"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование распределения встроенных электрических полей в светодиодных гетероструктурах c множественными квантовыми ямами GaN/InGaN методом электроотражения
Переводная версия: 10.1134/S106378261904002X
Асланян А.Э.1, Авакянц Л.П.1, Боков П.Ю.1, Червяков А.В.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет, кафедра общей физики), Москва, Россия
Email: aslanyan.artyom@physics.msu.ru
Поступила в редакцию: 31 октября 2018 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2019 г.

Методом электроотражения проведены исследования неоднородности электрического поля в активной области светодиодной гетероструктуры на основе пяти идентичных квантовых ям GaN/InGaN. Из анализа спектров электроотражения с помощью преобразований Крамерса-Кронига определены энергии межзонных переходов в квантовых ямах и барьерах. Предложена методика оценки напряженности электрического поля в отдельных квантовых ямах активной области по положению спектральных линий. Обнаружено, что при нулевом смещении p-n-перехода энергии основного перехода в квантовых ямах активной области отличаются на величину порядка 140 мэВ, что соответствует разности напряженностей электрического поля, равной 0.78 МВ/см. Показано, что неоднородность электрического поля в активной области зависит от смещения p-n-перехода.
  1. S. Okur, M. Nami, A.K. Rishinaramangalam, S.H. Oh, S.P. DenBaars, S. Liu, I. Brener, D.F. Feezell. Opt. Express, 25 (3), 2178 (2017)
  2. Y. Zhao, H. Fu, G.T. Wang, S. Nakamura. Adv. Opt. Photonics, 10 (1), 246 (2018)
  3. M. Monavarian, A. Rashidi, A.A. Aragon, S.H. Oh, A.K. Rishinaramangalam, S.P. DenBaars, D. Feezell. Appl. Phys. Lett., 112 (4), 041104 (2018)
  4. Ф.Е. Шуберт. Светодиоды, под ред. А.Э. Юновича (М., Физматлит, 2008) с. 281. [Пер. с англ.: E.F. Shubert. Light emitting diodes (N.Y., Rensselaer Polytechnic Institute, 2006) p. 231]
  5. H.Y. Ryu, K.S. Jeon, M.G. Kang, H.K. Yuh, Y.H. Choi, J.S. Lee. Sci. Rep., 7, 44814 (2017)
  6. F. Bernardini, V. Fiorentini, D. Vanderbilt. Phys. Rev. B, 56 (16), R10024 (1997)
  7. T. Wang, D. Nakagawa, J. Wang, T. Sugahara, S. Sakai. Appl. Phys. Lett., 73 (24), 3571 (1998)
  8. F. Zhang, M. Ikeda, S.M. Zhang, J.P. Liu, A.Q. Tian, P.Y. Wen, Y. Cheng, H. Yang. Nanoscale Res. Lett., 11, (2016)
  9. F. Renner, P. Kiesel, G.H. Dohler. Appl. Phys. Lett., 81, 490 (2002)
  10. Л.П Авакянц, А.Э. Асланян, П.Ю. Боков, К.Ю. Положенцев, А.В. Червяков. ФТП, 51, 198 (2017)
  11. S.-I. Park, J.-I. Lee, D.-H. Jang, H.-S. Kim, D.-S. Shin, H.-Y. Ryu, J.-I. Shim. IEEE J. Quant. Electron., 48 (4), 500 (2012)
  12. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, S. Nakamura. Appl. Phys. Lett., 69, 4188 (1996)
  13. J.J. Wierer, D.A. Steigerwald, M.R. Krames, J.J. O'Shea, M.J. Ludowise, G. Christenson, Y.-C. Shen, C. Lowery, P.S. Martin, S. Subramanya, W. Gotz, N.F. Gardner, R.S. Kern, S.A. Stockman. Appl. Phys. Lett., 78, 3379 (2001)
  14. Л.П. Авакянц, М.Л. Бадгутдинов, П.Ю. Боков, А.В. Червяков, С.С. Широков, А.Э. Юнович, А.А. Богданов, Е.Д. Васильева, Д.А. Николаев, А.В. Феопентов. ФТП, 41 (9), 1078 (2007)
  15. D.E. Aspnes. Phys. Rev. B, 10, 4228 (1974)
  16. L.P. Avakyants, A.E. Aslanyan, P.Yu. Bokov, A.V. Chervyakov, K.Yu. Polozhentsev. Sol. St. Electronics, 130, 45 (2017)
  17. G. Blume, T.J.C. Hosea, S.J. Sweeney, P. de Mierry, D. Lancefield. IEE Proc. Optoelectron., 152 (2), 118 (2005)
  18. А.В. Ганжа, В. Кирхер, Р.В. Кузьменко, Й. Шрайбер, Ш. Хильдебрандт. ФТП, 32 (3), 272 (1998)
  19. K. Jeziersk, P. Markiewicz, J. Misiewicz, M. Panek, B. Sciana, T. Korbutowicz, M. T acza a. J. Appl. Phys., 77, 4139 (1995)
  20. P.K. Basu. Theory of Optical Processes in Semiconductors: Bulk and Microstructures (Oxford, Clarendon Press, 2003) гл. 11
  21. С.Н. Хонина, С.Г. Волотовский, С.И. Харитонов, Н.Л. Казанский. Компьютерная оптика, 36 (1), 27 (2012)
  22. S. Nakumura, G. Fasol. The Blue Laser Diode --- GaN Based Light Emitters and Lasers (Springer, 1997)
  23. R.R. Pela, C. Caetano, M. Marques, L.G. Ferreira, J. Furthmu ller, L.K. Teles. Appl. Phys. Lett., 98, 151907 (2011)
  24. J. Piprek. Phys. Status Solidi A, 207 (10), 2217 (2010)
  25. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama. Appl. Phys. Lett., 67 (13), 1868 (1995)
  26. W.C. Peng, Y. Chung, S. Wu. Appl. Phys. Lett., 89, 041116 (2006)
  27. C.H. Liu, R.W. Chuan, S.J. Chan, Y.K. Su, L.W. Wu, C.C. Lin. Mater. Sci. Eng. B, 112, 10 (2004)
  28. T.-S. Kim, B.-J. Ahn, Y. Dong, K.-N. Park, J.-G. Lee, Y. Moon, H.-K. Yuh, S.-C. Choi, J.-H. Lee, S.-K. Hong, J.-H. Song. Appl. Phys. Lett., 100, 071910 (2012)
  29. L. Avakyants, P. Bokov, A. Chervyakov, A. Yunovich, E. Vasileva, B. Yavich. Phys. Status Solidi C, 7 (7--8), 1863 (2010)
  30. V. Bougrov, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, A. Zubrilov. Properties of Advanced Semiconductor Materials GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe, ed. by M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur (N.Y., John Wiley \& Sons Inc., 2001)
  31. S. Freytag, M. Feneberg, C. Berger, J. Blasing, A. Dadgar, G. Callsen, F. Nippert, A. Hoffmann, P.Yu. Bokov, R. Goldhahn. J. Appl. Phys., 120 (1), 015703 (2016)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.