"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование мемристорного эффекта в нанокристаллических пленках ZnO
Переводная версия: 10.1134/S1063782619010202
РФФИ, мол_а, 16-32- 00069
Совет по грантам президента РФ, МК, МК-2721.2018.8
Южный Федеральный Университет (внутренний грант), ВнГр, ВнГр-07/2017-02
Южный Федеральный Университет (внутренний грант), ВнГр, ВнГр-07/2017-26
Смирнов В.А. 1, Томинов Р.В. 1, Авилов В.И. 1, Алябьева Н.И. 2, Вакулов З.Е. 1, Замбург Е.Г. 1, Хахулин Д.А. 1, Агеев О.А. 1
1Южный федеральный университет, Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения, Таганрог, Россия
2University of Paris-Sud, Orsay cedex, France
Email: ttismirnov@gmail.com, roman.tominov@gmail.com, avir89@yandex.ru, zakhar.vakulov@gmail.com, zamburg.evgeniy@gmail.com, khakhulin.d.a@gmail.com, ageevoa@gmail.com
Поступила в редакцию: 25 июня 2018 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2018 г.

Представлены результаты экспериментальных исследований мемристорного эффекта и влияния режимов отжига на электрофизические свойства нанокристаллических пленок оксида цинка, полученных методом импульсного лазерного осаждения. Показана возможность получения нанокристаллических пленок оксида цинка методом импульсного лазерного осаждения в широком диапазоне электрических (удельное сопротивление от 1.44·10-5 до 8.06·10-1 Ом·см) и морфологических (шероховатость от 0.43±0.32 до 6.36±0.38 нм) параметров, за счет использования послеростового отжига в атмосфере кислорода (давление 10-1 и 10-3 Торр, температура 300 и 800oC, длительность от 1 до 10 ч). Показано, что нанокристаллическая пленка оксида цинка толщиной 58±2 нм проявляет стабильный мемристорный эффект, слабозависящий от ее морфологии --- приложение напряжения -2.5 и +4 В приводит к переключению между состояниями с сопротивлением 3.3±1.1·109 и 8.1±3.4·107 Ом соответственно. Полученные результаты могут быть использованы при разработке конструкций и технологических процессов изготовления элементов резистивной памяти на основе мемристорного эффекта, а также приборов опто-, микро-, наноэлектроники и наносистемной техники.
  1. D. Strukov, G. Snider, D. Stewart. Nature, 453, 80 (2008)
  2. B. Chagaan, P. Wolfgang, R. Tamas. Cellular Nanoscale Sensory Wave Computing, 1st edn (US, Springer, 2010)
  3. C. Kugeler, R. Rosezin, E. Linn. Appl. Phys., 102, 791 (2011)
  4. W.Y. Chang, Y.C. Lai, T.B. Wu. Appl. Phys. Lett., 92, 022110 (2008)
  5. Y. Zhang, Z. Duan, R. Li, C.J. Ku. Appl. Phys., 46, 145101 (2013)
  6. O. Ageev, E. Zamburg, D. Vakulov, Z. Vakulov, A. Shumov, M. Ivonin. Appl. Mechanics and Materials, 475, 446 (2014)
  7. C. Jagadish, S. Pearton. Zinc Oxide Bulk, Thin Films and Nanostructures Processing, Properties, and Applications (Elsevier, 2006)
  8. O. Ageev, D. Golosov, E. Zamburg, A. Alexeev, D. Vakulov, Z. Vakulov, A. Shumov, M. Ivonin. Appl. Mechanics and Materials, 481, 55 (2014)
  9. V. Avilov, O. Ageev, A. Kolomiitsev, V. Smirnov, O. Tsukanova. Semiconductors, 48 (13), 1757 (2014)
  10. B. Bhushan. Springer Handbook of Nanotechnology (Springer, 2010)
  11. O. Ageev, B. Konoplev, V. Smirnov. Semiconductors, 44 (13), 1703 (2010)
  12. O. Ageev, B. Konoplev, V. Smirnov. Russian Microelectronics, 36 (6), 353 (2007)
  13. A. Janotti, C. Walle. Phys. Rev., 76, 165202 (2007)
  14. B.J. Choi, D.S. Jeong, S.K. Kim, C. Rohde, S. Choi. J. Appl. Phys., 98, 033715 (2005)
  15. N. Xu, L. Liu, X. Sun, X. Liu, D. Han. Appl. Phys. Lett., 92, 232112 (2008)
  16. M.Z. Lin, C.T. Su, H.C. An. Jpn. J. Appl. Phys., 44 (31), 995 (2005)
  17. M.H. Lee, K.M. Kim, S.J. Song. Appl. Phys. A, 102, 827 (2011)
  18. O. Ageev, Y. Blinov, O. Ilin, A. Kolomiitsev, B. Konoplev, M. Rubashkina, V. Smirnov, A. Fedotov. Techn. Phys., 58 (12), 1831 (2013)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.