"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Выращивание и свойства изопараметрических гетероструктур InAlGaPAs/GaAs
Алфимова Д.Л.1, Лунин Л.С.1,2, Лунина M.Л.1, Арустамян Д.А.2, Казакова A.E.2, Чеботарев C.H.1,2
1Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
2Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия
Email: lunin_ls@mail.ru
Поступила в редакцию: 28 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2017 г.

Обсуждаются результаты выращивания изопараметрических гетероструктур InAlGaPAs/GaAs. Исследованы состав, кристаллическое качество и люминесцентные свойства гетероструктур. DOI: 10.21883/FTP.2017.10.45025.8511
  1. В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин. Пятикомпонентные твердые растворы соединений ( новые материалы оптоэлектроники) (Ростов-н/Д., Изд-во СКНЦ ВШ, 1992)
  2. В.В. Кузнецов, Л.С. Лунин, В.И. Ратушный. Гетероструктуры на основе четверных и пятерных твердых растворов соединений A-=SUP=-III-=/SUP=-B-=SUP=-V-=/SUP=-. (Ростов-н/Д., Изд-во СКНЦ ВШ, 2003)
  3. Л.М. Долгинов, П.Г. Елисеев, И. Исмаилов. Итоги науки и техники. Радиотехника, 21, 3 (1980)
  4. C. Ma, M. Dech, L. Tarof, I. Yn. IEEE Trans. Electron Dev., 42 (5), 810 (1995)
  5. В.П. Хвостиков, Л.С. Лунин, В.В. Кузнецов. Письма ЖТФ, 29 (20), 33 (2003)
  6. Д.Л. Алфимова, Л.С. Лунин, М.Л. Лунина. Поверхность. Рентгеновские синхротронные и нейтронные исследования, 6, 103 (2014)
  7. С.Н. Чеботарев, М.Л. Лунина, Д.Л. Алфимова. Наноструктуры A-=SUP=-IV-=/SUP=-B-=SUP=-IV-=/SUP=- и A-=SUP=-III-=/SUP=-B-=SUP=-V-=/SUP=- для устройств оптоэлектроники (Ростов-н/Д., Изд-во ЮНЦ РАН, 2014)
  8. С.Н. Чеботарев, В.В. Калинчук, Л.С. Лунин. Полупроводниковые наногетероструктуры с промежуточной подзоной (М., Изд-во Физматлит, 2016)
  9. Ж.И. Алфёров, В.М. Андреев, В.Д. Румянцев. ФТП, 38 (8), 937 (2004)
  10. Zh.I. Alferov, V.M. Andreev. V.D. Rumyantsev. In: Concentrator Photovoltaic, ed. by A. Luque and V. Andreev [Springer Ser. in Optical Sci., 130, 25 (2007)]
  11. В.М. Андреев, Л.М. Долгинов, Д.Н. Третьяков. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов (М., Изд-во Сов. радио, 1975)
  12. В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, В.П. Попов. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов (М., Изд-во Металлургия, 1987)
  13. Л.С. Лунин, А.В. Благин, Д.Л. Алфимова. Физика градиентной эпитаксии многокомпонентных полупроводниковых гетероструктур (Ростов-н/Д., Изд-во СКНЦ ВШ, 2008)
  14. Л.С. Лунин, И.А. Сысоев. Техника градиентной эпитаксии полупроводниковых гетероструктур электронной техники (Ростов-н/Д., Изд-во СКНЦ ВШ, 2008)
  15. В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, Т.А. Аскарян. Изв. вузов. Физика, 7, 41 (1989)
  16. В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, Т.А. Аскарян. Изв. вузов. Физика, 1, 59 (1989)
  17. В.В. Кузнецов, Е.А. Когновицкая, М.Л. Лунина, Э.Р. Рубцов. Журн. физ. химии, 85 (12), 1 (2011)
  18. S. Mukai, H. Jajima, S. Janagisawa, N. Kutsuwada. Appl. Phys. Lett., 44 (9), 904 (1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.