"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование влияния термического отжига на фотоэлектрические свойства гетероструктур GaP/Si, полученных методом атомно-слоевого плазмохимического осаждения
Переводная версия: 10.1134/S1063782619080207
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 17-08-00474 А
Уваров А.В.1, Зеленцов К.С.1, Гудовских А.С.1,2
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: uvarov@spbau.ru
Поступила в редакцию: 11 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2019 г.

Проведены исследования влияния термического отжига на фотоэлектрические свойства гетероструктур GaP/Si, полученных методом атомно-слоевого плазмохимического осаждения в различных условиях. Для структур с аморфным GaP отжиг при 550oC приводит к резкому снижению квантовой эффективности и напряжения холостого хода, в то время как для структур на основе микрокристаллического GaP с эпитаксиальным подслоем наблюдается улучшение фотоэлектрических характеристик. Отжиг при температуре 750oC приводит к улучшению фотоэлектрических характеристик для всех структур за счет диффузии атомов фосфора из GaP в Si и создания в подложке слоя n-типа проводимости. При увеличении температуры отжига до 900oC происходит деградация времени жизни носителей заряда в кремниевой подложке. Показана перспективность использования метода атомно-слоевого осаждения при формировании нуклеационного слоя GaP на поверхности кремния для последующего эпитаксиального роста. Ключевые слова: фосфид галлия, кремний, гетероструктура, атомно-слоевое осаждение.
  1. R.R. King, D.C. Law, K.M. Edmondson, C.M. Fetzer, G.S. Kinsey, H. Yoon, R.A. Sherif, N.H. Karam. Appl. Phys. Lett., 90, 183516 (2007)
  2. Y. Zou, C. Zhang, C. Honsberg, D. Vasileska, R. King, S. Goodnick. In: IEEE 7th World Conf. Photovolt. Energy Conversion (IEEE, 2018) p. 0279
  3. G. Dushaq, A. Siddiqui, K. Jumaa, A. Nayfeh, M. Rasras. In: IEEE 7th World Conf. Photovolt. Energy Conversion (2018) p. 3857
  4. E. Garci a-Tabares, I. Garcia, I. Rey-Stolle, C. Algora, D. Marti n. In: Proc. 8th Spanish Conf. Electron Devices, CDE'2011 (2011)
  5. Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков. УФН, 178, 459 (2008)
  6. T. Orzali, A. Vert, B. O'Brien, J.L. Herman, S. Vivekanand, R.J.W. Hill, Z. Karim, S.S. Papa Rao. J. Appl. Phys., 118, 105307 (2015)
  7. D.A. Kudryashov, A.S. Gudovskikh, E.V. Nikitina, A.Y. Egorov. Semiconductors, 48, 381 (2014)
  8. J.F. Geisz, J.M. Olson, D.J. Friedman, K.M. Jones, R.C. Reedy, M.J. Romero. In: Conf. Rec. Thirty-First IEEE Photovolt. Spec. Conf. (2005) p. 695
  9. M. Sadeghi, S. Wang. J. Cryst. Growth, 227-228, 279 (2001)
  10. S.L. Wright, H. Kroemer, M. Inada. J. Appl. Phys., 55, 2916 (1984)
  11. J.P. Andre, J. Hallais, C. Schiller. J. Cryst. Growth, 31, 147 (1975)
  12. L. Samuelson, P. Omling, H.G. Grimmeiss. J. Cryst. Growth, 68, 340 (1984)
  13. J.M. Olson, M.M. Al-Jassim, A. Kibbler, K.M. Jones. J. Cryst. Growth, 77, 515 (1986)
  14. E. Garci a-Tabares, J.A. Carlin, T.J. Grassman, D. Marti n, I. Rey-Stolle, S.A. Ringel. Prog. Photovolt. Res. Appl., 24, 634 (2016)
  15. М.С. Соболев, А.А. Лазаренко, Е.В. Никитина, Е.В. Пирогов, А.С. Гудовских, А.Ю. Егоров. ФТП, 49, 569 (2015)
  16. A.S. Gudovskikh, K.S. Zelentsov, A.I. Baranov, D.A. Kudryashov, I.A. Morozov, E.V. Nikitina, J.-P. Kleider. Energy Procedia, 102, 56 (2016)
  17. R. Varache, M. Darnon, M. Descazeaux, M. Martin, T. Baron, D. Munoz. Energy Procedia, 77, 493 (2015)
  18. L. Ding, C. Zhang, T.U. N rland, N. Faleev, C. Honsberg, M.I. Bertoni. Energy Procedia, 92, 617 (2016)
  19. M. Leskela, M. Ritala. Thin Sol. Films, 409, 138 (2002)
  20. A.S. Gudovskikh, I.A. Morozov, A.V. Uvarov, D.A. Kudryashov, E.V. Nikitina, A.S. Bukatin, V.N. Nevedomskiy, J.-P. Kleider, J. Vac. Sci. Technol. A, 36, 021302 (2018)
  21. A.S. Gudovskikh, A.V. Uvarov, I.A. Morozov, A.I. Baranov, D.A. Kudryashov, K.S. Zelentsov, A. Jaffre, S. Le Gall, A. Darga, A. Brezard-Oudot, J.-P. Kleider. Phys. Status Solidi A, 1800617 (2018)
  22. A.V. Uvarov, A.S. Gudovskikh, D.A. Kudryashov. J. Phys. Conf. Ser., 917, 052004 (2017)
  23. A.S. Gudovskikh, A.V. Uvarov, I.A. Morozov, A.I. Baranov, D.A. Kudryashov, E.V. Nikitina, A.A. Bukatin, K.S. Zelentsov, I.S. Mukhin, A. Levtchenko, S. Le Gall, J.-P. Kleider. J. Renew. Sustain. Energy, 10, 021001 (2018)
  24. Е.Г. Гук, А.В. Каманин, Е.М. Шмидт, В.Б. Шуман, Т.А. Юрре. ФТП, 33, 257 (1998)
  25. F.A. Trumbore. Bell Syst. Techn. J., 39, 205 (1960)
  26. K. Sato, A. Castaldini, N. Fukata, A. Cavallini. Nano Lett., 12, 3012 (2012)
  27. D. Kudryashov, A. Gudovskikh, A. Uvarov, E. Nikitina. In: AIP Conf. Proc. (AIP Publishing LLC, 2018) p. 040005

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.