"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
О природе повышения подвижности электронов в канале инверсии у границы раздела кремний-окисел после полевого воздействия
Переводная версия: 10.1134/S1063782619010093
Гольдман Е.И. 1, Нарышкина В.Г.1, Чучева Г.В. 1, Набиев А.Э.2
1Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия
2Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан
Email: gvc@ms.ire.rssi.ru
Поступила в редакцию: 12 марта 2018 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2018 г.

В диапазоне значений индукции поперечного магнитного поля 0-5 Тл при температурах от 100 до 200 K проведены измерения характеристик проводимости канала инверсии Si-транзисторных структур после ионной поляризации и деполяризации образцов. После ионной поляризации при температуре 420 K под действием сильного электрического поля в окисле перетекало не менее 6·1013 см-2 ионов. Обнаруженное ранее повышение проводимости в цепи исток-сток после поляризации изолирующих слоев до 10 раз объяснено образованием нового пути электропереноса по поверхностной примесной зоне, связанной с делокализованными D--состояниями, которые генерируются нейтрализованными ионами, расположенными в изолирующем слое у границы раздела с полупроводником.
  • E.H. Nicollian, I.R. Brews. MOS ( Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology (N.Y., John Willey @ Sons, 1982)
  • A. Hartstein, A.B. Fowler. Phys. Rev. Lett., 34, 1435 (1975)
  • Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985)
  • Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан. Письма ЖТФ, 29 (1), 38 (2000)
  • Е.И. Гольдман, Ю.В. Гуляев, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. Микроэлектроника, 30 (5), 364 (2001)
  • Ю.В. Гуляев, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ФТП, 41 (3), 368 (2007)
  • А.Г. Ждан, В.Г. Нарышкина, Г.В. Чучева. ФТП, 43 (5), 705 (2009)
  • Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ПТЭ, 6, 110 (1997)
  • Криомагнитная безжидкостная система с индукцией 8 Тл (М., ЗАО "РТИ, технологии, приборы, материалы", 2012)
  • T. Hino, K. Yamashita. J. Appl. Phys., 50 (7), 4879 (1979)
  • D.J. DiMaria. J. Appl. Phys., 52 (12), 7251 (1981)
  • E.I. Goldman, A.G. Zhdan, G.V. Chucheva. J. Appl. Phys., 89 (1), 130 (2001)
  • В.Н. Добровольский, В.Г. Литовченко. Перенос электронов и дырок у поверхности полупроводников (Киев, Наук. думка, 1985)
  • Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука ФМ, 1979)
  • T. Ferrus, R. George, C.H.W. Barnes, N. Lumpkin, D.J. Paul, M. Pepper. Phys. Rev. B, 73 (4), Rapid Communication 041304 (2006)
  • T. Ferrus, R. George, C.H.W. Barnes, N. Lumpkin, D.J. Paul, M. Pepper. Physica B, 400 (1-2), 218 (2007)
  • T. Ferrus, R. George, C.H.W. Barnes, N. Lumpkin, D.J. Paul, M. Pepper. J. Phys.: Condens. Matter, 19 (22), 226216 (2007)
  • T. Ferrus, R. George, C.H.W. Barnes, M. Pepper. Appl. Phys. Lett., 97 (14), 142108 (2010)
  • Е.М. Гершензон, А.П. Мельников, Р.И. Рабинович, Н.А. Серебрякова. УФН, 132 (2), 353 (1980)
  • Ю.В. Гуляев, А.Г. Ждан, В.Г. Приходько. Препринт ИРЭ РАН N 46 (М., 1990)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.