Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Терморезистивный полупроводниковый SiC/Si-композиционный материал

DOI: 10.21883/FTP.2019.02.47104.8962

Переводная версия: 10.1134/S1063782619020052

Брантов С.К.¹, Якимов Е.Б.²

¹Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия Institute of Solid State Physics, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Institute of Solid State Physics, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

²Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Email: brantov@issp.ac.ru

Поступила в редакцию: 18 июля 2018 г.

Выставление онлайн: 20 января 2019 г.

PDF версия

Разработан способ непрерывного выращивания слоя самосвязанных кристаллитов карбида кремния на поверхности гибкой углеродной фольги с последующей пропиткой получаемых структур расплавом кремния. На основе полученного композиционного материала изготовлены терморезисторы для температурного диапазона 900-1450 K с термочувствительностью, достигающей значения 11 350 K, способные использоваться в воздушной среде. Исследованы структурные и электрофизические характеристики упомянутого материала.

А.Г. Шашков. Терморезисторы и их применение (М., Энергия, 1967)
Ю.В. Зайцев. Полупроводниковые резисторы (М., Энергия, 1969)
И.Т. Шефтель. Терморезисторы (М., Наука, 1973)
Э.Д. Мэклин. Терморезисторы (М., Радио и связь, 1983)
Ю.В. Зайцев. Полупроводниковые термоэлектрические преобразователи (М., Радио и связь, 1985)
Э.Г. Бондаренко, Э.С. Чеботарева, А.Я. Олеск, Я.В. Малышева, Я.В. Павлоцкий. Патент RU2073274 (1997)
J.C. Boivin, D. Thomas. Sol. St. Ionies, 5, 523 (1981)
М.Н. Матвеев, Н.С. Липкина, М.А. Кожух. Патент SU1737523 (1992)
E.G. Acheson. Patent US492767 (1893)
A.V. Bazhenov, S.K. Brantov, A.A. Kolchin, N.N. Kuznetzov, V.N. Zverev. Composites Sci. Technol., 64, 1203 (2004)
А.В. Романов, В.М. Пузиков, Е.П. Голубова, В.Н. Баумер, М.В. Добротворская. ФТП, 43 (5), 714 (2016)
Th. Ullmann, H. Hald, A. Gulhan, H. Schneider. High Temperature Ceramic Matrix Composites, 5, 519 (2004)
S.K. Brantov, D.N. Borisenko, I.M. Shmyt'ko, E.A. Steinman. Recent Patents Mater. Sci., 6 (3), 253 (2013)
С.К. Брантов. Патент RU2540668 (2015)
С.К. Брантов, В.С. Ефремов. Патент RU144172 (2014)
S.K. Brantov. Recent Patents Mater. Sci., 6 (2), 140 (2013)
П.А. Киреев. Физика полупроводников (М., Высш. шк., 1969)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель