Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Формирование графеноподобного слоя SiN на поверхности (111)Si

DOI: 10.21883/FTP.2018.12.46748.27

Переводная версия: 10.1134/S1063782618120151

Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 17-02-00947

Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 18-52-00008

Мансуров В.Г.

¹, Галицын Ю. Г.

¹, Малин Т.В.

¹, Тийс С.А.

¹, Федосенко Е.В.¹, Кожухов А.С.¹, Журавлев К.С.^1,2, Cora Ildiko³, Pecz Bela³

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

³Thin Film Physics Department, Institute for Technical Physics and Materials Science, Centre for Energy Research, Hungarian Academy of Sciences, Budapest, Hungary

Thin Film Physics Department, Institute for Technical Physics and Materials Science, Center for Energy Research, Hungarian Academy of Sciences, Budapest, Hungary

Email: mansurov@isp.nsc.ru, mal-tv@mail.ru

Поступила в редакцию: 25 апреля 2018 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследована кинетика образования и термического разложения двумерного нитридного слоя SiN-(8x8) на поверхности (111)Si. Структура SiN-(8x8) является метастабильной промежуточной фазой при нитридизации кремния с образованием стабильной аморфной фазы Si₃N₄. Исследование структуры SiN-(8x8) методом сканирующей туннельной микроскопии показывает ее сложное строение, она состоит из адсорбционной фазы (8/3x8/3) с латеральным периодом 10.2 Angstrem и сотовой структуры со стороной шестиугольника ~6 Angstrem, который развернут относительно адсорбционной фазы на 30^o. Измерена ширина запрещенной зоны SiN-(8x8), она равна ~2.8 эВ, что меньше в сравнении с шириной запрещенной зоны кристаллической фазы beta-Si₃N₄ 5.3 эВ. Измерены межплоскостные расстояния в структуре (AlN)₃/(SiN)₂ на поверхности (111)Si, равные 3.3 Angstrem в SiN и 2.86 Angstrem в AlN. Такие межплоскостные расстояния указывают на слабое ван-дер-ваальсово взаимодействие между слоями. Предложена модель структуры SiN-(8x8) как плоского графеноподобного слоя, удовлетворяющая как дифракционным, так и микроскопическим данным.

