Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние высокодозной имплантации углерода на фазовый состав, морфологию и автоэмиссионные свойства кристаллов кремния
Переводная версия: 10.1134/S1063782618090245 
Российский научный фонд, 16-19 -10033
Яфаров Р.К.
1
1Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия 
Email: pirpc@yandex.ru
Поступила в редакцию: 2 октября 2017 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2018 г.
Исследования высокодозной имплантации ионов углерода в отсутствие послеоперационного отжига показали существенную модификацию морфологии, фазового состава приповерхностных слоев и автоэмиссионных свойств пластин кремния. Обнаружены влияние типа электропроводности на эволюцию в зависимости от дозы облучения морфологии поверхностей кристаллов кремния и повышенное содержание алмазоподобных фаз в области микровыступов при максимальной дозе, которое не зависит от типа электропроводности. Показано, что высокодозная имплантация углерода в пластины кремния с предварительно структурированной поверхностью увеличивает максимальные плотности автоэмиссионных токов более двух порядков величины.
- L.F. Velasquez-Garci a, S. Guerrera, Y. Niu, A.I. Akinwande. IEEE Trans. Electron Dev., 58, 1783 (2011)
- Ю.B. Гуляев, Н.П. Абаньшин, Б.И. Горфинкель, С.П. Морев, А.Ф. Резчиков, Н.И. Синицын, А.Н. Якунин. Письма ЖТФ, 39 (11), 88 (2013)
- Fei Zhao, Jian-hua Deng, Dan-dan Zhao, Ke-fan Chen, Guo-an Cheng, Rui-ting Zheng. J. Nanosci. Nanotechnology, 10, 1 (2010)
- П.Г. Бобовников, А.С. Ермаков, И.В. Матюшкин, С.Н. Орлов, К.П. Свечкарев, Н.А. Шелепин, А.Н. Михайлов, А.И. Белов. Изв. вузов. Электроника, 5 (103), 3 (2013)
- Р.К. Яфаров, В.Я. Шаныгин. ФТП, 51 (4), 558 (2017)
- X.L. Ding, Q.S. Li, X.H. Kong. Physica B, 404, 1920 (2009)
- Технология СБИС. В 2-х кн. Пер. с англ. под ред. С. Зи (М., Мир, 1986) кн. 1
- К.Х. Нусупов, Н.Б. Бейсенханов, И.В. Валитова, Е.А. Дмитриева, Д. Жумагалиулы, Е.А. Шиленко. ФТТ, 48 (7), 1187 (2006)
- Н.Н. Герасименко, Ю.Н. Пархоменко. Кремний --- материал наноэлектроники (М., Техносфера, 2007)
- Алмазы в электронной технике: Сб. ст. под ред. В.Б. Кваскова (М., Энергоатомиздат, 1990)
- Р.К. Яфаров. ЖТФ, 76 (1), 42 (2006)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
