"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Концентрические гексагональные структуры GaN для нанофотоники, изготовленные селективной газофазной эпитаксией с использованием ионного травления
Переводная версия: 10.1134/S1063782618070151
Митрофанов М.И.1,2, Левицкий Я.В.1,2, Вознюк Г.В.3, Татаринов Е.Е.3, Родин С.Н.1,2, Калитеевский М.А.1,3,4, Евтихиев В.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: Kalit@mail.ioffe.ru, Nano@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 18 декабря 2017 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2018 г.

Методом селективной газофазной эпитаксии в окнах, сформированных сфокусированным ионным пучком, в слое Si3N4 были сформированы коаксиальные и одиночные GaN-структуры субмикронных размеров гексагональной формы с пирамидальными гранями. Установлено, что при росте структур в окнах маски, имеющих кольцевую форму, в процессе роста происходит формирование коаксиальных гексагональных структур.
  1. S.F. Li, A. Waag. J. Appl. Phys., 11 (7), 071101 (2012)
  2. J.P. Duchemin, M. Bonnet, F. Kielsch, D.H. Huyghe. J. Cryst. Growth, 45, 181 (1978)
  3. K. Kamon, S. Takagish, H. Mori. J. Cryst. Growth, 73, 73 (1985)
  4. Y.D. Galeuchet, P. Roentgen, V. Graft. J. Appl. Phys., 68, 560 (1990)
  5. Л.Б. Проэкт, М.А. Калитеевский, В.Б. Кантор, Д.А. Пиотровский, М.А. Синицын, Б.С. Явич. ФТП, 31 (4), 470 (1997)
  6. H. McKay, P. Rudzinski, A. Dehne, J.M. Millunchick. Nanotechnology, 18, 45 (2007)
  7. G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii, Y.B. Samsonenko, A.D. Bouravleuv, K. Durose, Y.Y. Proskuryakov, B. Mendes, L. Bowen, M.A. Kaliteevski, R.A. Abram. Phys. Rev. B, 82, 35302 (2010)
  8. V. Neplokh, A. Ali, F.H. Julien, M. Foldyna, I. Mukhin, G. Cirlin, J.-C. Harmand, N. Gogneau, M. Tchernycheva. Mater. Sci. Semicond. Process., 55, 72 (2016)
  9. F. Barbagini, A. Bengoechea-Encabo, S. Albert, J. Martinez, M. Garcia, A. Trampert, E. Calleja. Nanoscale Res. Lett., 6, 1 (2011)
  10. H. Amano. Angew. Chem. Int. Ed., 54, 7764 (2015)
  11. I. Utke, P. Hoffmann, J. Melngailis. J. Vac. Sci. Technol. B Microelectron. Nanom. Struct. Process. Meas. Phenom., 26, 1197 (2008)
  12. M.I. Mitrofanov, S.N. Rodin, I.V. Levitskii, S.I. Troshkov, A.V. Sakharov et al. J. Phys.: Conf. Ser., 816, 012009 (2017)
  13. А.М. Надточий и др. Письма ЖТФ, 39 (18), 70 (2013)
  14. M.A. Kaliteevski, R.A. Abram, V.V. Nikolaev. J. Modern Optics, 47 (4), 677 (2000)
  15. M.A. Kaliteevski, S. Brand, R.A. Abram, V.V. Nikolaev. J. Modern Optics, 48 (9), 1503 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.