Представлены результаты исследования приповерхностного слоя кремния и формирования преципитатов в образцах СZ n-Si(100), последовательно имплантированного при комнатной температуре ионами ⁶⁴Zn⁺ с дозой 5·10¹⁶ см² и с энергией 100 кэВ и ионами ¹⁶О⁺ с той же дозой, но с энергией 33 кэВ, так, чтобы их проекционные пробеги R_p=70 нм совпадали. После имплантации образцы в течение 1 ч отжигали в инертной среде Ar в температурном диапазоне 400-900^oC с шагом 100^oC. Профили имплантированных примесей исследованы методом времяпролетной вторично-ионной масс-спектрометрии. Визуализация поверхности Si проведена с помощью растрового электронного микроскопа, а приповерхностного слоя с помощью карт элементов, полученных методом электронной оже-спектроскопии с профилированием по глубине. После имплантации ионов Zn и О в аморфизованном слое кремния происходит образование текстуры ZnО(002). После отжига в среде Ar при температуре 700^oC в рекристаллизованном монокристаллическом слое Si обнаружены кристаллиты ZnO(102) c размером 5 нм.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.