Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности ионно-лучевого синтеза нанокристаллов Ge в тонких пленках SiO2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Institute of ion-beam physics and materials research, Helmholz
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Institute of ion-beam physics and materials research, Helmholz
Email: tys@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 17 января 2017 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2017 г.
Изучены закономерности формирования нанокристаллов германия в тонких пленках SiO2, имплантированных ионами Ge+ при высокотемпературном отжиге (1130oC), в зависимости от величины гидростатического давления. Установлено, что отжиг при атмосферном давлении сопровождается диффузией атомов германия из области имплантации в подложку Si и не приводит к формированию нанокристаллов Ge. Увеличение давления во время отжига приводит к замедлению диффузии германия в кремний и сопровождается формированием двойниковых ламелей на границе раздела Si/SiO2 (при давлениях ~103 бар) либо зарождением и ростом нанокристаллов Ge (при давлениях ~104 бар) в пленке SiO2. Полученные результаты обсуждаются с точки зрения изменения активационного объема образования и миграции точечных дефектов в условиях сжатия. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44897.8516
- K.S. Min, K.V. Shcheglov, C.M. Yang, H.A. Atwater, M.L. Brongersma, A. Polman. Appl. Phys. Lett., 68, 2511 (1996)
- L. Rebohle, J. von Borany, R.A. Yankov, W. Skorupa, I.E. Tyschenko, H. Frob, K. Leo. Appl. Phys. Lett., 71, 2809 (1997)
- T. Gebel, L. Rebohle, W. Skorupa, A.N. Nazarov, I.N. Osiyuk, V.S. Lysenko. Appl. Phys. Lett., 81, 2575 (2002)
- J. von Borany, R. Grotzschel, K.H. Heinig, A. Markwitz, W. Matz, B. Schmidt, W. Skorupa. Appl. Phys. Lett., 71, 3215 (1997)
- I.E. Tyschenko, A.B. Talochkin, A.G. Cherkov, K.S. Zhuravlev, A. Misiuk, M. Voelskow, W. Skorupa. Semiconductors, 37, 479 (2004)
- P.A. Temple, C.E. Hathaway. Phys. Rev. B, 7, 3685 (1973)
- M. Ogino, Y. Oana, M. Watanabe. Phys. Status Solidi A, 72, 535 (1982)
- G.J. Dienes, A.C. Damask. J. Appl. Phys., 29, 1713 (1958)
- В.А. Гриценко. УФН, 179, 921 (2009)
- V.A. Volodin, M.P. Gambaryan, A.G. Cherkov, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat. Mater. Res. Express, 3, 085019 (2016)
- G. Taraschi, S. Saini, W.W. Fan, L.C. Kimerling, E.A. Fitzgerald. J. Appl. Phys., 93, 9988 (2003)
- I.E. Tyschenko, M. Voelskow, A.G. Cherkov, V.P. Popov. Semiconductors, 43, 52 (2009)
- M.J. Aziz. Appl. Phys. Lett., 70, 2810 (1997).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
