"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Диффузионно-контролируемый рост нанокристаллов Ge в пленках SiO2 в условиях ионного синтеза под высоким давлением
Тысченко И.Е.1, Черков А.Г.2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: tys@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 20 февраля 2017 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2017 г.

Изучен рост нанокристаллов германия в пленках SiO2 в зависимости от дозы имплантированных ионов Ge+ и температуры отжига под давлением 12 кбар. Установлено, что зависимость размеров нанокристаллов от концентрации атомов германия и от времени отжига описывается соответствующими корневыми функциями. Квадрат радиуса нанокристалла является экспоненциальной функцией обратной температуры. Полученные зависимости соответствуют модели диффузионно-контролируемого механизма роста нанокристаллов. По температурной зависимости размеров нанокристаллов определен коэффициент диффузии германия в SiO2 под давлением 12 кбар: D=1.1·10-10exp(-1.43/kT). Увеличение коэффициента диффузии Ge под давлением объяснено изменением активационного объема образования и миграции точечных дефектов. Получены данные в пользу межузельного механизма диффузии атомов германия к зародышам нанокристаллов в SiO2. DOI: 10.21883/FTP.2017.10.45023.8564
  1. S.-H. Choi, R.G. Elliman. Appl. Phys. Lett., 75, 968 (1999)
  2. B. Mrstik, H.L. Hughes, P.J. McMarr, R.K. Lawrence, D.I. Ma, I.P. Isaacson, R.A. Walker. IEEE Trans. Nucl. Sci., 47, 2189 (2000)
  3. T. Gebel, L. Rebohle, W. Skorupa, A.N. Nazarov, I.N. Osiyuk, V.S. Lysenko. Appl. Phys. Lett., 81, 2575 (2002)
  4. L.A. Nesbit. Appl. Phys. Lett., 46, 38 (1985)
  5. F. Iacona, C. Bongiorno, C. Spinella. J. Appl. Phys., 95, 3723 (2004)
  6. C. Bonafos, B. Carrido, M. Lopez, A. Perez-Rodriguez, J.R. Morante, Y. Kihn, G. Ben Assayag, A. Claverie. Mater. Sci. Eng., 69- 70, 380 (2000)
  7. С. Bonafos, B. Carrido, M. Lopez, A. Perez-Rodriguez, J.R. Morante, Y. Kihn, G. Ben Assayag, A. Claverie. Appl. Phys. Lett., 76, 3962 (2000)
  8. J. von Borany, R. Grotzschel, K.H. Heinig, A. Markwitz, W. Matz, B. Schmidt, W. Skorupa. Appl. Phys. Lett., 71, 3215 (1997)
  9. I.E. Tyschenko, A.B. Talochkin, A.G. Cherkov, K.S. Zhuravlev, A. Misiuk, M. Voelskow, W. Skorupa. Semiconductors, 37, 479 (2004)
  10. I.E. Tyschenko, V.A. Volodin, A.G. Cherkov. Solid State Commun., 247, 53 (2016)
  11. M. Ogino, Y. Oana, M. Watanabe. Phys. Status Solidi A, 72, 535 (1982)
  12. G.J. Dienes, A.C. Damask. J. Appl. Phys., 29, 1713 (1958)
  13. M. Werner, H. Mehrer, H.D. Hochheimer. Phys. Rev. B, 32, 3930 (1985)
  14. M.J. Aziz. Appl. Phys. Lett., 70, 2810 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.