"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О природе повышения подвижности электронов в канале инверсии у границы раздела кремний-окисел после полевого воздействия
Переводная версия: 10.1134/S1063782619010093
Гольдман Е.И. 1, Набиев А.Э.2, Нарышкина В.Г.1, Чучева Г.В. 1
1Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия
2Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан
Email: gvc@ms.ire.rssi.ru
Поступила в редакцию: 12 марта 2018 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2018 г.

В диапазоне значений индукции поперечного магнитного поля 0-5 Тл при температурах от 100 до 200 K проведены измерения характеристик проводимости канала инверсии Si-транзисторных структур после ионной поляризации и деполяризации образцов. После ионной поляризации при температуре 420 K под действием сильного электрического поля в окисле перетекало не менее 6·1013 см-2 ионов. Обнаруженное ранее повышение проводимости в цепи исток-сток после поляризации изолирующих слоев до 10 раз объяснено образованием нового пути электропереноса по поверхностной примесной зоне, связанной с делокализованными D--состояниями, которые генерируются нейтрализованными ионами, расположенными в изолирующем слое у границы раздела с полупроводником.
  1. E.H. Nicollian, I.R. Brews. MOS ( Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology (N.Y., John Willey @ Sons, 1982)
  2. A. Hartstein, A.B. Fowler. Phys. Rev. Lett., 34, 1435 (1975)
  3. Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985)
  4. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан. Письма ЖТФ, 29 (1), 38 (2000)
  5. Е.И. Гольдман, Ю.В. Гуляев, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. Микроэлектроника, 30 (5), 364 (2001)
  6. Ю.В. Гуляев, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ФТП, 41 (3), 368 (2007)
  7. А.Г. Ждан, В.Г. Нарышкина, Г.В. Чучева. ФТП, 43 (5), 705 (2009)
  8. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ПТЭ, 6, 110 (1997)
  9. Криомагнитная безжидкостная система с индукцией 8 Тл (М., ЗАО "РТИ, технологии, приборы, материалы", 2012)
  10. T. Hino, K. Yamashita. J. Appl. Phys., 50 (7), 4879 (1979)
  11. D.J. DiMaria. J. Appl. Phys., 52 (12), 7251 (1981)
  12. E.I. Goldman, A.G. Zhdan, G.V. Chucheva. J. Appl. Phys., 89 (1), 130 (2001)
  13. В.Н. Добровольский, В.Г. Литовченко. Перенос электронов и дырок у поверхности полупроводников (Киев, Наук. думка, 1985)
  14. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука ФМ, 1979)
  15. T. Ferrus, R. George, C.H.W. Barnes, N. Lumpkin, D.J. Paul, M. Pepper. Phys. Rev. B, 73 (4), Rapid Communication 041304 (2006)
  16. T. Ferrus, R. George, C.H.W. Barnes, N. Lumpkin, D.J. Paul, M. Pepper. Physica B, 400 (1-2), 218 (2007)
  17. T. Ferrus, R. George, C.H.W. Barnes, N. Lumpkin, D.J. Paul, M. Pepper. J. Phys.: Condens. Matter, 19 (22), 226216 (2007)
  18. T. Ferrus, R. George, C.H.W. Barnes, M. Pepper. Appl. Phys. Lett., 97 (14), 142108 (2010)
  19. Е.М. Гершензон, А.П. Мельников, Р.И. Рабинович, Н.А. Серебрякова. УФН, 132 (2), 353 (1980)
  20. Ю.В. Гуляев, А.Г. Ждан, В.Г. Приходько. Препринт ИРЭ РАН N 46 (М., 1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.