Представлены результаты экспериментальных исследований мемристорного эффекта и влияния режимов отжига на электрофизические свойства нанокристаллических пленок оксида цинка, полученных методом импульсного лазерного осаждения. Показана возможность получения нанокристаллических пленок оксида цинка методом импульсного лазерного осаждения в широком диапазоне электрических (удельное сопротивление от 1.44·10^-5 до 8.06·10^-1 Ом·см) и морфологических (шероховатость от 0.43±0.32 до 6.36±0.38 нм) параметров, за счет использования послеростового отжига в атмосфере кислорода (давление 10^-1 и 10^-3 Торр, температура 300 и 800^oC, длительность от 1 до 10 ч). Показано, что нанокристаллическая пленка оксида цинка толщиной 58±2 нм проявляет стабильный мемристорный эффект, слабозависящий от ее морфологии - приложение напряжения -2.5 и +4 В приводит к переключению между состояниями с сопротивлением 3.3±1.1·10⁹ и 8.1±3.4·10⁷ Ом соответственно. Полученные результаты могут быть использованы при разработке конструкций и технологических процессов изготовления элементов резистивной памяти на основе мемристорного эффекта, а также приборов опто-, микро-, наноэлектроники и наносистемной техники.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.