 259 (2018)
  2. R. Hentschel, J. Gurtner, A. Wachowiak, A. Grob er, T. Mikolajick, S. Schmult. J. Cryst. Growth, 500, 1 (2018)
  3. A. Binder, Jiann-Shiun Yuan, Balakrishnan Krishnan, P.M. Shea. Superlat. Microstr., 121, 92 (2018)
  4. G.H. Chung, T.A. Vuong, H. Kim. Results Phys., 12, 83 (2019)
  5. G. El-zammar, A. Yvon, W. Khalfaoui, M. Nafouti, F. Cayrel, E. Collard, D. Alquier. Mater. Sci. Semicond. Processing, 78, 107 (2018)
  6. O. Ambacher. J. Phys. D: Appl. Phys., 31, 2653 (1998)
  7. Y. Yue, Z. Hu, J. Guo, B. Sensale-Rodriguez, G. Li, R. Wang, F. Faria, T. Fang, B. Song, X. Gao, Sh. Guo, Th. Kosel, G. Snider, P. Fay, D. Jena, H. Xing. IEEE Electron Dev. Lett., 33, 7 (2012)
  8. S.J. Hong, K.(Kevin) Kim. Appl. Phys. Lett., 89, 042101 (2006)
  9. Zh. Zheng, H. Seo, L. Pang, K.(Kevin) Kim. Phys. Status Solidi A, 208 (4), 953 (2011)
  10. J. Guo1, Y. Cao, Ch. Lian, T. Zimmermann, G. Li, J. Verma, X. Gao, Sh. Guo, P. Saunier, M. Wistey, D. Jena, H.(Grace) Xing. Phys. Status Solidi A, 208 (7), 1617 (2011)
  11. B. Song, M. Zhu, Z. Hu, M. Qi, K. Nomoto, X. Yan, Y. Cao, D. Jena, H.G. Xing. IEEE Electron Dev. Lett., 37, 1 (2016)
  12. G. Koblmuller, R.M. Chu, A. Raman, U.K. Mishra, J.S. Speck. J. Appl. Phys., 107, 043527 (2010)
  13. D.F. Storm, T. Mc Conkie, D.S. Katzer, B.P. Downey, M.T. Hardy, D.J. Meyer, D.J. Smith. J. Cryst. Growth, 409, 14 (2015)
  14. S. Gangopadhyay, Th. Schmidt, C. Kruse, S. Figge, D. Hommel, J. Falta. J. Vac. Sci. Technol. A, 32 (5), 051401 (2014)
  15. S. Fernandez-Garrido, G. Koblmuller, E. Calleja, J.S. Speck. J. Appl. Phys., 104, 033541 (2008)
  16. A.M. Mizerov, V.N. Jmerik, V.K. Kaibyshev, T.A. Komissarova, S.A. Masalov, S.V. Ivanov. Semiconductors, 43 (8), 1058 (2009)
  17. A.M. Mizerov, S.N. Timoshnev, M.S. Sobolev, E.V. Nikitina, K.Yu. Shubina, T.N. Berezovskaia, I.V. Shtrom, A.D. Bouravleuv. Semiconductors, 52 (12), 1529 (2018)
  18. W.V. Lundin, A.E. Nikolaev, A.V. Sakharov, S.O. Usov, E.E. Zavarin, P.N. Brunkov, M.A. Yagovkina, N.A. Cherkashin, A.F. Tsatsulnikov. Semiconductors, 48 (1), 53 (2014)
  19. O. Brandt, H. Yang, K.H. Ploog. Phys. Rev. B, 54, 4432 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.