Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние буферного слоя por-Si на оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур InxGa1-xN/Si(111) с наноколончатой морфологией пленки
Переводная версия: 10.1134/S1063782619010172 
Середин П.В.1, Голощапов Д.Л.1, Золотухин Д.С.1, Леньшин А.С.1, Лукин А.Н.1, Мизеров А.М.2, Никитина Е.В.2, Арсентьев И.Н.3, Leiste Harald4, Rinke Monika4
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия 
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Karlsruhe Nano Micro Facility H.-von-Helmholtz-Platz 1, Eggenstein-Leopoldshafen, Germany
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Karlsruhe Nano Micro Facility H.-von-Helmholtz-Platz 1, Eggenstein-Leopoldshafen, Germany
Email: paul@phys.vsu.ru
Поступила в редакцию: 12 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2018 г.
С использованием метода молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота на подложке монокристаллического кремния c-Si(111) и подложке с нанопористым буферным подслоем (por-Si) нами были выращены интегрированные гетероструктуры с наноколончатой морфологией пленки InxGa1-xN. С привлечением комплекса спектроскопических методов анализа было показано, что рост наноколонок InxGa1-xN на нанопористом буферном слое имеет ряд преимуществ по сравнению с ростом на c-Si. Данные pамановской и УФ-спектроскопии подтверждают рост наноколончатой структуры, а также находятся в согласии с данными рентгеновской дифракции из нашей предыдущей работы о том, что слой InxGa1-xN находится в напряженном, нерелаксированном состоянии. Рост наноколонок InxGa1-xN на пористом слое Si положительно отражается на оптических свойствах гетероструктур. При неизменной полуширине эмиссионной линии в спектре ФЛ интенсивность квантового выхода от образца гетероструктуры, выращенной на пористом буферном слое Si, выше на величину ~25%, чем интенсивность от пленки, выращенной на кристаллическом кремнии.
- J.E. Van Nostrand, K.L. Averett, R. Cortez, J. Boeckl, C.E. Stutz, N.A. Sanford, A.V. Davydov, J.D. Albrecht. J. Cryst. Growth, 287, 500, (2006)
- K. Kishino, A. Kikuchi, H. Sekiguchi, S. Ishizawa. In: H. Morkoc, C.W. Litton (eds). Proc. Integrated Optoelectron. Dev. (San Jose, California, US, 2007) v. 6473, p. 64730
- G.F. Yang, Q. Zhang, J. Wang, Y.N. Lu, P. Chen, Z.L. Wu, S.M. Gao, G.Q. Chen. Rev. Phys., 1, 101 (2016)
- S. Albert, A. Bengoechea-Encabo, P. Lefebvre, M.A. Sanchez-Garcia, E. Calleja, U. Jahn, A. Trampert. Appl. Phys. Lett., 99, 131108 (2011)
- S. Keating, M.G. Urquhart, D.V.P. McLaughlin, J.M. Pearce. Cryst. Growth Des., 11, 565 (2011)
- W. Zhang, X. Zhang, Y. Wang, F. Hu. Optical Mater., 72, 422 (2017)
- T. Kouno, M. Sakai, K. Kishino, A. Kikuchi, N. Umehara, K. Hara. NPG Asia Mater., 8, 1 (2016)
- F.R. Hu, K. Ochi, Y. Zhao, K. Hane. Phys. Status Solidi C, 4, 2338 (2007)
- S. Shetty, S.M. Shivaprasad. Proc. IEEE 2nd Int. Conf. on Emerging Electronics (ICEE) (Bangalore, India, 2014) p. 1
- C. Hahn, Z. Zhang, A. Fu, C.H. Wu, Y.J. Hwang, D.J. Gargas, P. Yang. ACS Nano, 5, 3970 (2011)
- P.V. Seredin, A.S. Lenshin, D.S. Zolotukhin, I.N. Arsentyev, A.V. Zhabotinskiy, D.N. Nikolaev. Phys. E. Low-Dim. Syst. Nanostructur., 97, 218 (2018)
