"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние материала подложки на свойства пленок оксида галлия и структур на его основе
Переводная версия: 10.1134/S1063782619040122
РНФ, 18-44-06001
Калыгина В.М. 1, Лыгденова Т.З. 1, Петрова Ю.С. 1, Черников Е.В. 1
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Email: Kalygina@ngs.ru
Поступила в редакцию: 1 сентября 2018 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2019 г.

Изучено влияние материала подложки на свойства пленок оксида галлия, полученных на сапфировых и полупроводниковых пластинах n(p)-GaAs методом высокочастотного магнетронного напыления. Пленки, выращенные на диэлектрических подложках, как правило, оказываются высокоомными, n-типа проводимости. Рост проводимости в них с повышением температуры обусловлен ионизацией глубоких донорных центров с энергией (0.98±0.02) эВ ниже дна зоны проводимости. Независимо от типа проводимости полупроводниковых подложек, пленки оксида галлия, выращенные на монокристаллических слоях GaAs, также имеют n-тип проводимости. Однако проводимость таких пленок оказывается существенно выше, что объясняется возможной диффузией неконтролируемых примесей из полупроводника в растущий слой оксида галлия. Электрические характеристики структур Ga2O3-полупроводник в большей степени определяются свойствами границы раздела оксид--полупроводник, чем свойствами контактирующих материалов. На обратной ветви вольт-амперных характеристик образцов Ga2O3/p-GaAs до отжига наблюдается участок отрицательного сопротивления N-типа. После отжига пленок оксида галлия при 900oC (30 мин) проводимость структур соответствует вольт-амперной характеристике обращенного диода.
  1. Z. Zhang, E. Farzana, A. Arehart, S.A. Ringel. Appl. Phys. Lett., 108, 052105 (2016)
  2. J. B. Varley, J.R. Weber, A. Janotti, C.G. Van de Walle. Appl. Phys. Lett., 97, 142106 (2010)
  3. E.G. Vilora, K. Shimamura, Y. Yoshikawa, T. Ujiie, K. Aoki. Appl. Phys. Lett., 92, 202120 (2008)
  4. F.-C. Chiu. Adv. Mater. Sci. Eng., v. 2014. Article ID 578168 (2014)
  5. В.М. Калыгина, Т.З. Лыгденова, В.А. Новиков, Ю.С. Петрова, А.В. Цымбалов, Т.М. Яскевич. ФТП, 53 (3), 411 (2019)
  6. C. Зи. Физика полупроводников (М., Мир, 1984) т. 2

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.