"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Микроструктура и комбинационное рассеяние света тонких пленок Cu2ZnSnSe4, осажденных на гибкие металлические подложки
Переводная версия: 10.1134/S1063782618020197
Национальная Академия наук Беларуси, «Физическое материаловедение, новые материалы и технологии» , Маттех 1.06
Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований (БРФФИ), Ф16 Т/А-006
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 16-08-01234
Станчик А.В.1, Гременок В.Ф. 1, Башкиров С.А. 1, Тиванов М.С. 2, Юшкенас Р.Л. 3, Новиков Г.Ф. 4, Герайтис Р.3, Саад A.M.5
1Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
2Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
3НИИ Центр физических и технологических наук, Вильнюс, Литва
4Институт проблем химической физики Российской академии наук, Черноголовка, Россия
5Прикладной университет Аль-Балка, Амман, Иордания
Email: alena.stanchik@bk.ru, gremenok@physics.by, sp-box@yandex.ru, tivanov@bsu.by, remigijus.juskenas@ftmc.lt, gfnovikov@gmail.com, raimondas.giraitis@frmc.lt, daas005@yahoo.co.uk
Поступила в редакцию: 22 марта 2017 г.
Выставление онлайн: 20 января 2018 г.

Тонкие пленки Cu2ZnSnSe4 получены путем селенизации послойно электрохимически осажденных и предварительно отожженных прекурсоров Cu-Zn-Sn. В качестве гибких металлических подложек использованы фольги Мо и Та. Морфология, элементный и фазовый составы, кристаллическая структура пленок Cu2ZnSnSe4 исследованы методами сканирующей электронной микроскопии, рентгеноспектрального микроанализа, рентгенофазового анализа и спектроскопии комбинационного рассеяния света. DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45447.8585
  1. M.A. Green, K. Emery, Y. Hishikawa, W. Warta, E.D. Dunlop. Prog. Photovolt.: Res. Appl., 24, 905 (2016)
  2. С.А. Башкиров, Р. Кондротас, В.Ф. Гременок, Р.Л. Юшкенас, И.И. Тюхов. Альтернативная энергетика и экология, 15-18, 31 (2016)
  3. V.V. Rakitin, G.F. Novikov. Russ. Chem. Rev., 86 (2), 99 (2017)
  4. M.P. Paranthaman, W. Wong-Ng, R.N. Bhattacharya. Semiconductor Materials for Solar Photovoltaic Cells (Switzerland, Springer International Publishing, 2016) v. 218. p. 25
  5. K. Ito, T. Nakazawa. Jpn. J. Appl. Phys., 27, 2094 (1988)
  6. W. Shockley, H.J. Queisser. J. App. Phys., 32, 510 (1961)
  7. M.A. Green. Prog. Photovolt.: Res. Appl., 17, 347 (2009)
  8. P.D. Moskowitz, V.M. Fthenakis. Solar Cells, 29, 63 (1990)
  9. K. Otte, L. Makhova, A. Braun, I. Konovalov. Thin Sol. Films, 511-512, 613 (2006)
  10. F. Kessler, D. Herrmann, M. Powalla. Thin Sol. Films, 480-481, 491 (2005)
  11. M. Pagliaro, G. Palmisano, R. Ciriminna. Flexible Solar Cells (Italy, Wiley-VCH Verlag GmbH and Co.KgaA, 2008)
  12. A. Jasenek, U. Rau. Appl. Phys. Lett., 90, 650 (2001)
  13. А.В. Станчик, С.М. Барайшук, С.А. Башкиров, В.Ф. Гременок, М.С. Тиванов, М.Б. Дергачева, К.А. Уразов. Изв. НАН Беларуси. Сер. физ.-мат. наук, 4, 67 (2016)
  14. A.V. Baranov, K.V. Bogdanov, E.V. Ushakova, S.A. Cherevkov, A.V. Fedorov, S. Tscharntke. Opt. Spectrosc., 109 (2), 268 (2010)
  15. I.D. Olekseyuk, I.V. Dudchak, L.V. Piskach. J. Alloys Comp., 368, 135 (2004)
  16. J.J. Scragg, P.J. Dale, L.M. Peter. Thin Sol. Films, 517, 2481 (2009)
  17. H. Xie, M. Dimitrievska, X. Fontane, Y. Sanchez, S. Lopez, V. Izquierdo, V. Bermudez, A. Perez, E. Saucedo. Solar Energy Mater. \& Solar Cells, 140, 289 (2015)
  18. R. Kondrotas, R. Juskenas, A. Naujokaitis, A. Selskis, R. Giraitis, Z. Mockus, S. Kanapeckaite, G. Niaura, H. Xie, Y. Sanchez, E. Saucedo. Solar Energy Mater. \& Solar Cells, 132, 21 (2015)
  19. J.J. Scragg. Diss. PhD (United Kingdom, University of Bath, 2010)
  20. H. Matsushita, T. Maeda, A. Katsui, T. Takizawa. J. Cryst. Growth, 208, 416 (2000)
  21. G. Zoppi, I. Forbes, R.W. Miles, P.J. Dale, J.J. Scragg, L.M. Peter. Prog Photovolt.: Res. Appl., 17, 315 (2009)
  22. J. Mao, S. Zhang, X. Peng, J. Zhang, H. Zhang, L. Gu, Y.Xiang. Vaccum, (2015), doi: 10.1016/j.vacuum.2015.01.015
  23. R. Juskenas, S. Kanapeckaite, V. Karpaviciene, Z. Mockus, V. Pakstas, A. Selskiene, R. Giraitis, G. Niaura. Solar Energy Mater. \& Solar Cells, 101, 277 (2012)
  24. P.M.P. Salome, P.A. Fernandes, J.P. Leita, M.G. Sousa, J.P. Teixeira, A.F. Cunha. J. Mater. Sci., 49, 7425 (2014)
  25. I.D. Olekseyuk, L.D. Gulay, I.V. Dydchak, L.V. Piskach, O.V. Parasyuk, O.V. Marchuk. J. Alloys Comp., 340, 141 (2002)
  26. S. Chen, X.G. Gong, A. Walsh, S.-H. Wei. Appl. Phys. Lett., 94, 041903 (2009)
  27. S. Schorr. Thin Sol. Films, 515, 5985 (2007)
  28. A. Khare, B. Himmetoglu, M. Johnson, D.J. Norris, M. Cococcioni, E.S. Aydil. J. Appl. Phys., 111, 083707 (2012)
  29. R. Juskenas, G. Niaura, Z. Mockus, S. Kanapeckaite, R. Giraitis, R. Kondrotas, A. Naujokaitis, G. Stalnionis, V. Pakstas, V. Karpaviciene. J. Alloys Comp., 655, 281 (2016)
  30. G. Niaura, R. Juskenas, V.F. Gremenok, A.V. Stanchik, S.A. Bashkirov, M.S. Tivanov, O.V. Korolik, A.M. Saad, W.Y. Kim, S.H. Chai. VII Междунар. науч. конф. "Актуальные проблемы физики твердого тела" (Минск, Беларусь, 2016) т. 1, с. 264
  31. R. Djemour, A. Redinger, M. Mousel, L. Gutay, X. Fontane, V. Izquierdo-Roca, A. Pеrez-Rodri guez, S. Siebentritt. Opt. Express, 21 ( S4), A695 (2013)
  32. A. Redinger, K. Hones, X. Fontane, V. Izquierdo-Roca, E. Saucedo, N. Valle, A. Pеrez-Rodri guez, S. Siebentritt. Appl. Phys. Lett., 98, 101907 (2011)
  33. V. Izquierdo-Roca, E. Saucedo, C. M. Ruiz, X. Fontane, L. Calvo-Barrio, J.А. Garcia, P.-P. Grand, J.S. Jaime-Ferrer, A. Perez-Rodri guez, J.R. Morante, V. Bermudez. Phys. Status Solidi A, 206, 1001 (2009)
  34. Z. Yan, C. Jiang, T.R. Pope, C.F. Tsang, J.L. Stickney, P. Goli, J. Renteria, T.T. Salguero, A.A. Balandin. J. Appl. Phys., 114, 204301 (2013)
  35. J. Tao, J. Liu, J. He, K. Zhang, J. Jiang, L. Sun, P. Yan, J. Chu. Royal Soc. Chemistry Adv., 4, 23977 (2014)
  36. P.K. Sarswat, M.L. Free, A. Tiwari. Phys. Status Solidi B, 248, 2170 (2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.