Handbook of Semiconductor Manufacturing Technology, ed. by R. Doering, Y. Nishi (Cleveland, CRC, 2007)
T.P. Ma. IEEE Trans. Electron Dev., 45, 680 (1998)
Y. Yeo, Q. Lu, P. Ranade, H. Takeuchi, K.J. Yang, I. Polishchuk, T. King, Ch. Hu, S.C. Song, H.F. Luan, D. Kwong. IEEE Electron Dev. Lett., 22 (5), 227 (2001)
W. Guo, M. Zhang, A. Banerjee, P. Bhattacharya. Nano Lett., 10, 3355 (2010)
T.-W. Yeh, Y.-T. Lin, L.S. Stewart, P.D. Dapkus, R. Sarkissian, J.D. O'Brien, B. Ahn, S.R. Nutt. Nano Lett., 12, 3257 (2012)
S. Shetty, M. Kesaria, J. Ghatak, S.M. Shivaprasad. Cryst. Growth Des., 13, 2407 (2013)
W. Zhu, D. Neumayer, V. Perebeinos, P. Avouris. Nano Lett., 10, 3572 (2010)
M. Yang, C. Zhang, Sh. Wang, Y. Feng, Ariando. AIP Advances, 1, 032111 (2011)
F. Filippone. J. Phys. Condens. Matter, 26, 395009 (2014)
R. Flammini, P. Allegrini, F. Wiame, R. Belkhou, F. Ronci, S. Colonna, D.M. Trucchi, F. Filippone, S.K. Mahatha, P.M. Sheverdyaeva, P. Moras. Phys. Rev. B, 91, 075303 (2015)
A.J. van Bommel, F. Meyer. Surf. Sci., 8, 381 (1967)
A.G. Schrott, J.S.C. Fain. Surf. Sci., 111, 39 (1981)
A.G. Schrott, J.S.C. Fain. Surf. Sci., 123, 204 (1982)
M. Nishijima, H. Kobayashi, K. Edamoto, M. Onchi. Surf. Sci., 137, 473 (1984)
M. Nishijima, K. Edamoto, Y. Kubota, H. Kobayashi, M. Onchi. Surf. Sci., 158, 422 (1985)
K. Edamoto, S. Tanaka, M. Onchi, M. Nishijima. Surf. Sci., 167, 285 (1986)
E. Bauer, Y. Wei, T. Muller, A. Pavlovska, I.S.T. Tsong. Phys. Rev. B, 51, 17891 (1995)
Y. Morita, H. Tokumoto. Surf. Sci., 443, L1037 (1999)
B. Rottger, R. Kliese, H. Neddermeyer. J. Vac. Sci. Technol. B, 14, 1051 (1996)
H. Ahn, C.-L. Wu, S. Gwo, C.M. Wei, Y.C. Chou. Phys. Rev. Lett., 86, 2818 (2001)
X. Wang, G. Zhai, J. Yang, N. Cue. Phys. Rev. B, 60, R2146 (1999)
X.-S. Wang, G. Zhai, J. Yang, L. Wang, Y. Hu, Z. Li, J.C. Tang, X. Wang, K.K. Fung, N. Cue. Surf. Sci., 494 (2), 83 (2001)
A. Ziegler, C. Kisielowski, R.O. Ritchie. Acta Materialia, 50, 565 (2002)
A.A. Bagatur'yants, K.P. Novoselov, A.A. Safonov, J.V. Cole, M. Stoker, A.A. Korkin. Surf. Sci., 486, 213 (2001)
V.M. Bermudez. Surf. Sci., 579, 11 (2005)
J.W. Kim, H.W. Yeom. Phys. Rev. B, 67, 035304 (2003)
G.L. Zhao, M.E. Bachlechner. Phys. Rev. B, 58, 1887 (1998)
J.S. Ha, K.-H. Park, W.S. Yun, E.-H. Lee, S.-J. Park. J. Vac. Sci. Technol. B, 15, 1893 (1997)
J.S. Ha, K.-H. Park, W.S. Yun, E.-H. Lee, S.-J. Park. Appl. Phys. A, 66, S495 (1998)
C.-L. Wu, J.-L. Hsieh, H.-D. Hsueh, S. Gwo. Phys. Rev. B, 65, 045309 (2002)
M. Yang, R.Q. Wu, W.S. Deng, L. Shen, Z.D. Sha, Y.Q. Cai, Y.P. Feng, S.J. Wang. J. Appl. Phys., 105, 024108 (2009)
S. Shetty, S.M. Shivaprasad. J. Appl. Phys., 119, 055306 (2016)
V.G. Mansurov, T.V. Malin, Yu.G. Galitsyn, A.A. Shklyaev, K.S. Zhuravlev. J. Cryst. Growth, 441, 12 (2016)
H.D. Batha, E.D. Whitney. J. American Ceramic Soc., 56 (7), 365 (1973)
L. Kubler, J.L. Bischoff, D. Bolmont. Phys. Rev. B, 38, 13113 (1988)
D. Bolmont, J.L. Bischoff, F. Lutz, L. Kubler. Surf. Sci., 269/270, 924 (1992)
H. Lee, Ch. Kuo, H. Shiu, Ch. Chen, Sh. Gwo. Appl. Phys. Lett., 95, 222104 (2009)
V. Mansurov, T. Malin, Yu. Galitsyn, K. Zhuravlev. J. Cryst. Growth, 428, 93 (2015)
R. Grun. Acta Cryst. B, 35, 800 (1979)
H.M. Jennings, J.O. Edwards, M.H. Richman. Inorg. Chimica Acta, 20, 167 (1976)
P. De Padova, C. Quaresima, B. Olivieri, P. Perfetti, Guy Le Lay. Appl. Phys. Lett., 98, 081909 (2011)
B. Aufray, A. Kara, S. Vizzini, H. Oughaddou, Ch. Leandri, B. Ealet, Guy Le Lay. Appl. Phys. Lett., 96, 183102 (2010)
M. Houssa, G. Pourtois, V.V. Afanas'ev, A. Stesmans. Appl. Phys. Lett., 97, 112106 (2010)
B. Feng, Z. Ding, Sh. Meng, Y. Yao, X. He, P. Cheng, L. Chen, K. Wu. Nano Lett., 12, 3507 (2012).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель