"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние облучения электронами с энергией 0.9 МэВ на вольт-амперные характеристики и низкочастотные шумы 4H-SiC pin-диодов
Переводная версия: 10.1134/S1063782619040080
Добров В.А.1, Козловский В.В. 2, Мещеряков А.В.2, Усыченко В.Г.1,2, Чернова А.С.1,2, Шабунина Е.И.3, Шмидт Н.М.3
1ЗАО "Светлана-Электронприбор", Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: kozlovski@physics.spbstu.ru, Natalia.Shmidt@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 21 ноября 2018 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2019 г.

Экспериментально установлено, что при воздействии электронов с энергией 0.9 МэВ заметные изменения вольт-амперных характеристик и низкочастотных шумов 4H-SiC pin-диодов наблюдаются после доз Phi≥1.4·1015 см-2. При смещениях менее 2 В токи прямой и обратной ветвей вольт-амперной характеристики с ростом дозы меняются немонотонно, что объясняется взаимодействием возбужденной электронной подсистемы с метастабильными дефектами. При этом наблюдается устойчивый рост коэффициента идеальности и последовательного сопротивления диодов на экспоненциальном участке вольт-амперной характеристики при смещении более 2 В. Надежная работа малошумящих 4H-SiC pin-диодных СВЧ-устройств в условиях электронного облучения возможна до накопления дозы Phi≤1015 см-2. В СВЧ-устройствах, в которых уровни низкочастотных шумов не важны, но нужна стабильность режимных параметров, доза может быть повышена до Phi~8·1015 см-2.
  1. W.J. Choyke. Inst. Phys. Conf. Ser., 31, 58 (1977)
  2. KK. Asano, Y. Sugawara, A. Tanaka, Y. Miyanagi, K. Nakayama, Sh. Ogata, Sh. Okada, T. Izumi, R. Ishii. Proc. 20th Int. Symp. on Power Semiconductor Devices \& IC's (Oralando, FL, 2008) p. 256
  3. E.I. Shabunina, M.E. Levinshtein, N.M. Shmidt, P.A. Ivanov, J.W. Palmour. Sol. St. Electron., 96, 44 (2014)
  4. P. Hazdra, S. Popelka. Proc. 2016 Eur. Conf. on Silicon Carbide \& Related Materials (Halkidiki, Greece, 2016) v. 897, p. 463
  5. A.A. Lebedev, K.S. Davydovskaya, V.V. Kozlovski, O. Korolkov, N. Sleptsuk, J. Toompuu. Proc. 2016 Eur. Conf. on Silicon Carbide \& Related Materials (Halkidiki, Greece, 2016) v. 897, p. 447
  6. V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, J.W. Palmour. Appl. Phys. Lett., 110, 083503 (2017)
  7. V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, J.W. Palmour. Appl. Phys. Lett., 110, 133501 (2017)
  8. А. ван дер Зил. Шумы при измерениях (М., Мир, 1979) с. 101
  9. А.В. Кириллов, С.А. Корнилов. Электрон. техн., сер. Электроника СВЧ, 3, 62 (1975)
  10. Э.И. Адирович, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. Токи двойной инжекции в полупроводниках (М., Сов. радио, 1978)
  11. S. Bellone, F.G. Della Corte, L.F. Albanese, F. Pezzimenti. IEEE Transactions Power Electron., 26 (10), 2835 (2011)
  12. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М.: Мир, 1984) т. 1, с. 84
  13. N. Camara, E. Bano, K. Zekentes. Mater. Sci. Forum, 457--460, 1017 (2004)
  14. Физические процессы в облученных полупроводниках, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1977)
  15. В.Г. Литовченко, Б.Н. Романюк. ФТП, 17 (1), 150 (1983)
  16. Г.П. Жигальский. Флуктуации и шумы в электронных твердотельных приборах (М., Физматлит, 2012) с. 88
  17. В.М. Малышев, В.Г. Усыченко. Изв. Вузов. Радиофизика, 32, (3), 632 (1989)
  18. S. Bychikhin, D. Poganya, L.K.J. Vandamme, G. Meneghesso, E. Zanoni. J. Appl. Phys., 97, 123 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.