- P.V. Seredin, A.S. Lenshin, D.S. Zolotukhin, I.N. Arsentyev, D.N. Nikolaev, A.V. Zhabotinskiy. J. Phys. B: Condens. Matter, 530, 30 (2018)
- P.V. Seredin, A.S. Lenshin, V.M. Kashkarov, A.N. Lukin, I.N. Arsentiev, A.D. Bondarev, I.S. Tarasov. Mater. Sci. Semicond. Process., 39, 551 (2015)
- A.S. Lenshin, P.V. Seredin, B.L. Agapov, D.A. Minakov, V.M. Kashkarov. Mater. Sci. Semicond. Process., 30, 25 (2015)
- A.S. Len'shin, V.M. Kashkarov, P.V. Seredin, B.L. Agapov, D.A. Minakov, V.N. Tsipenyuk, E.P. Domashevskaya. Techn. Phys., 59, 224 (2014)
- V.M. Kashkarov, A.S. Len'shin, P.V. Seredin, B.L. Agapov, V.N. Tsipenuk. J. Surf. Investig. X-ray Synchrotron Neutron Techn., 6, 776 (2012)
- P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Phys. B. Condens. Matter, 405, 2694 (2010)
- P.V. Seredin, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, A.L. Stankevich. Semiconductors, 47, 7 (2013)
- S. Lazic, E. Gallardo, J.M. Calleja, F. Agullo-Rueda, J. Grandal, M.A. Sanchez-Garcia, E. Calleja. Phys. E: Low-Dim. Syst. Nanostructur., 40, 2087 (2008)
- E. San Andres, A. del Prado, F.L. Marti nez, I. Martil, D. Bravo, F.J. Lopez. J. Appl. Phys., 87, 1187 (2000)
- M.R. Correia, S. Pereira, E. Pereira, J. Frandon, E. Alves. Appl. Phys. Lett., 83, 4761 (2003)
- R.J. Briggs, A.K. Ramdas. Phys. Rev. B, 13, 5518 (1976)
- L. Teng, R. Zhang, Z.-L. Xie, T. Tao, Z. Zhang, Y.-C. Li, B. Liu, P. Chen, P. Han, Y.-D. Zheng. Chin. Phys. Lett., 29, 027803 (2012)
- M.R. Correia, S. Pereira, J. Frandon, M.A. Renucci, E. Alves, A.D. Sequeira, N. Franco. Phys. Status Solidi C, 0, 563 (2003)
- M. Wolz, M. Ramsteiner, V.M. Kaganer, O. Brandt, L. Geelhaar, H. Riechert. Nano Lett., 13, 4053 (2013)
- P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, A.S. Lenshin, M.S. Smirnov, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, A.L. Stankevich, I.S. Tarasov. Semiconductors, 46, 719 (2012)
- P.V. Seredin, A.S. Lenshin, A.V. Glotov, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov, T. Prutskij, H. Leiste, M. Rinke. Semiconductors, 48, 1094 (2014)
- K.P. O'Donnell, J.F.W. Mosselmans, R.W. Martin, S. Pereira, M.E. White. J. Phys. Condens. Matter, 13, 6977 (2001)
- V.A. Volodin, M.D. Efremov, V.Y. Prints, V.V. Preobrazhenskii, B.R. Semyagin, A.O. Govorov. J. Exp. Theor. Phys. Lett., 66, 47 (1997)
- P.V. Seredin, V.M. Kashkarov, I.N. Arsentyev, A.D. Bondarev, I.S. Tarasov. Phys. B. Condens. Matter, 495, 54 (2016)
- P.V. Seredin, A.S. Lenshin, D.L. Goloshchapov, A.N. Lukin, I.N. Arsentyev, A.D. Bondarev, I.S. Tarasov. Semiconductors, 49, 915 (2015)
- A.B. Kuzmenko. Rev. Sci. Instrum., 76, 83 (2005)
- V. Lucarini, K.-E. Peiponen, Jarkko J.J. Saarinen, E.M. Vartiainen. Kramers-Kronig relations in optical materials research, ed. by W.T. Rhodes (Berlin-N.Y., Springer, 2005) v. 110
- Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
- S.V. Deshpande, E. Gulari, S.W. Brown, S.C. Rand. J. Appl. Phys., 77, 6534 (1995)
- P. Specht, J.C. Ho, X. Xu, R. Armitage, E.R. Weber, R. Erni, C. Kisielowski. Sol. St. Commun., 135, 340 (2005)
- J. Tauc. Optical properties of semiconductors in the visible and ultra-volet ranges. Prog Semicond (Heywood London), 9, 87 (1965).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
