Вышедшие номера
Формирование спектров люминесценции, интенсивность излучения в УФ и видимой областях структур n-ZnO/p-GaN, n-ZnO/p-ZnO при нанесении пленок ZnO методом высокочастотного магнетронного распыления
Переводная версия: 10.1134/S1063782618100123
Мездрогина М.М.1, Виноградов А.Я.1, Кожанова Ю.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: Margaret.m@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 ноября 2017 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2018 г.

Исследованы спектры излучения структур на основе пленок ZnO, нанесенных методом высокочастотного магнетронного распыления. В спектрах ФЛ (T=300 K) структур n-ZnO/p-GaN:Mg наблюдались ярко выраженные линии излучения, связанные с рекомбинацией свободных (lambda=363 нм) и связанных экситонов lambda=(377,390,410) нм, в области примесной ФЛ lambda=(450-600) нм существенного излучения не наблюдалось. В спектрах ЭЛ структур n-ZnO/p-ZnO (T=300 K) имелись лишь линии излучения, характерные для n-ZnO (lambda=374 нм).