Толстые слои alpha-Ga2O3 на сапфировых подложках, полученные методом хлоридной эпитаксии
Министерство образования и науки России, 16/4959/2017/6/
Министерство образования и науки России, 16.3788.2017.4.6
Печников А.И.1, Степанов С.И.
2,1, Чикиряка А.В.1, Щеглов М.П.1, Одноблюдов М.А.3, Николаев В.И.1,2,3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: chikiryaka@mail.ru
Поступила в редакцию: 27 ноября 2018 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2019 г.
В статье сообщается об эпитаксиальном росте и исследовании слоев нового широкозонного полупроводника alpha-Ga2O3. Слои были выращены хлоридной эпитаксией на сапфировых подложках базисной ориентации. Толщины слоев исследованных образцов составляли от 0.5 мкм до рекордных на сегодня более 10 мкм. Изучены структурные и оптические свойства полученных образцов. Показано, что все образцы в структурном отношении однородны, однофазны и имеют структуру корунда R3c, как и у сапфира, используемого в качестве подложки. Было показано, что полуширина кривых качания для рефлекса (0006) alpha-Ga2O3 изменяется с ростом толщины слоя и для наиболее толстых слоев составила 240 угл. сек. Как тонкие, так и толстые слои были прозрачны как в видимом, так и УФ-диапазоне, вплоть до края зоны оптического поглощения при 5.2 эВ.
- S.I. Stepanov, V.I. Nikolaev, V.E. Bougrov, A.E. Romanov. Rev. Adv. Mater. Sci., 44 (1), 63 (2016)
- Y. Oshima, E.G. Vi llora, Y. Matsushita, S. Yamamoto, K. Shimamura. J. Appl. Phys., 118, 085301 (2015)
- Y. Oshima, E.G. Vi llora, K. Shimamura. Appl. Phys. Express, 8, 055501 (2015)
- K. Akaiwa, K. Kaneko, K. Ichino, S. Fujita. J. Appl. Phys., 55, 1202BA (2016)
- M. Oda, R. Tokuda, H. Kambara, T. Tanikawa, T. Sasaki, T. Hitora. Appl. Phys. Express, 9, 021101 (2016)
- D. Shinohara, S. Fujita. Jpn. J. Appl. Phys., 47, 7311 (2008)
- Y. Yao, S. Okur, L.A.M. Lyle, G.S. Tompa, T. Salagaj, N. Sbrockey, R.F. Davis, L.M. Porter. Mater. Res. Lett., 6 (5), 268 (2018)
- R. Schewski, G. Wagner, M. Baldini, D. Gogova, Z. Galazka, T. Schulz, T. Remmele, T. Markurt, H. Wenckstern, M. Grundmann. Appl. Phys., Express, 8, 011101 (2015)
- T. Uchida, K. Kaneko, S. Fujita. MRS Advances, 3 (3), 177 (2018)
- D. Tamba, O. Kubo, M. Oda, S. Osaka, K. Takahashi, H. Tabata, K. Kaneko, S. Fujita, M. Katayama. Appl. Phys. Lett., 108, 251602 (2016)
- K. Kaneko, H. Kawanowa, H. Ito, S. Fujita. Jpn. J. Appl. Phys., 51, 020201 (2012)
- Z. Cheng, M. Hanke, P. Vogt, O. Bierwagen, A. Trampert. Appl. Phys. Lett., 111, 162104 (2017)
- Z. Chen, K. Nishihagi, X. Wang, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, M. Arita, Q. Guo. Appl. Phys. Lett., 109, 102106 (2016)
- В.И. Николаев, А.И. Печников, С.И. Степанов, Ш.Ш. Шарофидинов, А.А. Головатенко, И.П. Никитина, А.Н. Смирнов, В.Е. Бугров, А.Е. Романов, П.Н. Брунков, Д.А. Кириленко. ФТП 50 (7), 997 (2016)
- M. Marezio, J.P. Remeika. J. Chem. Phys., 46, 1862 (1967)
- M. Oda, R. Tokuda, H. Kambara, T. Tanikawa, T. Sasaki, T. Hitora. Appl. Phys. Express, 9 (2), 021101 (2016)
- R. Fornari, M. Pavesi, V. Montedoro, D. Klimm, F. Mezzadri, I. Cora, B. Pecz, F. Boschi, A. Parisini, A. Baraldi, C. Ferrari, E. Gombia, M. Bosi. Acta Materialia, 140, 411 (2017)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
