Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Связь электронных свойств квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией, с их структурой
Переводная версия: 10.1134/S1063782618120096 
Министерство образования и науки России, государственное задание, 4.8337.2017/БЧ
Горшков А.П.
1, Волкова Н.С.
2, Павлов Д.А.
1, Усов Ю.В.1, Истомин Л.А.
2, Левичев С.Б.
2
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
2Научно-исследовательский институт химии Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский институт химии Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: gorshkovap@mail.ru, volkovans88@mail.ru, pavlov@unn.ru, laistmn@gmail.com, slevichev@hotmail.com
Поступила в редакцию: 25 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2018 г.
Основываясь на комплексном исследовании структурных и электронных свойств квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией при атмосферном давлении, выбрана модель их строения в виде трех сопряженных основаниями усеченных пирамид, учитывающая диффузионное размытие состава со стороны основания и боковой поверхности, а также сегрегацию индия вблизи вершины. Установлено, что волновые функции носителей в основном состоянии локализованы в сравнительно небольшой области квантовой точки вблизи ее вершины.
- J. Shumway, A.J. Williamson, A. Zunger, A. Passaseo, M. DeGiorgi, R. Cingolani, M. Catalano, P. Crozier. Phys. Rev. B, 64, 125302 (2001)
- Б.Н. Звонков, И.А. Карпович, Н.В. Байдусь, Д.О. Филатов, С.В. Морозов. ФТП, 35 (1), 92 (2001)
- I.A. Karpovich, S.B. Levichev, S.V. Morozov, B.N. Zvonkov, D.O. Filatov, A.P. Gorshkov, A.Yu. Ermakov. Nanotechnology, 13, 445 (2002)
- А.П. Горшков, И.А. Карпович, А.В. Кудрин. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 5, 25 (2006)
- Н.С. Волкова, А.П. Горшков, Д.О. Филатов, Д.С. Абрамкин. Письма ЖЭТФ, 100(3), 175 (2014)
- Н.С. Волкова, А.П. Горшков, А.В. Здоровейщев, Л.А. Истомин, С.Б. Левичев. ФТП, 49 (12), 1640 (2015)
- A.P. Gorshkov, N.S. Volkova, L.A. Istomin, A.V. Zdoroveishev, S. Levichev. Solid State Commun., 240, 20 (2016)
- M. Grundmann, O. Stier, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 52, 11969 (1995)
- P.W. Fry, I.E. Itskevich, D.J. Mowbray, M.S. Skolnick, J.J. Finley, J.A. Barker, E.P. O'Reilly, L.R. Wilson, I.A. Larkin, P.A. Maksym, M. Hopkinson, M. Al-Khafaji, J.P.R. David, A.G. Cullis, G. Hill, J.C. Clark. Phys. Rev. Lett., 84, 733 (2000)
- http://www.nextnano.com/nextnanoplus
- I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
- N. Liu, J. Tersoff, O. Baklenov, A.L. Holmes, Jr., C.K. Shih. Phys. Rev. Lett., 84, 334 (2000)
- Ch. Heyn, W. Hansen. J. Cryst. Growth, 251, 140 (2003)
- J.M. Garci a, D. Granados, J.P. Silveira, F. Briones. Microelectron. J., 35, 7 (2004)
- W. Sheng, J.P. Leburton. Phys. Rev. B, 63, 161301 (2001)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
