"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Открытие полупроводников AIIIBV: физические свойства и применение (О б з о р)
Михайлова М.П.1, Моисеев К.Д.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mkd@iropt2.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 11 октября 2018 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2019 г.

Настоящий обзор работ посвящен открытию, разработке технологии и исследованию полупроводников AIIIBV, проводимых в Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе (ФТИ, Физтех), где в 1950 г. были сделаны первые шаги в получении полупроводников AIIIBV и начальные исследования их фундаментальных свойств под руководством двух крупных ученых --- Нины Александровны Горюновой и Дмитрия Николаевича Наследова. Дальнейшее развитие этих работ нашло отражение в трудах последователей и учеников Д.Н. Наследова, работавших и продолжающих работать в подразделениях ФТИ. Будет рассмотрен вклад этих исследований в изучение гетероструктур на основе соединений AIIIBV, а также в разработку полупроводниковых приборов для электроники, оптоэлектроники и фотоники.
  • Н.А. Горюнова. Сложные алмазоподобные полупроводники (монография) (Л., 1953); А.И. Блум, Н.П. Морковский, А.Р. Регель. Труды VII Конференции по свойствам полупроводников (Киев, 1950)
  • Дмитрий Николаевич Наследов ( К 100-летию со дня рождения) (Спб., Из-во СПб ГПУ, 2003, 122 с.)
  • Ж.И. Алфёров, Б.В. Царенков. ФТП, 19, 2113 (1985)
  • H. Welker. Zs. Naturforsch., 7a, 11 (1952)
  • Д.Н. Наследов, А.Ю. Халилов. Изв. АН СССР, 20 (12), 1494 (1956)
  • О.В. Емельяненко, Д.Н. Наследов. ЖТФ, 28 (6), 1177 (1958)
  • В.И. Фистуль. Сильно легированные полупроводники (М., Наука, 1967)
  • Арсенид галлия: получение и свойства, под ред. Ф.П. Кесаманлы и Д.Н. Наследова (М., Наука, 1973)
  • К.И. Виноградова, В.В. Галаванов, Д.Н. Наследов, Л.И. Соловьева. ФТТ, 1, 403 (1959)
  • О.В. Емельяненко, Т.С. Лагунова, Д.Н. Наследов, Г.Н. Талалакин. ФТТ, 7, 1315 (1965)
  • В.В. Галаванов, Д.Н. Наследов, А.С. Филипченко. Изв. АН СССР, 23 (6), 963 (1964)
  • Ф.П. Кесаманлы, Э.Э. Клотыньш, Т.С. Лагунова, Д.Н. Наследов. ФТТ, 6, 958 (1964)
  • Ю.М. Бурдуков, А.Н. Именков, Д.Н. Наследов, Б.В. Царенков. ФТТ, 3, 991 (1961)
  • Д.Н. Наследов, С.В. Слободчиков. ФТТ, 1, 748 (1959)
  • Д.Н. Наследов, Лянь Чжи-Чао. ФТТ, 2, 793 (1960)
  • Д.Н. Наследов, А.А. Рогачев, С.М. Рывкин, Б.В. Царенков. ФТТ, 4, 1062 (1962)
  • А.Т. Гореленок, Б.В. Царенков. А.с. СССР N 196177, приор. 06.09.1965
  • Б.В. Царенков, Ю.П. Яковлев. А.с. СССР N 383122, приор. 02.06.1970
  • Н.П. Есина, Н.В. Зотова, Д.Н. Наследов. ФТП, 3, 1370 (1969)
  • Л.М. Коган, Л.Д. Литов, Д.Н. Наследов, Т.Ф. Никитина, Т.М. Страховский, Б.В. Царенков. ФТТ, 8, 2789 (1966)
  • В.В. Гутов, А.Н. Именков, Р.Ф. Казаринов, Р.А. Сурис, Б.В. Царенков, Г.В. Царенков, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 1 (8), 396 (1975)
  • А.А. Гуткин, Д.Н. Наследов, В.Е. Седов, Б.В. Царенков. Радиотехника и электроника, 7 (12), 2095 (1962)
  • А.Н. Именков, М.М. Козлов, С.С. Мескин, Д.Н. Наследов, В.Н. Равич, Б.В. Царенков. ФТТ, 7, 634 (1965)
