Экспериментально установлено, что при воздействии электронов с энергией 0.9 МэВ заметные изменения вольт-амперных характеристик и низкочастотных шумов 4H-SiC pin-диодов наблюдаются после доз Phi≥1.4·10¹⁵ см^-2. При смещениях менее 2 В токи прямой и обратной ветвей вольт-амперной характеристики с ростом дозы меняются немонотонно, что объясняется взаимодействием возбужденной электронной подсистемы с метастабильными дефектами. При этом наблюдается устойчивый рост коэффициента идеальности и последовательного сопротивления диодов на экспоненциальном участке вольт-амперной характеристики при смещении более 2 В. Надежная работа малошумящих 4H-SiC pin-диодных СВЧ-устройств в условиях электронного облучения возможна до накопления дозы Phi≤10¹⁵ см^-2. В СВЧ-устройствах, в которых уровни низкочастотных шумов не важны, но нужна стабильность режимных параметров, доза может быть повышена до Phi~8·10¹⁵ см^-2.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.