"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Спектры рамановского рассеяния толстых эпитаксиальных слоев GaN на SiC, полученных сублимационным сандвич-методом
Переводная версия: 10.1134/S1063782618090026
Анисимов А.Н.1, Вольфсон А.А.1, Мохов Е.Н.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 февраля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2018 г.

Исследованы спектры рамановского рассеяния толстых (~100 мкм и более) слоев GaN, выращенных на SiC кристаллах-подложках посредством сублимационного сандвич-метода. Хорошее совпадение полученных нами спектров SiC-подложек с приводимыми в литературе свидетельствует о надежности наших измерений, а минимальные различия между нашими и литературными результатами для слоев GaN означают, что по качеству слои, выращенные нами с помощью сублимационного сандвич-метода, не уступают изготовленным методами MOVPE или CHVPE.
  1. Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov, A.D. Roenkov. Patent of USSR N 1136501 (1983)
  2. Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov, A.D. Roenkov, M.E. Boiko, P.G. Baranov. J. Cryst. Growth, 183 (1/2), 10 (1997)
  3. P. Baranov, E. Mokhov, A. Ostroumov, M.G. Ramm, M.S. Ramm, V. Ratnikov, A. Roenkov, Yu. Vodakov, A. Wolfson, G. Saparin, S. Karpov, D. Zimina, Yu. Makarov, H. Juergensen. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 3, 50 (1998)
  4. P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov, A.D. Roenkov. Inst. Phys. Conf., Ser. N 155, chap. 12, 985 (1997)
  5. P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov. Sol. St. Commun., 101 (8), 611 (1997)
  6. V.Yu. Davydov, Yu.E. Kitaev, I.N. Goncharuk, A.N. Smirnov, J. Graul, O. Semchinova, D. Uffmann, M.B. Smirnov, A.P. Mirgorodsky, R.A. Evarestov. Phys. Rev. B, 58 (19), 12899 (1998)
  7. S. Nakashima, H. Harima. Phys. Status Solidi A, 162 (1), 39 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.