  • Л.М. Коган, С.С. Мескин, Д.Н. Наследов, В.Е. Трушина, Б.В. Царенков. Радиотехника и электроника, 11 (8), 1645 (1966)
  • Д.Н. Наследов, Ю.Г. Попов, Ю.С. Сметанникова, И.Н. Яссиевич. ФТТ, 8, 475 (1966)
  • Э.К. Гусейнов, Д.Н. Наследов, Ю.Г. Попов, М. Шляйфштайн. ФТП, 11, 2211 (1970)
  • М.П. Михайлова, Д.Н. Наследов, С.В. Слободчиков, М. Хамрокулов. ФТТ, 13, 390 (1973)
  • N.M. Kolchanova, M.P. Mikhailova, Yu.S. Smetannikova. Proc. 8th Int. Symp. Techn. Commun. on Photodetectors, II (Prague, Czekhoslovakia, 1978) p. 439
  • У. Аут, Д. Генцов, К. Герман. Фотоэлектрические явления (пер. с нем. под ред. В.Л. Бонч-Бруевича) (М., Мир, 1980)
  • Отчет по НИР "Энергия", рук. Д.Н. Наследов, Ю.С. Сметанникова (Л., 1959)
  • М.П. Михайлова, Д.Н. Наследов, С.В. Слободчиков. Phys. Status Solidi, 11, 529 (1965)
  • И.И. Таубкин. Программа и тез. докл. Междунар. симп. "Полупроводники A-=SUP=-3-=/SUP=-B-=SUP=-5-=/SUP=-. К столетию со дня рождения Д.Н. Наследова (Санкт-Петербург, 2003) с. 20
  • А.М. Филачев, М.А. Тришенков, И.И. Таубкин. Состояние и магистральные направления развития твердотельной фотоэлектроники (М., Физматкнига, 2010) с. 126
  • В.В. Исаев-Иванов, Н.М. Колчанова, В.Ф. Мастеров, Д.Н. Наследов, Г.Н. Талалакин. ФТТ, 16, 1044 (1974)
  • А.А. Гуткин, Д.Н. Наследов, Э.М. Мигеррамов, М.П. Михайлова. ФТТ, 8, 2044 (1966)
  • А.С. Волков, В.В. Галаванов, А.А. Гуткин, С.Е. Кумеков. ФТП, 5, 2356 (1971)
  • Д.Н. Наследов, М.П. Михайлова, С.В. Слободчиков. ФТП, 1, 123 (1967)
  • Ж.И. Алфёров. ФТП, 32, 3 (1998)
  • Ж.И. Алфёров. Нобелевская лекция. УФН, 172 (9), 1068 (2002)
  • Ж.И. Алфёров, Р.Ф. Казаринов. А.с. СССР N 181737, приор. 1963 г
  • И.В. Грехов, Е.В. Остроумова, А.А. Рогачев, А.Ф. Шулекин. Письма ЖТФ, 17, 44 (1991)
  • F. Capasso. In: Semiconductors and Semimetals, Vol. 22, Lightwave communication technology, ed. by W.T. Tsang (AT\&T Bell Lab., Holmdel, New Jersey) [ Техника оптической связи, пер. с англ. под ред. М.А. Тришенкова (М., Мир, 1988)]
  • E.M. Dianov, V.G. Plotnichenko, G.G. Devyatykh, M.F. Churbanov, I.V. Scripachev. Infr. Phys., 29, 303 (1989)
  • J. Lukas. Infr. Phys., 25, 217 (1985)
  • М.П. Михайлова, А.А. Рогачев, И.Н. Яссиевич. ФТП, 10, 1460 (1976)
  • В.И. Корольков, М.П. Михайлова. ФТП, 17, 869 (1983)
  • А.П. Дмитриев, М.П. Михайлова, И.Н. Яссиевич. Фотоприемники и фотопреобразователи (Л., Наука, 1986) с. 67
  • M.P. Mikhailova, I.A. Andreev. In: Mid-infrared optoelectronics, ed. by A. Krier [Springer series in optical sciences] (Springer, 2006) p. 545
  • И.А. Андреев, М.А. Афраилов, А.Н. Баранов, М.В. Возницкий, М.П. Михайлова, Т.Н. Сиренко, Ю.П. Яковлев. Опт.-мех. пром-сть, 7, 19 (1991)
  • H. Kroemer, G. Griffits. IEEE Electron. Dev. Lett., 4, 20 (1983)
  • E.Y. Caine, H. Subbana, H. Kroemer, Y.L. Meltz, A.Y. Cho. Appl. Phys. Lett., 45, 1123 (1984)
  • А.Н. Баранов, Б.Е. Джуртанов, А.Н. Именков, А.А. Рогачев, Ю.М. Шерняков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 20, 2217 (1986)
  • П.С. Копьев, А.М. Монахов, Н.Н. Леденцов, А.А. Рогачев. Патент РФ N 2019895 (1989)
  • M.P. Mikhailova, A.N. Titkov. Semicond. Sci. Technol., 9, 1279 (1994).
