"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Формирование преципитатов в Si, имплантированном ионами 64Zn+ и 16O+
Переводная версия: 10.1134/S106378261808016X
Государственное задание ФАНО России , Выполнение фундаментальных научных исследований (ГП 14) по теме (проекту) "Тема 40.2. «Развитие теоретических и экспериментальных исследований создания перспективной элементной базы наноэлектроники, микро-и наносистемной техники» № Г.Р. Срок 2015-2018" , 0066-2014-0024
Государственное задание ФАНО России, Выполнение фундаментальных научных исследований (ГП 14) по теме (проекту) "Тема 40.3. «Разработка теоретических основ, проведение экспериментальных исследований для создания новых типов ИС памяти на основе нанотехнологий. № Г.Р. Срок 2015-2017" (0066-2014-0025) , 0066-2014-0026
Привезенцев В.В. 1, Kириленко Е.П.2, Горячев А.В.2, Лютцау А.В.3
1Физико-технологический институт Российской академии наук, Москва, Россия
2Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
3НПП "Пульсар", Москва, Россия
Email: privezentsev@ftian.ru, v.privezentsev@mail.ru
Поступила в редакцию: 9 августа 2017 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2018 г.

Представлены результаты исследования приповерхностного слоя кремния и формирования преципитатов в образцах СZ n-Si(100), последовательно имплантированного при комнатной температуре ионами 64Zn+ с дозой 5·1016 см2 и с энергией 100 кэВ и ионами 16О+ с той же дозой, но с энергией 33 кэВ, так, чтобы их проекционные пробеги Rp=70 нм совпадали. После имплантации образцы в течение 1 ч отжигали в инертной среде Ar в температурном диапазоне 400-900oC с шагом 100oC. Профили имплантированных примесей исследованы методом времяпролетной вторично-ионной масс-спектрометрии. Визуализация поверхности Si проведена с помощью растрового электронного микроскопа, а приповерхностного слоя с помощью карт элементов, полученных методом электронной оже-спектроскопии с профилированием по глубине. После имплантации ионов Zn и О в аморфизованном слое кремния происходит образование текстуры ZnО(002). После отжига в среде Ar при температуре 700oC в рекристаллизованном монокристаллическом слое Si обнаружены кристаллиты ZnO(102) c размером 5 нм.
  1. С.W. Litton, N.C. Collins, D.S. Reynolds. Zinc Oxide Material for Electronic and Opto- elecrtronics Device Application (Wiley, Chichester, 2011)
  2. S.-P. Chang, K.-J. Chen. J. Nanomater., 2012, 602398 (2012)
  3. C. Jiang, X. Sun, G. Lo, D.L. Kwong, J.X. Wang. Appl. Phys. Lett., 90, 263501 (2007)
  4. C. Li, Y. Yang, X. Sun, W. Lei, X.B. Zhang. Nanotechnology, 18, 135604 (2007)
  5. S. Chu, M. Olmedo, Zh. Yang, I. Kong, J. Lin. Appl. Phys. Lett., 93, 181106 (2008)
  6. G.P. Smestad, M. Gratzel. J. Chem. Educ., 75, 752 (1998)
  7. Ch. Li, G. Beirne, G. Kamita, G. Lakhwani, J. Wang, N.C. Greenham. J. Appl. Phys., 116, 114501 (2014)
  8. I. Muntele, P. Thevenard, C. Muntele, B. Chhay, D. Ila. Mater. Res. Symp. Proc, 829, B.2.21 (2005)
  9. C. Liu, H. Zhao, Y. Shen, G. Jia, J. Wang, X. Mu. Nucl. Instrum. Meth. B, 326, 23 (2014)
  10. V. Privezentsev, N. Tabachkova, Yu. Lebedinskii. AIP Conf. Proc., 1583, 109 (2014)
  11. V.V. Privezentsev, E.P. Kirilenko, A.N. Goryachev, A.V. Lutzau. Proc. 23th Intern. Symp. on Nanostructures (NANO 2015) (SPb Academic University, Russia, 2015) p. 109
  12. J.F. Ziegler, J.P. Biersack. SRIM 2008 (http://www.srim.org)
  13. The NIST X-ray Photoelectron Spectroscopy Database. Version 4.1. http://srdata.nist.gov/xps

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.