Вышедшие номера
Концентрические гексагональные структуры GaN для нанофотоники, изготовленные селективной газофазной эпитаксией с использованием ионного травления
Переводная версия: 10.1134/S1063782618070151
Митрофанов М.И.1,2, Левицкий Я.В.1,2, Вознюк Г.В.3, Татаринов Е.Е.3, Родин С.Н.1,2, Калитеевский М.А.1,3,4, Евтихиев В.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: Kalit@mail.ioffe.ru, Nano@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 18 декабря 2017 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2018 г.

Методом селективной газофазной эпитаксии в окнах, сформированных сфокусированным ионным пучком, в слое Si3N4 были сформированы коаксиальные и одиночные GaN-структуры субмикронных размеров гексагональной формы с пирамидальными гранями. Установлено, что при росте структур в окнах маски, имеющих кольцевую форму, в процессе роста происходит формирование коаксиальных гексагональных структур.