Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2019, выпуск 1 » Статья стр. 70
<<<>>>
Влияние буферного слоя por-Si  на оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур InxGa1-xN/Si(111) с наноколончатой морфологией пленки
DOI: 10.21883/FTP.2019.01.46990.8889
Переводная версия: 10.1134/S1063782619010172
Середин П.В.1, Голощапов Д.Л.1, Золотухин Д.С.1, Леньшин А.С.1, Лукин А.Н.1, Мизеров А.М.2, Никитина Е.В.2, Арсентьев И.Н.3, Leiste Harald4, Rinke Monika4
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Karlsruhe Nano Micro Facility H.-von-Helmholtz-Platz 1, Eggenstein-Leopoldshafen, Germany
Email: paul@phys.vsu.ru
Поступила в редакцию: 12 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2018 г.
PDF версия
С использованием метода молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота на подложке монокристаллического кремния c-Si(111) и подложке с нанопористым буферным подслоем (por-Si) нами были выращены интегрированные гетероструктуры с наноколончатой морфологией пленки InxGa1-xN. С привлечением комплекса спектроскопических методов анализа было показано, что рост наноколонок InxGa1-xN на нанопористом буферном слое имеет ряд преимуществ по сравнению с ростом на c-Si. Данные pамановской и УФ-спектроскопии подтверждают рост наноколончатой структуры, а также находятся в согласии с данными рентгеновской дифракции из нашей предыдущей работы о том, что слой InxGa1-xN находится в напряженном, нерелаксированном состоянии. Рост наноколонок InxGa1-xN на пористом слое Si положительно отражается на оптических свойствах гетероструктур. При неизменной полуширине эмиссионной линии в спектре ФЛ интенсивность квантового выхода от образца гетероструктуры, выращенной на пористом буферном слое Si, выше на величину ~25%, чем интенсивность от пленки, выращенной на кристаллическом кремнии.
  1. J.E. Van Nostrand, K.L. Averett, R. Cortez, J. Boeckl, C.E. Stutz, N.A. Sanford, A.V. Davydov, J.D. Albrecht. J. Cryst. Growth, 287, 500, (2006)
  2. K. Kishino, A. Kikuchi, H. Sekiguchi, S. Ishizawa. In: H. Morkoc, C.W. Litton (eds). Proc. Integrated Optoelectron. Dev. (San Jose, California, US, 2007) v. 6473, p. 64730
  3. G.F. Yang, Q. Zhang, J. Wang, Y.N. Lu, P. Chen, Z.L. Wu, S.M. Gao, G.Q. Chen. Rev. Phys., 1, 101 (2016)
  4. S. Albert, A. Bengoechea-Encabo, P. Lefebvre, M.A. Sanchez-Garcia, E. Calleja, U. Jahn, A. Trampert. Appl. Phys. Lett., 99, 131108 (2011)
  5. S. Keating, M.G. Urquhart, D.V.P. McLaughlin, J.M. Pearce. Cryst. Growth Des., 11, 565 (2011)
  6. W. Zhang, X. Zhang, Y. Wang, F. Hu. Optical Mater., 72, 422 (2017)
  7. T. Kouno, M. Sakai, K. Kishino, A. Kikuchi, N. Umehara, K. Hara. NPG Asia Mater., 8, 1 (2016)
  8. F.R. Hu, K. Ochi, Y. Zhao, K. Hane. Phys. Status Solidi C, 4, 2338 (2007)
  9. S. Shetty, S.M. Shivaprasad. Proc. IEEE 2nd Int. Conf. on Emerging Electronics (ICEE) (Bangalore, India, 2014) p. 1
  10. C. Hahn, Z. Zhang, A. Fu, C.H. Wu, Y.J. Hwang, D.J. Gargas, P. Yang. ACS Nano, 5, 3970 (2011)
  11. P.V. Seredin, A.S. Lenshin, D.S. Zolotukhin, I.N. Arsentyev, A.V. Zhabotinskiy, D.N. Nikolaev. Phys. E. Low-Dim. Syst. Nanostructur., 97, 218 (2018)
  12. P.V. Seredin, A.S. Lenshin, D.S. Zolotukhin, I.N. Arsentyev, D.N. Nikolaev, A.V. Zhabotinskiy. J. Phys. B: Condens. Matter, 530, 30 (2018)
