"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Получение пористого кремния путем спекания нанопорошка
Переводная версия: 10.1134/S1063782619040031
Астрова Е.В. 1, Воронков В.Б.1, Нащекин А.В. 1, Парфеньева А.В.1, Ложкина Д.А.1, Томкович М.В.1, Кукушкина Ю.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: east@mail.ioffe.ru, Nashchekin@mail.ioffe.ru, cheal@mail.ioffe.ru, Mariyatom@mail.ioffe.ru, Juku@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 ноября 2018 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2019 г.

Хорошо известный способ получения слоев макропористого кремния с помощью электрохимического и фотоэлектрохимического травления монокристаллических пластин является малопроизводительным и дорогим. В качестве альтернативного метода получения объемного макропористого кремния можно использовать высокотемпературное спекание порошка Si. В работе проведены исследования процесса спекания нанопорошка, предварительно прошедшего холодную компрессию всухую (без связующих добавок). Изучены свойства полученного материала (микроструктура, плотность и электропроводность) в зависимости от температуры и времени отжига. Обсуждаются способы изменения пористости спеченных образцов и методы определения площади внутренней поверхности.
  1. A. Loni. In: Handbook of Porous Silicon, ed. by L. Canham (Switzerland, Springer International Publishing, 2018) v. 1, p. 13
  2. N. Liu, K. Huo, M.T. McDowell, J. Zhao, Y. Cui. Sci. Rep., 3, 1919 (2013)
  3. Z. Huang, N. Geyer, P. Werner, J. de Boor, U. Gosele. Adv. Mater., 23, 285 (2011)
  4. K.W. Kolasinski. In: Handbook of Porous Silicon, ed. by L. Canham (Switzerland, Springer International Publishing, 2018) v. 1, p. 39
  5. W.S. Coblenz. J. Mater. Sci., 25, 2754 (1990)
  6. J. Jakubowicz. In: Handbook of Porous Silicon, ed. by L. Canham (Switzerland, Springer International Publishing, 2018) v. 1, p. 111
  7. J. Jakubowicza, K. Smardza, L. Smardz. Physica E, 38, 139 (2007)
  8. K.G. Barraclough, A. Loni, E. Caffull, L.T. Canham. Mater. Lett., 61, 485 (2007)
  9. H.J. Moller, G. Welsch. J. Am. Ceramic. Soc., 68 (6), 320 (1985)
  10. D. Chakravarty, B.V. Sarada, S.B. Chandrasekhar, K. Saravanan, T.N. Rao. Mater. Sci. Eng. A, 528, 7831 (2011)
  11. S.J. Santana, K.S. Jones. J. Mater. Sci., 31, 4985 (1996)
  12. P. Bellanger, A. Sow, M. Grau, A. Augusto, J.M. Serra, A. Kaminski, S. Dubois, A. Straboni. J. Cryst. Growth, 359, 92 (2012)
  13. R. Buchwald, S. Wurzner, H.J. Moller, A. Siftja, G. Stokkan, E. Ovrelid, A. Ulyashin. Phys. Status. Solidi A, 212 (1), 25 (2015)
  14. А.А. Нечитайлов, Е.В. Астрова, Ю.А. Кукушкина, С.Ю. Каменева. ФТП, 40 (10), 1254 (2006)
  15. Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия, под ред. Р. Бургера и Р. Донована (М., Мир, 1969)
  16. A. Halimaoui. Surf. Sci. Lett., 306, L550 (1994)
  17. V. Lehmann. Electrochemistry of Silicon (Weinheim, Wiley-VCH, 2002) v. 277, p. 31
  18. I. Kuzma-Filipek. In: Handbook of Porous Silicon, ed. by L. Canham (Switzerland, Springer International Publishing, 2018) v. 2, p. 901
  19. Е.В. Астрова, Н.Е. Преображенский, С.И. Павлов, В.Б. Воронков. ФТП, 51 (1), 1213 (2017)
  20. К.Л. Гаврилюк, Ю.С. Кагановский, В.Г. Лифшиц. Кристаллография, 26, 561 (1981)
  21. M.E. Keeffe, C.C. Umbach, J.M. Blakely. J. Phys. Chem. Solids, 55, 965 (1994)
  22. P.E. Acosta-Alba, O. Kononchuk, Ch. Gourdel, A. Claverie. J. Appl. Phys., 115, 134903 (2014)
  23. Б.И. Болтакс. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках (Л., Наука, 1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.