Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние высокодозной имплантации углерода на фазовый состав, морфологию и автоэмиссионные свойства кристаллов кремния

DOI: 10.21883/FTP.2018.09.46230.8691

Переводная версия: 10.1134/S1063782618090245

Российский научный фонд, 16-19 -10033

Яфаров Р.К.

¹Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия Saratov Branch, Kotel’nikov Institute of Radio Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, Saratov, Russia

Saratov Branch, Kotel’nikov Institute of Radio Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, Saratov, Russia

Email: pirpc@yandex.ru

Поступила в редакцию: 2 октября 2017 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2018 г.

PDF версия

Исследования высокодозной имплантации ионов углерода в отсутствие послеоперационного отжига показали существенную модификацию морфологии, фазового состава приповерхностных слоев и автоэмиссионных свойств пластин кремния. Обнаружены влияние типа электропроводности на эволюцию в зависимости от дозы облучения морфологии поверхностей кристаллов кремния и повышенное содержание алмазоподобных фаз в области микровыступов при максимальной дозе, которое не зависит от типа электропроводности. Показано, что высокодозная имплантация углерода в пластины кремния с предварительно структурированной поверхностью увеличивает максимальные плотности автоэмиссионных токов более двух порядков величины.

L.F. Velasquez-Garci a, S. Guerrera, Y. Niu, A.I. Akinwande. IEEE Trans. Electron Dev., 58, 1783 (2011)
Ю.B. Гуляев, Н.П. Абаньшин, Б.И. Горфинкель, С.П. Морев, А.Ф. Резчиков, Н.И. Синицын, А.Н. Якунин. Письма ЖТФ, 39 (11), 88 (2013)
Fei Zhao, Jian-hua Deng, Dan-dan Zhao, Ke-fan Chen, Guo-an Cheng, Rui-ting Zheng. J. Nanosci. Nanotechnology, 10, 1 (2010)
П.Г. Бобовников, А.С. Ермаков, И.В. Матюшкин, С.Н. Орлов, К.П. Свечкарев, Н.А. Шелепин, А.Н. Михайлов, А.И. Белов. Изв. вузов. Электроника, 5 (103), 3 (2013)
Р.К. Яфаров, В.Я. Шаныгин. ФТП, 51 (4), 558 (2017)
X.L. Ding, Q.S. Li, X.H. Kong. Physica B, 404, 1920 (2009)
Технология СБИС. В 2-х кн. Пер. с англ. под ред. С. Зи (М., Мир, 1986) кн. 1
К.Х. Нусупов, Н.Б. Бейсенханов, И.В. Валитова, Е.А. Дмитриева, Д. Жумагалиулы, Е.А. Шиленко. ФТТ, 48 (7), 1187 (2006)
Н.Н. Герасименко, Ю.Н. Пархоменко. Кремний --- материал наноэлектроники (М., Техносфера, 2007)
Алмазы в электронной технике: Сб. ст. под ред. В.Б. Кваскова (М., Энергоатомиздат, 1990)
Р.К. Яфаров. ЖТФ, 76 (1), 42 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель