"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Радиационное повреждение карбид-кремниевых диодов заряженными частицами высоких энергий
Переводная версия: 10.1134/S1063782618130171
Стрельчук А.М.1, Козловский В.В.2, Лебедев А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: anatoly.strelchuk@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 4 июля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1969 г.

Представлено исследование радиационной стойкости трех типов коммерческих выпрямительных диодов Шоттки на основе карбида кремния (4H-SiC, уровень легирования базового слоя (3-7)·1015 см-3 ) при электронном облучении (с энергиями электронов 0.9 или 3.5 МэВ), а также при протонном облучении (с энергией протонов 15 МэВ). Контролировались прямые и обратные вольт-амперные характеристики диодов. В исходном состоянии диоды характеризовались напряжением пробоя 1-2 кВ и практически идеальной прямой вольт-амперной характеристикой. Установлено, что наиболее чувствительным к облучению и определяющим радиационную стойкость параметром является последовательное сопротивление диодов, растущее почти на 10 порядков и достигающее 109 Ом при больших дозах. Пороговые дозы при облучении электронами лежат в пределах Dth~(0.5-2)·1016-2 и зависят от энергии электронов и уровня легирования базового слоя, а при облучении протонами Dth~5·1013-2.
  1. O'Connor, J.R. Smiltens. Proc. Conf. on Silicon Carbide (Pergamon Press, 1960)
  2. Е.В. Калинина. ФТП, 41, 769 (2007)
  3. A.A. Лебедев, К.С. Давыдовская, А.М. Стрельчук, В.В. Козловский. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 9, 35 (2017)
  4. C. Claes, E. Simoen. Radiation effects in advanced semiconductor materials and devices (Springer Verlag, Berlin Heidelberg, 2002)
  5. E. Omotoso, W.E. Meyer, F.D. Auret, A.T. Paradzah, M. Diale, S.M.M. Coelho, P.J. Janse van Rensburg. Mater. Sci. Semicond. Process., 39, 112 (2015)
  6. А.М. Иванов, Н.Б. Строкан, В.В. Козловский, A.A. Лебедев. ФТП, 42, 370 (2008)
  7. R.K. Sharma, P. Hazdra, S. Popelka. Intern. J. Microelectronics Comput. Sci., 6, 59 (2015)
  8. П.А. Иванов, И.В. Грехов, А.С. Потапов, Н.Д. Ильинская, Т.П. Самсонова, О.И. Коньков. ФТП, 43, 1249 (2009)
  9. A.M. Strel'chuk, V.V. Zelenin, A.N. Kuznetsov, J. Tringe, A.V. Davydov, А.А. Lebedev. Mater. Sci. Forum, 858, 749 (2016)
  10. A.M. Strel'chuk, А.А. Lebedev, V.V. Kozlovski, N.S. Savkina, D.V. Davydov, V.V. Solov'ev, M.G. Rastegaeva. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B, 147, 74 (1999)
  11. A.M. Strel'chuk, V.T. Gromov, V.V. Zelenin, A.N. Kuznetsov, A.A. Lebedev, N.G. Orlov, N.S. Savkina, V.P. Shukailo. Mater. Sci. Forum, 897, 459 (2017)
  12. Е.В. Калинина, Г.Ф. Холуянов, Д.В. Давыдов, А.М. Стрельчук, A. Hallen, А.О. Константинов, В.В. Лучинин. А.Ю. Никифоров. ФТП, 37, 1260 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.