"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Формирование спектров люминесценции, интенсивность излучения в УФ и видимой областях структур n-ZnO/p-GaN, n-ZnO/p-ZnO при нанесении пленок ZnO методом высокочастотного магнетронного распыления
Переводная версия: 10.1134/S1063782618100123
Мездрогина М.М.1, Виноградов А.Я.1, Кожанова Ю.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: Margaret.m@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 ноября 2017 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2018 г.

Исследованы спектры излучения структур на основе пленок ZnO, нанесенных методом высокочастотного магнетронного распыления. В спектрах ФЛ (T=300 K) структур n-ZnO/p-GaN:Mg наблюдались ярко выраженные линии излучения, связанные с рекомбинацией свободных (lambda=363 нм) и связанных экситонов lambda=(377,390,410) нм, в области примесной ФЛ lambda=(450-600) нм существенного излучения не наблюдалось. В спектрах ЭЛ структур n-ZnO/p-ZnO (T=300 K) имелись лишь линии излучения, характерные для n-ZnO (lambda=374 нм).
  1. O. Lupan, T. Pauporte, B. Viana. Adv. Mater., 22, 3298 (2010)
  2. T. Wang, H. Wu, Z. Wang, C Chen, C. Liu. Appl. Phys. Lett., 101, 161905 (2012)
  3. H.H Huang, G.J Fang, X.M Mo, H. Long, H.N. Wang, S.Z. Li, Y. Li, Y.P. Zhang, C.X. Pan, D.L. Caroll. Appl. Phys. Lett., 101, 223504 (2012)
  4. S.F. Chichibu, T. Ohmori, N. Shibata, T. Koyama, T. Onuma. Appl. Phys. Lett., 85, 013509 (2004)
  5. М.М. Мездрогина, Ю.В. Кожанова, В.Г. Семенов, C.Г. Нефедов, Л.А. Шелухин, В.В. Павлов. ФТТ, 59 (3), 586 (2018)
  6. H.H. Huang, G.J. Fang, Y. Li, S.Z. Li, X.M. Mo, H. Long, H.N. Wang, L. Caroll, X.Z. Zhao. Appl. Phys. Lett., 100, 233502 (2012)
  7. М.М. Мездрогина, А.Я. Виноградов, В.С. Левицкий, Е.Е. Терукова, Ю.В. Кожанова, А.С. Агликов. ФТП, 51 (5), 588 (2017)
  8. М.М. Мездрогина, М.В. Еременко, В.С. Левицкий, В.Н. Петров, Е.И. Теруков, Е.М. Кайдышев, Н.В. Лянгузов. ФТП, 49 (11), 1016 (2015)
  9. S.Z. Li, W.W. Lin, G.I. Fang, F. Huang, H.H. Huang, H. Long, X.M. Mo, H.N. Wang, W.J. Guan, X.Z. Zhao. J. Luminesc., 140, 110 (2013)
  10. М.М. Мездрогина, В.В. Криволапчук, Н.А. Феоктистов, Э.Ю. Даниловский, Р.В. Кузьмин, С.В. Разумов, С.А. Kукушкин, А.В. Осипов. ФТП, 42(7), 782 (2008)
  11. T. Dellivers, D.M. G.Leite, J.H. Dias da Silva, A. Bonanni. Appl. Phys. Lett., 103, 211909 (2013)
  12. M. Reshnikov, H. Markos. J. Appl. Phys., 97, 061301 (2009)
  13. X. Li, J. Qi, Q. Zhang, Q. Wang, F. Yi, Z. Wang, Y. Zhang. Appl. Phys. Lett., 102, 221103 (2013)
  14. S.K. Han, S.K. Hong, J.W. Lee, J.H. Song, Y.S. Nam, S.K. Chang, T. Minegishi, T. Yao. J. Cryst. Growth, 309, 121 (2007)
  15. В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, Ю.В. Кожанова, С.Н. Родин. ФТП, 40 (9), 1033 (2006)
  16. S. Chang, R.W. Chuang, S.J. Chang, Y. Chiou, C. Lu. Thin Sol. Films, 517, 5054 (2009)
  17. М.М. Мездрогина, А.Я. Виноградов, М.В. Еременко, В.С. Левицкий, Е.И. Теруков, Ю.В. Кожанова. Опт. и спектр., 121 (2), 62 (2016)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.