Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Термоэлектрические свойства нанокомпозитного Bi_0.45Sb_1.55Te_2.985 с микрочастицами SiO₂

DOI: 10.21883/FTP.2019.06.47721.30

Переводная версия: 10.1134/S1063782619060186

Шабалдин А.А.¹, Константинов П.П.¹, Курдюков Д.А.¹, Лукьянова Л.Н.¹, Самунин А.Ю.¹, Стовпяга Е.Ю.¹, Бурков А.Т.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: berrior@rambler.ru

Поступила в редакцию: 7 февраля 2019 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2019 г.

PDF версия

Нанокомпозитные термоэлектрики на основе Bi_0.45Sb_1.55Te_2.985 p-типа проводимости получены методом горячего прессования нанопорошков этого соединения с добавлением микрочастиц SiO₂. Исследования термоэлектрических свойств показали, что термоэдс нанокомпозитов возрастает в широком интервале температур 80-420 K, а теплопроводность значительно снижается при температурах 80-320 K, что, несмотря на снижение проводимости, приводит к повышению термоэлектрической эффективности в наноструктурированном материале без добавления SiO₂ почти на 50% (при 300 K). При добавлении SiO₂ эффективность снижается. При температурах выше 350 K наиболее эффективным является исходный термоэлектрик, полученный без наноструктурирования, в котором максимальная термоэлектрическая эффективность ZT_max=1 при 390 K.

Thermoelectrics Handbook: Macro to Nano, ed. by D.M. Rowe (CRC Press, Boca Raton, 2006)
T. Tritt, M. Annu. Rev. Mater. Res., 41, 433 (2011)
G.S. Nolas, J. Sharp, H.J. Goldsmid. Thermoelectrics: Basic Principles and New Materials Developments (Springer, N.Y., 2001)
Modules, Systems, and Applications in Thermoelectrics, ed. by D.M. Rowe (CRC Press, Boca Raton, 2012)
B. Kamran. Fundamentals of Thermoelectricity (Oxford, University, 2015) p. 256
L. Fu, C.L. Kane. Phys. Rev. B, 76, 045302 (2007)
M.Z. Hasan, C.L. Kane. Rev. Mod. Phys., 82 (4), 3045 (2010)
D.X. Qu, Y.S. Hor, J. Xiong, R.J. Cava, N.P. Ong. Science, 329 (5993), 821 (2010)
A. Taskin, Z. Ren, S. Sasaki, K. Segawa, Y. Ando. Phys. Rev. Lett., 107, 016801 (2011)
R. Takahashi, S. Murakami. Semicond. Sci. Technol., 27 (12), 124005 (2012)
S.K. Mishra, S. Satpathy, O. Jepsen. J. Phys. Condens. Matter, 9, 461 (1997)
Yu.V. Ivanov, A.T. Burkov, D.A. Pshenay-Severin. Phys. Status Solidi B, 255, 1800020 (2018)
B. Madavali, H.S. Kim, K.H. Lee, S.J. Hong. J. Appl. Phys., 121 (22), 225104 (2017)
E.B. Kim, P. Dharmaiah, D.W. Shin, K.H. Lee, S.J. Hong. J. Alloys Compd., 703, 614 (2017)
B. Madavali, H.S. Kim, K.H. Lee, S.J. Hong. Intermetallics, 82, 68 (2017)
C. Li, X.Y. Qin, Y. Li, D. Li, J. Zhang, H. Guo, H. Xin, C. Song. J. Alloys Compd., 661 (6), 389 (2016)
Y.Y. Li, X.Y. Qin, D. Li, J. Zhang, C. Li, Y.F. Liu, C.J. Song, H.X. Xin, H.F. Guo. Appl. Phys. Lett., 108, 062104 (2016)
T. Zhang, Q.S. Zhang, J. Jiang, Z. Xiong, J.M. Chen, Y.L. Zhang, W. Li, G.J. Xu. Appl. Phys. Lett., 98 (2), 022104 (2011)
Е.Ю. Трофимова, А.Е. Алексенский, С.А. Грудинкин, И.В. Коркин, Д.А. Курдюков, В.Г. Голубев. Коллоидный журн., 73 (4), 535 (2011)
M.V. Vedernikov, P.P. Konstantinov, A.T. Burkov. Proc. VIII Intern. Conf. Thermoelectric Energy Conversion (Nancy, France, 1989) p. 45
A.T. Burkov, A. Heinrich, P.P. Konstantinov, T. Nakama, K. Yagasaki. Meas. Sci. Technol., 12, 264 (2001)
А.В. Петров. В кн.: Термоэлектрические свойства полупроводников (М., АН СССР, 1963) c. 27
M.H. Cohen, J. Jortner. Phys. Rev. Lett., 30, 696 (1973)
D.S. McLachlan, M. Blaszkiewicz, R.E. Newnham. J. Am. Ceram. Soc., 73, 2187 (1990)
T.-H. Liu, J. Zhou, M. Li, Z. Ding, Q. Song, B. Liao, L. Fu, G. Chen. Proc. Natl. Acad. Sci. USA, 115, 879 (2018)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель