"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О пространственной локализации свободных электронов в n-канальных МОП-транзисторах на основе 4H-SiC
Переводная версия: 10.1134/S1063782618010104
Иванов П.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Pavel.Ivanov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 19 октября 2016 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2017 г.

Теоретически рассматривается вопрос о пространственной локализации свободных электронов в 4H-SiC МОП-транзисторах с обогащенным и инверсным n-каналом. Анализ показал, что в оптимально сконструированных транзисторах с обогащенным каналом среднее расстояние, на котором свободные электроны локализованы от поверхности 4H-SiC, может быть на порядок больше по сравнению с транзисторами с инверсным каналом. Это должно давать транзисторам с обогащенным каналом преимущество по эффективной подвижности электронов в проводящем канале. DOI: 10.21883/FTP.2018.01.45327.8436
  1. M. Bhatnagar, B.J. Baliga. IEEE Electron. Dev., 40, 645 (1993)
  2. J.W. Palmour, J.A. Edmond, H.S. Kong, C.H. Carter, jr. Proc. 28th Intersociety Energy Conversion Energy Conf. (Atlanta, Georgia, USA (1993)
  3. J.N. Shenoy, J.A. Cooper, jr., M.R. Melloch. IEEE Electron. Dev. Lett., 18, 93 (1997)
  4. D. Okamoto, H. Yano, T. Hatayama, T. Fuyuki. Mater. Sci. Forum, 717--720, 733 (2012)
  5. J. Tan, A. Cooper. M.R. Melloch. IEEE Electron. Dev. Lett., 19, 487 (1998)
  6. П.А. Иванов, Т.П. Самсонова, В.Н. Пантелеев, Д.Ю. Поляков. ФТП, 35, 482 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.