"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности характеристик устойчивых к полевым повреждениям структур кремний-сверхтонкий окисел-поликремний
Переводная версия: 10.1134/S1063782619040109
Гольдман Е.И.1, Левашов С.А1, Чучева Г.В.1
1Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, Фрязино, Россия
Email: gvc@ms.ire.rssi.ru
Поступила в редакцию: 23 октября 2018 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2019 г.

Приведены результаты исследований особенностей вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик структур кремний-сверхтонкий окисел-поликремний, устойчивых к полевым повреждениям. Оказалось, что происходящая с изменением полевого напряжения общая перезарядка сконцентрированных у границы раздела подложка-изолятор локализованных электронных состояний и неосновных носителей на порядок выше, чем у подверженных повреждению полевым стрессовым воздействием образцов. Туннельная вольт-амперная характеристика имеет существенно асимметричный вид: ток, протекающий из полевого электрода в кремниевую подложку, на несколько порядков меньше тока, протекающего из кремния в поликремний, при одинаковых значениях внешнего напряжения, падающего на изолирующий слой. Для объяснения такой асимметрии предположено, что в переходном слое от поликремния к окислу потенциальный барьер, разделяющий полупроводниковые электрод и подложку, имеет высоту ~ 1 эВ и поэтому всегда препятствует электропереносу; для обратных потоков этот барьер перестает ограничивать проводимость, как только уровень туннелирования станет выше него.
  1. A. Padovani, D.Z. Gao, A.L. Shluger, L. Larcher. J. Appl. Phys., 121, 155101 (2017)
  2. J.S. Suehle. In: Defects in Microelectronic Materials and Devices, ed. by D.M. Fleetwood, S.T. Pantelides and R.D. Schrimpf (CRC Press, 2008) chap. 15, p. 437
  3. J. Sune, E.Y. Wu. In: Defects in Microelectronic Materials and Devices, ed. by D.M. Fleetwood, S.T. Pantelides and R.D. Schrimpf (CRC Press, 2008) chap. 16, p. 465
  4. J. Nissan-Cohen. Appl. Surf. Sci., 39 (1-4), 511 (1989)
  5. T.R. Oldham, F.B. Mc Lean, H.E. Boesch, J.M. Mc Carrity. Semicond. Sci. Technol., 4 (12), 986 (1989)
  6. M.L. Reed. Semicond. Sci. Technol., 4 (12), 980 (1989)
  7. Е.И. Гольдман, Н.Ф. Кухарская, В.Г. Нарышкина, Г.В. Чучева. ФТП, 45 (7), 974 (2011)
  8. Е.И. Гольдман, Н.Ф. Кухарская, С.А. Левашов, В.Г. Нарышкина, Г.В. Чучева. ФТП, 51 (9), 1185 (2017)
  9. Е.И. Гольдман, А.И. Левашова, С.А. Левашов, Г.В. Чучева. ФТП, 49 (4), 483 (2015)
  10. Е.И. Гольдман, Н.Ф. Кухарская, С.А. Левашов, Г.В. Чучева. ФТП, 53 (1), 46 (2019)
  11. Е.И. Гольдман, Ю.В. Гуляев, Г.В. Чучева. Радиотехника, 8, 58 (2015)
  12. Е.И. Гольдман, Ю.В. Гуляев, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ФТП, 44 (8), 1050 (2010)
  13. А.П. Барабан, В.В. Булавинов, П.П. Коноров. Электроника слоев на кремнии (Л., изд-во ЛГУ, 1988)
  14. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Н.Ф. Кухарская, М.В. Черняев. ФТП, 42 (1), 94 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.