"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Внутрицентровые излучательные переходы на примесных центрах тантала в теллуриде кадмия
Переводная версия: 10.1134/S1063782618130201
Ушаков В.В.1, Аминев Д.Ф.1, Кривобок В.С.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Email: ushakov@lebedev.ru
Поступила в редакцию: 29 января 2018 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1969 г.

Впервые исследованы спектры люминесценции примесных центров Та в CdTe. Обнаружено, что при переходе электронной системы центров от 3d(V) к 5d(Ta) происходит существенное изменение характеристик примесного излучения. Идентификация электронных переходов проведена по диаграммам Танабе-Сугано теории кристаллического поля. Установлено, что излучательные переходы происходят на изолированных центрах Ta3+Cd между уровнями с различным значением спина. Температурное уширение бесфононной линии Та вызвано взаимодействием d-электронов центра с ТА-фононами кристаллической решетки. Однако при интерпретации данных по ее температурному сдвигу следует учесть гибридизацию локальных примесных и зонных состояний. Температурное гашение люминесценции происходит c энергиями активации 60 и 160 мэВ. Излучательное время жизни центров CdTe : Ta составляет 1.5 мкс.
  1. S. Sugano, Y. Tanabe, H. Kamimura. Multiplets of Transition-metal Ions in Crystals (N.Y., Academic Press, 1970)
  2. L.D. DeLoach, R.H. Page, G.D. Wilke, S.A. Payne, W.F. Krupke. IEEE J. Quant. Electron., 32, 885 (1996)
  3. I.T. Sorokina. Optical Mater., 26, 395 (2004)
  4. А.Ф. Буренков, Ф.Ф. Комаров, М.А. Кумахов, М.М. Темкин. Таблицы параметров пространственного распределения ионно-имплантированных примесей (Минск, Изд-во БГУ, 1980)
  5. В.Н. Якимкин. Автореф. канд. дис. (М., МГУ, 1988)
  6. Физика и химия соединений A2B6, под ред. С.А. Медведева (М., Мир, 1970) [Пер. с англ.: Physics and Chemistry of AIIBVI Compounds, ed. by M. Aven, J.S. Prener (Amsterdam, North-Holland, 1967)]
  7. Le Manh Hoang, J.M. Baranowski. Phys. Status Solidi B, 84, 361 (1977)
  8. G.F. Imbusch, W.M. Yen, A.L. Schawlow, D.E. McCumber, M.D. Sturge. Phys. Rev., 133, A1029 (1964)
  9. J.M. Rowe, R.M. Nicklow, D.L. Price, K. Zanio. Phys. Rev. B, 10, 671 (1974)
  10. J.P. Laurenti, J. Camassel, A. Bouhemadou, B. Toulouse, R. Legros, A. Lusson. J. Appl. Phys., 67, 6454 (1990)
  11. В.В. Ушаков, А.А. Гиппиус, В.А. Дравин. ФТП, 17, 1174 (1983)
  12. Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир., 1973) с. 181 [Пер. с англ.: J. Pankove. Optical processes in semiconductors (Prentic-Hall, Inc., 1971)]
  13. H. Zimmermann, R. Boyn, K. Piel. J. Phys.: Condens. Matter, 4, 859 (1992)
  14. D. Bimberg, M. Sondergeld, E. Grobe. Phys. Rev. B, 4, 3451 (1971)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.