"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние висмута на свойства упругонапряженных гетероструктур AlGaInAsP<Bi>/InP
Переводная версия: 10.1134/S1063782619080141
Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation , The State assignment SSC RAS on 2019, 01201354240
Ministry of Education and Science of the Russian Federation, The State contract, 16.4757.2017/(8.9)
Russian Foundation for Basic Research, a, 17-08-01206
Лунина М.Л.1, Лунин Л.С.1,2, Алфимова Д.Л.1, Пащенко А.С.1, Данилина Э.М.1, Нефедов В.В.2
1Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
2Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия
Email: lunin_ls@mail.ru
Поступила в редакцию: 12 февраля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2019 г.

Обсуждаются результаты выращивания упругонапряженных тонких эпитаксиальных слоев AlGaInAsP<Bi> на подложках фосфида индия из жидкой фазы в поле температурного градиента. Исследовано влияние висмута на структурное совершенство, люминесцентные свойства и внешний квантовый выход гетероструктур AlGaInAsP<Bi>/InP. Ключевые слова: гетероструктуры, градиент температуры, толщина жидкой зоны, период решетки, коэффициент термического расширения, кривая дифракционного отражения, упругие напряжения, дислокации, внешний квантовый выход.
  1. P.V. Seredin, A.V. Glotov, A.S. Lenshin, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, T. Prutskij, H. Leiste, M. Rinke. Semiconductors, 48, 21 (2014)
  2. A. Luque, I. Ramiro, P. Garcia-Linares, E. Antolin, A. Marti, A. Panchak, A. Vlasov, V. Andreev, A. Mellor. IEEE J. Photovolt., 5, 1074 (2015)
  3. H.Z. Song, M. Hadi, Y. Zheng, B. Shen, L. Zhang, Z. Ren, R. Gao, Z.M. Wang. Nanoscale Res. Lett., 12, 128 (2017)
  4. В.В. Кузнецов, Л.С. Лунин, В.И. Ратушный. Гетероструктуры на основе четверных и пятерных твердых растворов соединений АIIIBV (СКНЦ ВШ, Ростов н/Д, 2003)
  5. Д.Л. Алфимова, М.Л. Лунина, Л.С. Лунин, А.С. Пащенко, А.Е. Казакова. ФТТ, 60, 1277 (2018)
  6. Д.Л. Алфимова, Л.С. Лунин, М.Л. Лунина. Неорг. матер., 50 (2), 127 (2014)
  7. В.В. Кузнецов, Е.А. Когновицкая, М.Л. Лунина, Э.Р. Рубцов. Журн. физ. химии, 85 (12), 2210 (2011)
  8. В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, В.П. Попов. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов (М., Металлургия, 1987)
  9. Д.Л. Алфимова, Л.С. Лунин, М.Л. Лунина, А.С. Пащенко, С.Н. Чеботарев. ФТТ, 58 (9), 1695 (2016)
  10. Д.Л. Алфимова, Л.С. Лунин, М.Л. Лунина, А.С. Пащенко, С.Н. Чеботарев. Неор. матер., 53 (1), 33 (2017)
  11. А.В. Благин, Д.П. Валюхов, Л.С. Лунин, Р.В. Пигулев, И.М. Хабибулин. Неорг. матер., 44 (8), 903 (2008)
  12. Л.С. Лунин, Б.М. Середин, Л.М. Середин. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 12, 91 (2015)
  13. Д.Л. Алфимова, Л.С. Лунин, М.Л. Лунина, А.С. Пащенко, С.Н. Чеботарев, А.Е. Казакова, Д.А. Арустамян. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 5, 71 (2018)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.