Вышедшие номера
Влияние висмута на свойства упругонапряженных гетероструктур AlGaInAsP<Bi>/InP
Переводная версия: 10.1134/S1063782619080141
Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation , The State assignment SSC RAS on 2019, 01201354240
Ministry of Education and Science of the Russian Federation, The State contract, 16.4757.2017/(8.9)
Russian Foundation for Basic Research, a, 17-08-01206
Лунина М.Л.1, Лунин Л.С.1,2, Алфимова Д.Л.1, Пащенко А.С.1, Данилина Э.М.1, Нефедов В.В.2
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
2Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия
Email: lunin_ls@mail.ru
Поступила в редакцию: 12 февраля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2019 г.

Обсуждаются результаты выращивания упругонапряженных тонких эпитаксиальных слоев AlGaInAsP<Bi> на подложках фосфида индия из жидкой фазы в поле температурного градиента. Исследовано влияние висмута на структурное совершенство, люминесцентные свойства и внешний квантовый выход гетероструктур AlGaInAsP<Bi>/InP. Ключевые слова: гетероструктуры, градиент температуры, толщина жидкой зоны, период решетки, коэффициент термического расширения, кривая дифракционного отражения, упругие напряжения, дислокации, внешний квантовый выход.