  13. P.V. Seredin, A.S. Lenshin, V.M. Kashkarov, A.N. Lukin, I.N. Arsentiev, A.D. Bondarev, I.S. Tarasov. Mater. Sci. Semicond. Process., 39, 551 (2015)
  14. A.S. Lenshin, P.V. Seredin, B.L. Agapov, D.A. Minakov, V.M. Kashkarov. Mater. Sci. Semicond. Process., 30, 25 (2015)
  15. A.S. Len'shin, V.M. Kashkarov, P.V. Seredin, B.L. Agapov, D.A. Minakov, V.N. Tsipenyuk, E.P. Domashevskaya. Techn. Phys., 59, 224 (2014)
  16. V.M. Kashkarov, A.S. Len'shin, P.V. Seredin, B.L. Agapov, V.N. Tsipenuk. J. Surf. Investig. X-ray Synchrotron Neutron Techn., 6, 776 (2012)
  17. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Phys. B. Condens. Matter, 405, 2694 (2010)
  18. P.V. Seredin, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, A.L. Stankevich. Semiconductors, 47, 7 (2013)
  19. S. Lazic, E. Gallardo, J.M. Calleja, F. Agullo-Rueda, J. Grandal, M.A. Sanchez-Garcia, E. Calleja. Phys. E: Low-Dim. Syst. Nanostructur., 40, 2087 (2008)
  20. E. San Andres, A. del Prado, F.L. Marti nez, I. Martil, D. Bravo, F.J. Lopez. J. Appl. Phys., 87, 1187 (2000)
  21. M.R. Correia, S. Pereira, E. Pereira, J. Frandon, E. Alves. Appl. Phys. Lett., 83, 4761 (2003)
  22. R.J. Briggs, A.K. Ramdas. Phys. Rev. B, 13, 5518 (1976)
  23. L. Teng, R. Zhang, Z.-L. Xie, T. Tao, Z. Zhang, Y.-C. Li, B. Liu, P. Chen, P. Han, Y.-D. Zheng. Chin. Phys. Lett., 29, 027803 (2012)
  24. M.R. Correia, S. Pereira, J. Frandon, M.A. Renucci, E. Alves, A.D. Sequeira, N. Franco. Phys. Status Solidi C, 0, 563 (2003)
  25. M. Wolz, M. Ramsteiner, V.M. Kaganer, O. Brandt, L. Geelhaar, H. Riechert. Nano Lett., 13, 4053 (2013)
  26. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, A.S. Lenshin, M.S. Smirnov, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, A.L. Stankevich, I.S. Tarasov. Semiconductors, 46, 719 (2012)
  27. P.V. Seredin, A.S. Lenshin, A.V. Glotov, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov, T. Prutskij, H. Leiste, M. Rinke. Semiconductors, 48, 1094 (2014)
  28. K.P. O'Donnell, J.F.W. Mosselmans, R.W. Martin, S. Pereira, M.E. White. J. Phys. Condens. Matter, 13, 6977 (2001)
  29. V.A. Volodin, M.D. Efremov, V.Y. Prints, V.V. Preobrazhenskii, B.R. Semyagin, A.O. Govorov. J. Exp. Theor. Phys. Lett., 66, 47 (1997)
  30. P.V. Seredin, V.M. Kashkarov, I.N. Arsentyev, A.D. Bondarev, I.S. Tarasov. Phys. B. Condens. Matter, 495, 54 (2016)
  31. P.V. Seredin, A.S. Lenshin, D.L. Goloshchapov, A.N. Lukin, I.N. Arsentyev, A.D. Bondarev, I.S. Tarasov. Semiconductors, 49, 915 (2015)
  32. A.B. Kuzmenko. Rev. Sci. Instrum., 76, 83 (2005)
  33. V. Lucarini, K.-E. Peiponen, Jarkko J.J. Saarinen, E.M. Vartiainen. Kramers-Kronig relations in optical materials research, ed. by W.T. Rhodes (Berlin-N.Y., Springer, 2005) v. 110
  34. Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
  35. S.V. Deshpande, E. Gulari, S.W. Brown, S.C. Rand. J. Appl. Phys., 77, 6534 (1995)
  36. P. Specht, J.C. Ho, X. Xu, R. Armitage, E.R. Weber, R. Erni, C. Kisielowski. Sol. St. Commun., 135, 340 (2005)
  37. J. Tauc. Optical properties of semiconductors in the visible and ultra-volet ranges. Prog Semicond (Heywood London), 9, 87 (1965).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2023 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme