Марков Л.К.1, Павлюченко А.С.1, Смирнова И.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: l.markov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 19 июня 2018 г.
Выставление онлайн: 20 января 2019 г.
Рассмотрен способ создания прозрачных проводящих пленок оксида индия и олова для применений, предполагающих большие значения плотностей токов. Такие пленки должны сочетать в себе хорошую поверхностную проводимость с повышенным коэффициентом пропускания излучения в широком диапазоне длин волн. Предлагается двустадийный процесс создания покрытий: на первом этапе формируется плотная пленка оксида индия и олова с хорошей электрической проводимостью, а в дальнейшем наносится дополнительный просветляющий слой этого же материала. Исследовались возможные способы оптимизации свойств таких, дополнительных, пленок оксида индия и олова, полученных путем создания наноструктурированных самоорганизующихся покрытий на поверхности плотных пленок. Показано, что наилучший вывод света в широком диапазоне длин волн обеспечивает метод комбинированного нанесения пленок, заключающийся в создании самоорганизующихся наноструктурированных покрытий методом электронно-лучевого испарения на горячую подложку и дальнейшем заращивании пустот методом магнетронного распыления при комнатной температуре. Поскольку оптические свойства получаемых просветляющих покрытий зависят от соотношения масс вещества, осаждаемых на каждой стадии их нанесения, метод позволяет оптимизировать свойства пленок, исходя из задач, поставленных сферой их применения. Компьютерное моделирование характера распределения материала в структуре исследованных покрытий подтверждает способность метода комбинированного нанесения пленок создавать наиболее плавный характер изменения эффективного показателя преломления в структуре покрытия, приводящий к максимальному выводу света оптического диапазона.
- R.H. Horng, C.C. Yang, J.Y. Wu, S.H. Huang, C.E. Lee, D.S. Wuu. Appl. Phys. Lett., 86, 221101 (2005)
- Y.C. Lee, C.E. Lee, T.C. Lu, H.C. Kuo, S.C. Wang. Semicond. Sci. Technol., 23, 045013 (2008)
- Paul G.O'Brien, Yang Yang, Alongkarn Chutinan, Pratish Mahtani, Keith Leong, Daniel P. Puzzo, Leonardo D. Bonifacio, Chen-Wei Lin, Geoffrey A.Ozin, Nazir P. Kherani. Solar Energy Mater. \& Solar Cells, 102, 173 (2012)
- Joong-Yeon Cho, Kyeong-Jae Byeon, Heon Lee. Optics Lett., 36, 3203 (2011)
- Paul G. O'Brien, Daniel P. Puzzo, Alongkarn Chutinan, Leonardo D. Bonifacio, Geoffrey A. Ozin, Nazir P. Kherani. Adv. Mater., 22, 611 (2010)
- J.T. Leonard, D.A. Cohen, B.P. Yonkee, R.M. Farrell, S.P. DenBaars, J.S. Speck, S. Nakamura. J. Appl. Phys., 118, 145304 (2015)
- Jong Kyu Kim, Thomas Gessmann, E. Fred Schubert, J.-Q. Xi, Hong Luo Jaehee Cho, Cheolsoo Sone, Yongjo Park. Appl. Phys. Lett., 88, 013501 (2006)
- Martin F. Schubert, J.-Q. Xi, Jong Kyu Kim, E. Fred Schubert. Appl. Phys. Lett., 90, 141115 (2007)
- Jong Kyu Kim, Sameer Chhajed, Martin F. Schubert, E. Fred Schubert, Arthur J. Fischer, Mary H. Crawford, Jaehee Cho, Hyunsoo Kim, Cheolsoo Sone. Adv. Mater., 20, 801 (2008)
