Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Наноструктурированные покрытия ITO/SiO2
Переводная версия: 10.1134/S1063782619080153 
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: l.markov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 10 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2019 г.
В настоящей работе изучалось влияние слоя SiO2, нанесенного на наноструктурированные прозрачные проводящие пленки оксида индия и олова (ITO), на их оптические характеристики. Для этого на образцы с пленками ITO, содержащими нитевидные кристаллы преимущественно вертикальной ориентации и обладающими монотонно убывающим эффективным показателем преломления, наносили слои SiO2 различной толщины методом магнетронного распыления. Показано, что при условии равномерного заращивания нитей ITO слоем SiO2 становится возможным достичь заметного просветления покрытия. Исследовалось также влияние слоя SiO2 на оптические характеристики плотной, неструктурированной пленки ITO. Проведено сравнение полученных результатов для структурированного и неструктурированного покрытия ITO/SiO2 с одинаковым массовым содержанием материала. Отмечено, что вследствие склонности материала ITO к деградации в процессе эксплуатации в составе прозрачных проводящих контактов результаты работы могут быть интересны также для создания более стойких к воздействию внешней среды покрытий. Ключевые слова: прозрачные проводящие оксиды, оптоэлектронные приборы, просветвляющие покрытия, оксид индия и олова, диоксид кремния.
- R.H. Horng, C.C. Yang, J.Y. Wu, S.H. Huang, C.E. Lee, D.S. Wuu. Appl. Phys. Lett., 86, 221101 (2005)
- Y.C. Lee, C.E. Lee, T.C. Lu, H.C. Kuo, S.C. Wang. Semicond. Sci. Technol., 23, 045013 (2008)
- B.S. Chiou, J.H. Tsai. J. Mater. Sci. Mater. Electron., 10, 491 (1999)
- J.K. Kim, T. Gessmann, E.F. Schubert, J.-Q. Xi, H. Luo, J. Cho, C. Sone, Y. Park. Appl. Phys. Lett., 88, 013501 (2006)
- M.F. Schubert, J.-Q. Xi, J.K. Kim, E.F. Schubert. Appl. Phys. Lett., 90, 141115 (2007)
- J.K. Kim, S. Chhajed, M.F. Schubert, E.F. Schubert, A.J. Fischer, M.H. Crawford, J. Cho, H. Kim, C. Sone. Adv. Mater., 20, 801 (2008)
- Z. Gong, Q. Li, Y. Li, H. Xiong, H. Liu, S. Wang, Y. Zhang, M. Guo, F. Yun. Appl. Phys. Express, 9, 082102 (2016)
- M.J. Park, C.U. Kim, S.B. Kang, S.H. Won, J.S. Kwak, C.-M. Kim, K.J. Choi. Adv. Opt. Mater., 5, 1600684 (2017)
- R.J. Moerland, J.P. Hoogenboom. Optica, 3, 112 (2016)
- H.H. Yen, H.C. Kuo, W.Y. Yeh. Phys. Satus Solidi C, 5, 2152 (2008)
- D.J. Poxson, M.-L. Kuo, F.W. Mont, Y.-S. Kim, X. Yan, R.E. Welser, A.K. Sood, J. Cho, S.-Y. Lin, E.F. Schubert. MRS Bull., 36, 434 (2011)
- T. Aytug, A.R. Lupini, G.E. Jellison, P.C. Joshi, I.H. Ivanov, T. Liu, P. Wang, R. Menon, R.M. Trejo, E. Lara-Curzio, S.R. Hunter, J.T. Simpson, M.P. Paranthaman, D.K. Christen. J. Mater. Chem. C, 3, 5440 (2015)
- C.-Y. Cho, N.-Y. Kim, J.-W. Kang, Y.-C. Leem, S.-H. Hong, W. Lim, S.-T. Kim, S.-J. Park. Appl. Phys. Express, 6, 042102 (2013)
- J.-Y. Cho, K.-J. Byeon, H. Lee. Optics Lett., 36, 3203 (2011)
- Л.К. Марков, И.П. Смирнова, А.С. Павлюченко, М.В. Кукушкин, Д.А. Закгейм, С.И. Павлов. ФТП, 50, 1001 (2016)
- Л.К. Марков, А.С. Павлюченко, И.П. Смирнова, С.И. Павлов. ФТП, 52, 1228 (2018)
- S.Q. Li, P. Guo, L. Zhang, W. Zhou, T.W. Odom, T. Seideman, J.B. Ketterson, R.P.H. Chang. ACS Nano, 5, 9161 (2011)
- P. Guo, R.D. Schaller, L.E. Ocola, B.T. Diroll, J.B. Ketterson, R.P.H. Chang. Nature Commun., 7, 12892 (2016)
- Л.К. Марков, А.С. Павлюченко, И.П. Смирнова. ФТП, 53, 181 (2019)
- C.H. Chiu, P.C. Yu, C.H. Chang, C.S. Yang, M.H. Hsu, H.C. Kuo, M.A. Tsai. Opt. Express, 17 (23) 21250 (2009).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