  • J.E. Bauer, A.K. Srivastava, C.A. Burris et al. Electron. Lett., 22, 137 (1986)
  • J. Bhan, A. Joullie, H. Mani, C. Alibert, J. Benoit, A. Drossan. Proc. SPIE, 866, 127 (1987)
  • H. Dohler. Surf. Sci., 98, 108 (1980)
  • А.Н. Баранов, А.Н. Гусейнов, А.А. Рогачев, А.Н. Титков, В.Н. Чебан, Ю.П. Яковлев. Письма ЖЭТФ, 48, 378 (1988)
  • И.А. Андреев, А.Н. Баранов, М.А. Мирсагатов, М.П. Михайлова, А.А, Рогачев, Г.М. Филаретова, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 14, 173 (1988)
  • H. Sakaki, L.L. Chang, R. Ludeke, Ch.A. Chang, G.A. Sai-Halasz, L. Esaki. Appl. Phys. Lett., 31, 211 (1977)
  • М.А. Афраилов, А.Н. Баранов, А.П. Дмитриев, М.П. Михайлова, Ю.П. Сморчкова, И.Н. Тимченко, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев, И.Н. Яссиевич. ФТП, 24, 1397 (1990)
  • М.П. Михайлова, И.А. Андреев, Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, К.Д. Моисеев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 29, 678 (1995)
  • М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, Ю.П. Яковлев. ФТП, 41, 166 (2007)
  • R. Magri, A. Zunger, H. Kroemer. J. Appl. Phys., 98, 043701 (2005)
  • Т.И. Воронина,Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 30, 985 (1996)
  • К.Д. Моисеев, А.А. Ситникова, Н.Н. Фалеев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 34, 1438 (2000)
  • M.P. Mikhailova, K.D. Moiseev, Yu.P. Yakovlev. Semicond. Sci. Technol., 19, R909 (2004)
  • Т.И. Воронина, М.П. Михайлова, Т.С. Лагунова, К.Д. Моисеев, А.Е. Розов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 34, 189 (2000)
  • V.A. Berezovets, M.P. Mikhailova, K.D. Moiseev, R.V. Parfeniev, Yu.A. Yakovlev, V.I. Nizhankovskii. Phys. Stat. Sol. (a), 195, 194 (2003)
  • Н.С. Аверкиев, В.А. Березовец, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, Р.В. Парфеньев, В.И. Нижанковский, К.С. Романов. ФТТ, 46, 2083 (2004)
  • В.А. Березовец, К.Д. Моисеев, М.П. Михайлова, Р.В. Парфеньев, Ю.П. Яковлев, В.И. Нижанковский. ФНТ, 33 (2-3), 194 (2007)
  • R.V. Parfeniev, K.D. Moiseev, V.A. Berezovets, N.S. Averkiev, M.P. Mikhailova, V. Nizhankovskii, D. Kaczorowski. J. Magn. Magn. Mater., 321, 712 (2009)
  • I. Knez, R.R. Du, G. Sullivan. Phys. Rev. Lett., 107, 136603 (2011)
  • C. Liu, T.L. Hughes, X.-L. Qi, K. Wang, S.-C. Zhang. Phys. Rev. Lett., 100, 236601 (2008)
  • K.D. Moiseev, Yu.P. Yakovlev. In: MID-infrared optoelectronics, ed. by A. Krier (Springer, 2006) p. 219
  • M.P. Mikhailova, N.D. Stoyanov, O.V. Andreichuk, K.D. Moiseev, I.A. Andreev, M.A. Afrailov, Yu.P. Yakovlev. IEE Proc. Optoelectron., 149, 41 (2002)
  • B.A. Wilson. IEEE J. Quant. Electron., 24, 1763 (1988)