- K. Robbie, L.J. Friedrich, S.K. Dew, T. Smy, M.J. Brett. J. Vac. Sci. Technol. A, 13, 1032 (1995)
- X.Y. Xue, Y.J. Chen, Y.G. Liu, S.L. Shi, Y.G. Wang, T.H. Wanga. Appl. Phys. Lett., 88, 201907 (2006)
- A.J. Chiquito, A.J.C. Lanfredi, E.R. Leite. J. Phys. D: Appl. Phys., 41, 045106 (2008)
- Hak Ki Yu, Wan Jae Dong, Gwan Ho Jung, Jong-Lam Lee. ACS Nano, 5, 8026 (2011)
- R. Rakesh Kumar, Venkateswarlu Gaddam, K. Narasimha Rao, K. Rajanna. Mater. Res. Express, 1, 035008 (2014)
- Grazielle O. Setti, Dosil P. de Jesus, Ednan Joanni. Mater. Res. Express, 3, 105021 (2016)
- A.L. Beaudry, R.T. Tucker, J.M. La Forge, M.T. Taschuk, M.J. Brett. Nanotechnology, 23, 105608 (2012)
- Hak Ki Yu, Jong-Lam Lee. Scientific Rep., 4, Article number: 6589 (2014)
- Gang Meng, Takeshi Yanagida, Kazuki Nagashima, Hideto Yoshida, Masaki Kanai, Annop Klamchuen, Fuwei Zhuge, Yong He, Sakon Rahong, Xiaodong Fang, Seiji Takeda, Tomoji Kawai. J. Am. Chem. Soc., 135, 7033 (2013)
- Zhina Gong, Qiang Li, Yufeng Li, Han Xiong, Hao Liu, Shuai Wang, Ye Zhang, Maofeng Guo, Feng Yun. Appl. Phys. Express, 9, 082102 (2016)
- Min Joo Park, Chan Ul Kim, Sung Bum Kang, Sang Hyuk Won, Joon Seop Kwak, Chil-Min Kim, Kyoung Jin Choi. Adv. Optical Mater., 5, 1600684 (2017)
- J.W.S. Rayleigh, Proc. London Math. Soc., 11, 51 (1880)
- P.H. Berning. J. Opt. Soc. Am., 52 (4), 431 (1962)
- Sameer Chhajed, Martin F. Schubert, Jong Kyu Kim, E. Fred Schubert. Appl. Phys. Lett., 93, 251108 (2008)
- A. Mahdjoub, L. Zighed. Thin Sol. Films, 478, 299 (2005)
- Tolga Aytug, Andrew R. Lupini, Gerald E. Jellison, Pooran C. Joshi, Ilia H. Ivanov, Tao Liu, Peng Wang, Rajesh Menon, Rosa M. Trejo, Edgar Lara-Curzio, Scott R. Hunter, John T. Simpson, M. Parans Paranthaman, David K. Christen. J. Mater. Chem. C, 3, 5440 (2015)
- J.-Q. Xi, Martin F. Schubert, Jong Kyu Kim, E. Fred Schubert, Minfeng Chen, Shawn-Yu Lin, W. Liu, J.A. Smart. Nature Photonics, 1, 176 (2007)
- И.П. Смирнова, Л.К. Марков, А.С. Павлюченко, М.В. Кукушкин, С.И. Павлов. ФТП, 48, 61 (2014)
- Naoki Yamamoto, Kirihiko Morisawa, Junnosuke Murakami, Yasuhiro Nakatan. ECS Solid State Lett., 3, 84 (2014)
- Л.К. Марков, И.П. Смирнова, А.С. Павлюченко, М.В. Кукушкин, Д.А. Закгейм, С.И. Павлов. ФТП, 50, 1001 (2016)
- W. Cai, V. Shalaev. Optical Metamaterials: Fundamentals and Applications (Springer Science \& Business Media, Dec. 1, 2009 --- Technology \& Engineering)
- В.И. Оделевский. ЖТФ, 21Б (6), 678 (1951)
- Л.К. Марков, А.С. Павлюченко, И.П. Смирнова, С.И. Павлов. ФТП, 10, 1228 (2018)
- Shi Qiang Li, Peijun Guo, Lingxiao Zhang, Wei Zhou, Teri W. Odom, Tamar Seideman, John B. Ketterson, Robert P.H. Chang. ACS Nano, 5, 9161 (2011)
- Peijun Guo, Richard D. Schaller, Leonidas E. Ocola, Benjamin T. Diroll, John B. Ketterson \& Robert P.H. Chang. Nature Commun., 7, Article number: 12892 (2016).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.