"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование радиационной стойкости фотодиодов на структурах кремний-на-сапфире
Переводная версия: 10.1134/S1063782619030084
Кабальнов Ю.А.1, Труфанов А.Н.1, Оболенский С.В.2
1Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова, Нижний Новгород, Россия
2Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: obolensk@rf.unn.ru
Поступила в редакцию: 10 января 2018 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2019 г.

Теоретически и экспериментально изучены электрофизические свойства фотодиодов на основе структур кремний-на-сапфире. Показано, что по основным параметрам они не уступают кремниевым диодам, а уровень радиационной стойкости на порядок выше, чем у аналогичных диодов на объемном кремнии.
  1. А.М. Филачев, И. И. Таубкин, М. А. Тришенков. Твердотельная фотоэлектроника. Фотодиоды (М., Физматкнига, 2011)
  2. В.М. Стучебников, В.С. Папков. Электронная промышленность. Материалы для новых направлений электронной техники, 8, 92 (1980)
  3. А.И. Астайкин, М.К. Смирнов. Основы оптоэлектроники (Саров, РФЯЦ-ВНИИЭФ, 2001)
  4. Н.Ф. Геда. Измерение параметров приборов оптоэлектроники (М., Радио и связь, 1981)
  5. В.П. Бутин, В.Ф. Зинченко, А.А. Романенко. Система радиационных испытаний изделий электронной техники (М., Радио и связь, 2004)
  6. В.С. Першенков, В.Д. Попов, А.В. Шальнов. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем (М., Энергоатомиздат, 1988)
  7. С.В. Оболенский. Изв. вузов. Электроника, 6, 3138 (2002)
  8. Л.М. Самбурский. Автореф. канд. дис. (Зеленоград, ИППМ РАН, 2013)
  9. Ю.А. Кабальнов, В.К. Киселев, А.Н. Труфанов. А.с. N 2611552 (17 июля 2015)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.