Вышедшие номера
Толстые слои alpha-Ga2O3 на сапфировых подложках, полученные методом хлоридной эпитаксии
Переводная версия: 10.1134/S1063782619060150
Министерство образования и науки России, 16/4959/2017/6/
Министерство образования и науки России, 16.3788.2017.4.6
Печников А.И.1, Степанов С.И. 2,1, Чикиряка А.В.1, Щеглов М.П.1, Одноблюдов М.А.3, Николаев В.И.1,2,3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: chikiryaka@mail.ru
Поступила в редакцию: 27 ноября 2018 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2019 г.

В статье сообщается об эпитаксиальном росте и исследовании слоев нового широкозонного полупроводника alpha-Ga2O3. Слои были выращены хлоридной эпитаксией на сапфировых подложках базисной ориентации. Толщины слоев исследованных образцов составляли от 0.5 мкм до рекордных на сегодня более 10 мкм. Изучены структурные и оптические свойства полученных образцов. Показано, что все образцы в структурном отношении однородны, однофазны и имеют структуру корунда R3c, как и у сапфира, используемого в качестве подложки. Было показано, что полуширина кривых качания для рефлекса (0006) alpha-Ga2O3 изменяется с ростом толщины слоя и для наиболее толстых слоев составила 240 угл. сек. Как тонкие, так и толстые слои были прозрачны как в видимом, так и УФ-диапазоне, вплоть до края зоны оптического поглощения при 5.2 эВ.