  • Н.Д. Стоянов, Б.Е. Журтанов. А.П. Астахова, А.Н. Именков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 37, 998 (2003)
  • Б.Е. Журтанов, Э.В. Иванов, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, А.Е. Розов, Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 27 (5), 1 (2001) (премия МАИК)
  • В.В. Романов, Э.В. Иванов, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, К.Д. Моисеев, Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 27 (14), 80 (2001)
  • И.А. Андреев, А.Н. Баранов, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, А.В. Пенцов, Ю.П. Сморчкова, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 18 (17), 50 (1992)
  • В.И. Иванов-Омский, Б.Т. Коломиец, В.А. Смирнов. Докл. АН СССР, 161, 1308 (1965)
  • T. Kuusela, J. Peura, B.A. Matveev, M.A. Remenny, N.M. Stus'. Vibrational Spectroscopy, 51, 289 (2009)
  • М.П. Михайлова, Э.В. Иванов, К.Д. Моисеев, Ю.П. Яковлев, E. Hulicius, A. Hospodkova, J. Pangrac, T. vSimevcek. ФТП, 44, 69 (2010)
  • И.А. Андреев, М.П. Михайлова, Г.Г. Коновалов, Л.В. Данилов, Е.В. Куницына, Р.Г. Левин, Б.В. Пушный, Ю.П. Яковлев. Тез. докл. XXV Междунар. науч.-техн. конф. и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения (М., Россия, 2018) т. 1, с. 73
  • М.А. Ременный, С.А. Карандашев, А.А. Климов, Н.С. Майоров, Б.А. Матвеев, А.С. Петров. Тез. докл. XXV Междунар. науч.-техн. конф. и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения (М., Россия, 2018) т. 1, с. 77
  • M. Mikhailova, N. Stoyanov, I. Andreev, B. Zhurtanov, S. Kizhaev, E. Kunitsyna, Kh. Salikhov, Yu. Yakovlev. Proc. SPIE, 6585, 658526 (2007)
  • А.Н. Баранов, А.Н. Именков, А.И. Клементенок, М.П. Михайлова, В.Л. Шутов, Ю.П. Яковлев. А.с. СССР N 141242, приор. 01.04.1988
  • К.В. Калинина, С.С. Молчанов, Н.Д. Стоянов, А.П. Астахова, Х.М. Салихов, Ю.П. Яковлев. ЖТФ, 80 (2), 99 (2010)
  • Х.М. Салихов, Н.Д. Стоянов. Альтернативная энергетика и экология, 10, 15 (2009)
  • Yu.P. Yakovlev, I.A. Andreev, S.S. Kizhaev, E.V. Kunitsyna, M.P. Mikhailova. Proc. SPIE, 6636, 66360D (2007)
  • И.А. Андреев, О.Ю. Серебренникова, Г.С. Соколовский, Е.В. Куницына, В.В. Дюделев, И.М. Гаджиев, А.Г. Дерягин, Е.А. Гребенщикова, Г.Г. Коновалов, М.П. Михайлова, Н.Д. Ильинская, В.И. Кучинский, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 36 (9), 43 (2010)
  • www.hamamatsu.com
  • И.А. Андреев, Е.В. Куницына, В.М. Лантратов, Т.В. Львова, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев. ФТП, 31, 653 (1997)
  • Lord Rayleigh. Phyl. Mag., 20, 1001 (1910)
  • A. Krier, V.V. Sherstnev, D. Wright, A.M. Monakhov, G. Hill. Electron. Lett., 39, 916 (2003)
