"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Ионный синтез кристаллической фазы Ge в пленках SiOxNy при отжиге под высоким давлением
Переводная версия: 10.1134/S1063782618020215
Тысченко И.Е.1, Кривякин Г.К.1, Володин В.А.1,2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: tys@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 20 марта 2017 г.
Выставление онлайн: 20 января 2018 г.

Изучено зарождение фазы кристаллического германия в пленках SiOxNy, имплантированных ионами Ge+ с энергией 55 кэВ дозами 2.1·1015-1.7·1016 см-2, после отжига при температуре Ta=800-1300oC при давлениях 1 бар и 1-12 кбар. Из анализа полосы комбинационного рассеяния света сделано заключение об увеличении размеров преципитатов аморфного германия под действием гидростатического сжатия при температуре 1000oC. Рассеяние на оптических фононах, локализованных в нанокристаллах германия, наблюдалось лишь после отжига образцов с максимальным содержанием имплантированных атомов при температуре 1300oC. В спектрах фотолюминесценции наблюдался пик при ~730 нм, природа которого связывается с проявлением квантово-размерного эффекта в нанокристаллах размером ~3 нм. DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45457.8595
  1. В.А. Гриценко. УФН, 179, 921 (2009)
  2. В.А. Гриценко. УФН, 178, 727 (2008)
  3. T. Gebel, L. Rebohle, W. Skorupa, A.N. Nazarov, I.N. Osiyuk, V.S. Lysenko. Appl. Phys. Lett., 81, 2575 (2002)
  4. K.S. Min, K.V. Shcheglov, C.M. Yang, H.A. Atwater, M.L. Brongersma, A. Polman. Appl. Phys. Lett., 68, 2511 (1996)
  5. I.E. Tyschenko, V.A. Volodin, A.G. Cherkov. Solid State Commun., 247, 53 (2016)
  6. S. Mirzaei, F. Kremer, D.J. Sprouster, L.L. Araujo, R. Feng, C.J. Glover, M.C. Ridgway. J. Appl. Phys., 118, 154309 (2015)
  7. J.P. Biersack, L. Haggmark. Nucl. Instrum. Meth., 174, 257 (1980); www.srim.org
  8. P.A. Temple, C.E. Hathaway. Phys. Rev. B, 7, 3685 (1973)
  9. И.Е. Тысченко, К.С. Журавлев, Е.Н. Вандышев, А. Мисюк, Р.А. Янков, Л. Реболе, В. Скорупа. ФТП, 35, 129 (2001)
  10. И.Е. Тысченко, В.А. Володин, Л. Реболе, М. Фёльсков, В. Скорупа. ФТП, 33, 559 (1999)
  11. L. Rebohle, J. von Borany, H. Frob, W. Skorupa. Appl. Phys. B, 71, 131 (2000)
  12. И.Е. Тысченко. ФТП, 49, 1212 (2015)
  13. Ал.Л. Эфрос, А.Л. Эфрос. ФТП, 16, 1209 (1982)
  14. V.A. Volodin, D.V. Marin, V.A. Sachkov, E.B. Gorokhov, H. Rinnert, M. Vergnat. ЖЭТФ, 145, 77 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.