Рассмотрена возможность создания термоэлектрических охладителей для рабочих температур ниже 90 K. Для этих температур невозможно использовать стандартную схему термоэлемента, состоящего из двух полупроводниковых ветвей n- и p-типа проводимости, соединенных в последовательную электрическую цепь. В области криогенных температур есть единственный эффективный термоэлектрический материал n-типа проводимости на основе твердых растворов Bi-Sb. Для этого случая исследованы термоэлементы с термоэлектрической n-ветвью и пассивной ветвью на основе высокотемпературного сверхпроводника. Предложена конструкция термоэлектрического охладителя (модуля), состоящего из термоэлектрических n-ветвей (экструдированные кристаллы Bi_0.91Sb_0.09) и пассивных ветвей на основе высокотемпературного сверхпроводника (пленка YBa₂Cu₃O_7-x). Для увеличения термоэлектрической добротности модуля ZT использовано магнитное поле. Для криогенного модуля при температуре горячих спаев T_h=80 K, потребляемом токе I=6.4 А и напряжении U=0.10 В получены максимальный перепад температур между горячими и холодными спаями Delta T>13.5 K и максимальная холодопроизводительность Q_c>0.36 Вт.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.