  • A.M. Monakhov, V.V. Sherstnev, A.P. Astakhova, Yu.P. Yakovlev, G. Boissier, R. Tessier, A.N. Baranov. Appl. Phys. Lett., 94, 051102 (2009)
  • К.Д. Моисеев, Я.А. Пархоменко, Е.В. Гущина, А.В. Анкудинов, М.П. Михайлова, Н.А. Берт, Ю.П. Яковлев. ФТП, 43, 1142 (2009)
  • K. Moiseev, V. Romanov, P. Dement'ev, M. Mikhailova. J. Cryst. Growth, 318, 379 (2011)
  • Л.А. Сокура, Я.А. Пархоменко, К.Д. Моисеев, В.Н. Неведомский, Н.А. Берт. ФТП, 51, 1146 (2017)
  • В.В. Романов, М.В. Байдакова, К.Д. Моисеев. ФТП, 48, 753 (2014)
  • В.В. Романов, Э.В. Иванов, К.Д. Моисеев. ФТП, 48, 938 (2014)
  • Б.Л. Гельмонт, З.Н. Соколова, И.Н. Яссиевич. ФТП, 16, 592 (1982)
  • В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., ФТИ, 1997) с. 376
  • Г.Г. Зегря, В.А. Харченко. ЖЭТФ, 101, 327 (1992)
  • К.В. Калинина, М.П. Михайлова, Б.Е. Журтанов, Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 47, 75 (2013)
  • M.P. Mikhailova, E.V. Ivanov, L.V. Danilov, K.V. Kalinina, N.D. Stoyanov, G.G. Zegrya, Yu.P. Yakovlev, E. Hulicius, A. Hospodkova, J. Pangrac, M. Zikova. J. Appl. Phys., 112, 023108 (2012).
  • Л.В. Данилов, А.А. Петухов, М.П. Михайлова, Г.Г. Зегря, Э.В. Иванов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 50, 794 (2016)
  • M.P. Mikhailova, A.I. Veinger, I.V. Kochman, P.V. Semenikhin, K.V. Kalinina, R.V. Parfeniev, V.A. Berezovetz, A. Hospodkova, J. Pangrac, E. Hulicius. J. Nanophoton., 10, 046013 (2016)
  • М.П. Михайлова, В.А. Березовец, Р.В. Парфеньев, Л.В. Данилов, М.О. Сафончик, A. Hospodkova, J. Pangrac, E. Hulicius. ФТП, 51, 1393 (2017)
  • A. Hospodkova, J. Pangrac, E. Hulicius, F. Dominec, M.P. Mikhailova, A.I. Veinger, I.V. Kochman. J. Cryst. Growth, 464, 206 (2017)
  • S.V. Ivanov, V.A. Kaygorodov, S.V. Sorokin, B.Ya. Meltser, V.A. Solov'ev, Ya.V. Terent'ev, O.G. Lyublinskaya, K.D. Moiseev, E.A. Grebenshchikova, M.P. Mikhailova, A.A. Toropov, Yu.P. Yakovlev, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Appl. Phys. Lett., 82, 3782 (2003)
  • С.И. Кохановский, Ю.М. Макушенко, Р.П. Сейсян, Ал.Л. Эфрос, Т.В. Язева, М.А. Абдуллаев. ФТП, 25, 493 (1991)
  • А.Т. Гореленок, В.В. Мамутин, А.В. Приходько, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 20, 1488 (1986)
  • А.Т. Гореленок, А.В. Каманин, Н.М. Шмидт. Волоконно-оптич. техн., 2, 13 (1993)
  • Н.Н. Зиновьев, А.В. Андрианов, В.Ю. Некрасов, В.А. Петровский, Л.В. Беляков, О.М. Срессели, G. Hill, J.M. Chamberlain. Письма ЖТФ, 74, 105 (2001)
  • N.N. Zinov'ev, A.V. Andrianov. Appl. Phys. Lett., 95, 011114 (2009)
  • S.D. Ganichev, W. Prette. Intense Terrahertz Exitation of Semiconductors (Oxford, Oxford Univ. Press, 2006) p. 252.
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.