Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Концентрические гексагональные структуры GaN для нанофотоники, изготовленные селективной газофазной эпитаксией с использованием ионного травления

DOI: 10.21883/FTP.2018.07.46058.8797

Переводная версия: 10.1134/S1063782618070151

Митрофанов М.И.^1,2, Левицкий Я.В.^1,2, Вознюк Г.В.³, Татаринов Е.Е.³, Родин С.Н.^1,2, Калитеевский М.А.^1,3,4, Евтихиев В.П.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Submicron Heterostructures for Microelectronics Research and Engineering Center of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Submicron Heterostructures for Microelectronics Research and Engineering Center of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

³Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ITMO University, St. Petersburg, Russia

⁴Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Email: Kalit@mail.ioffe.ru, Nano@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 18 декабря 2017 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом селективной газофазной эпитаксии в окнах, сформированных сфокусированным ионным пучком, в слое Si₃N₄ были сформированы коаксиальные и одиночные GaN-структуры субмикронных размеров гексагональной формы с пирамидальными гранями. Установлено, что при росте структур в окнах маски, имеющих кольцевую форму, в процессе роста происходит формирование коаксиальных гексагональных структур.

S.F. Li, A. Waag. J. Appl. Phys., 11 (7), 071101 (2012)
J.P. Duchemin, M. Bonnet, F. Kielsch, D.H. Huyghe. J. Cryst. Growth, 45, 181 (1978)
K. Kamon, S. Takagish, H. Mori. J. Cryst. Growth, 73, 73 (1985)
Y.D. Galeuchet, P. Roentgen, V. Graft. J. Appl. Phys., 68, 560 (1990)
Л.Б. Проэкт, М.А. Калитеевский, В.Б. Кантор, Д.А. Пиотровский, М.А. Синицын, Б.С. Явич. ФТП, 31 (4), 470 (1997)
H. McKay, P. Rudzinski, A. Dehne, J.M. Millunchick. Nanotechnology, 18, 45 (2007)
G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii, Y.B. Samsonenko, A.D. Bouravleuv, K. Durose, Y.Y. Proskuryakov, B. Mendes, L. Bowen, M.A. Kaliteevski, R.A. Abram. Phys. Rev. B, 82, 35302 (2010)
V. Neplokh, A. Ali, F.H. Julien, M. Foldyna, I. Mukhin, G. Cirlin, J.-C. Harmand, N. Gogneau, M. Tchernycheva. Mater. Sci. Semicond. Process., 55, 72 (2016)
F. Barbagini, A. Bengoechea-Encabo, S. Albert, J. Martinez, M. Garcia, A. Trampert, E. Calleja. Nanoscale Res. Lett., 6, 1 (2011)
H. Amano. Angew. Chem. Int. Ed., 54, 7764 (2015)
I. Utke, P. Hoffmann, J. Melngailis. J. Vac. Sci. Technol. B Microelectron. Nanom. Struct. Process. Meas. Phenom., 26, 1197 (2008)
M.I. Mitrofanov, S.N. Rodin, I.V. Levitskii, S.I. Troshkov, A.V. Sakharov et al. J. Phys.: Conf. Ser., 816, 012009 (2017)
А.М. Надточий и др. Письма ЖТФ, 39 (18), 70 (2013)
M.A. Kaliteevski, R.A. Abram, V.V. Nikolaev. J. Modern Optics, 47 (4), 677 (2000)
M.A. Kaliteevski, S. Brand, R.A. Abram, V.V. Nikolaev. J. Modern Optics, 48 (9), 1503 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель