Исследование радиационной стойкости фотодиодов на структурах кремний-на-сапфире
Кабальнов Ю.А.1, Труфанов А.Н.1, Оболенский С.В.2
1Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова, Нижний Новгород, Россия
2Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: obolensk@rf.unn.ru
Поступила в редакцию: 10 января 2018 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2019 г.
Теоретически и экспериментально изучены электрофизические свойства фотодиодов на основе структур кремний-на-сапфире. Показано, что по основным параметрам они не уступают кремниевым диодам, а уровень радиационной стойкости на порядок выше, чем у аналогичных диодов на объемном кремнии.
- А.М. Филачев, И. И. Таубкин, М. А. Тришенков. Твердотельная фотоэлектроника. Фотодиоды (М., Физматкнига, 2011)
- В.М. Стучебников, В.С. Папков. Электронная промышленность. Материалы для новых направлений электронной техники, 8, 92 (1980)
- А.И. Астайкин, М.К. Смирнов. Основы оптоэлектроники (Саров, РФЯЦ-ВНИИЭФ, 2001)
- Н.Ф. Геда. Измерение параметров приборов оптоэлектроники (М., Радио и связь, 1981)
- В.П. Бутин, В.Ф. Зинченко, А.А. Романенко. Система радиационных испытаний изделий электронной техники (М., Радио и связь, 2004)
- В.С. Першенков, В.Д. Попов, А.В. Шальнов. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем (М., Энергоатомиздат, 1988)
- С.В. Оболенский. Изв. вузов. Электроника, 6, 3138 (2002)
- Л.М. Самбурский. Автореф. канд. дис. (Зеленоград, ИППМ РАН, 2013)
- Ю.А. Кабальнов, В.К. Киселев, А.Н. Труфанов. А.с. N 2611552 (17 июля 2015)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
