"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование мемристорного эффекта в нанокристаллических пленках ZnO
РФФИ, мол_а, 16-32- 00069
Совет по грантам президента РФ, МК, МК-2721.2018.8
Южный Федеральный Университет (внутренний грант), ВнГр, ВнГр-07/2017-02
Южный Федеральный Университет (внутренний грант), ВнГр, ВнГр-07/2017-26
Смирнов В.А. 1, Томинов Р.В. 1, Авилов В.И. 1, Алябьева Н.И. 2, Вакулов З.Е. 1, Замбург Е.Г. 1, Хахулин Д.А. 1, Агеев О.А. 1
1Южный федеральный университет, Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения, Таганрог, Россия
2University of Paris-Sud, Orsay cedex, France
Email: ttismirnov@gmail.com, roman.tominov@gmail.com, avir89@yandex.ru, zakhar.vakulov@gmail.com, zamburg.evgeniy@gmail.com, khakhulin.d.a@gmail.com, ageevoa@gmail.com
Поступила в редакцию: 25 июня 2018 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2018 г.

Представлены результаты экспериментальных исследований мемристорного эффекта и влияния режимов отжига на электрофизические свойства нанокристаллических пленок оксида цинка, полученных методом импульсного лазерного осаждения. Показана возможность получения нанокристаллических пленок оксида цинка методом импульсного лазерного осаждения в широком диапазоне электрических (удельное сопротивление от 1.44·10-5 до 8.06·10-1 Ом·см) и морфологических (шероховатость от 0.43±0.32 до 6.36±0.38 нм) параметров, за счет использования послеростового отжига в атмосфере кислорода (давление 10-1 и 10-3 Торр, температура 300 и 800oC, длительность от 1 до 10 ч). Показано, что нанокристаллическая пленка оксида цинка толщиной 58±2 нм проявляет стабильный мемристорный эффект, слабозависящий от ее морфологии --- приложение напряжения -2.5 и +4 В приводит к переключению между состояниями с сопротивлением 3.3±1.1·109 и 8.1±3.4·107 Ом соответственно. Полученные результаты могут быть использованы при разработке конструкций и технологических процессов изготовления элементов резистивной памяти на основе мемристорного эффекта, а также приборов опто-, микро-, наноэлектроники и наносистемной техники.
  • D. Strukov, G. Snider, D. Stewart. Nature, 453, 80 (2008)
  • B. Chagaan, P. Wolfgang, R. Tamas. Cellular Nanoscale Sensory Wave Computing, 1st edn (US, Springer, 2010)
  • C. Kugeler, R. Rosezin, E. Linn. Appl. Phys., 102, 791 (2011)
  • W.Y. Chang, Y.C. Lai, T.B. Wu. Appl. Phys. Lett., 92, 022110 (2008)
  • Y. Zhang, Z. Duan, R. Li, C.J. Ku. Appl. Phys., 46, 145101 (2013)
  • O. Ageev, E. Zamburg, D. Vakulov, Z. Vakulov, A. Shumov, M. Ivonin. Appl. Mechanics and Materials, 475, 446 (2014)
  • C. Jagadish, S. Pearton. Zinc Oxide Bulk, Thin Films and Nanostructures Processing, Properties, and Applications (Elsevier, 2006)
  • O. Ageev, D. Golosov, E. Zamburg, A. Alexeev, D. Vakulov, Z. Vakulov, A. Shumov, M. Ivonin. Appl. Mechanics and Materials, 481, 55 (2014)
  • V. Avilov, O. Ageev, A. Kolomiitsev, V. Smirnov, O. Tsukanova. Semiconductors, 48 (13), 1757 (2014)
  • B. Bhushan. Springer Handbook of Nanotechnology (Springer, 2010)
  • O. Ageev, B. Konoplev, V. Smirnov. Semiconductors, 44 (13), 1703 (2010)
  • O. Ageev, B. Konoplev, V. Smirnov. Russian Microelectronics, 36 (6), 353 (2007)
  • A. Janotti, C. Walle. Phys. Rev., 76, 165202 (2007)
  • B.J. Choi, D.S. Jeong, S.K. Kim, C. Rohde, S. Choi. J. Appl. Phys., 98, 033715 (2005)
  • N. Xu, L. Liu, X. Sun, X. Liu, D. Han. Appl. Phys. Lett., 92, 232112 (2008)
  • M.Z. Lin, C.T. Su, H.C. An. Jpn. J. Appl. Phys., 44 (31), 995 (2005)
  • M.H. Lee, K.M. Kim, S.J. Song. Appl. Phys. A, 102, 827 (2011)
  • O. Ageev, Y. Blinov, O. Ilin, A. Kolomiitsev, B. Konoplev, M. Rubashkina, V. Smirnov, A. Fedotov. Techn. Phys., 58 (12), 1831 (2013)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.