"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности процесса спекания макропористого кремния в атмосфере аргона
Астрова Е.В.1, Преображенский Н.Е.1, Павлов С.И.1, Воронков В.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: east@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 8 февраля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2017 г.

Исследованы температурная и временная зависимости процесса спекания макропористого кремния в Ar и Ar+3%H2. Определен вклад различных механизмов, определяющих этот процесс. Особенности спекания макропористого кремния изучались с помощью изохронных и изотермических отжигов на образцах с регулярными и случайными макропорами в диапазоне 1000-1225oС. Установлено, что на спекание макропористого кремния при атмосферном давлении в потоке инертного газа, содержащего 2·10-4%O2, существенное влияние оказывает термическое травление. Термическое травление конкурирует с процессами переноса вещества, характерными для спекания, и препятствует формированию на поверхности бездефектной корки. Причиной травления является образование газообразной моноокиси кремния, которая уносится вместе с потоком газа. Эффект травления преобладает в области низких температур и не зависит от добавки водорода. Полученные значения энергии активации коэффициента диффузии Ea=2.57 эВ и показатель степени n=3.31-3.74 в зависимости радиуса пор от времени r~ t1/n свидетельствуют о смешанном механизме переноса вещества с помощью поверхностной и объемной диффузии атомов кремния. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44885.8544
  1. V. Depauw, I. Gordon, G. Beaucarne, J. Poortmans, R. Mertens, J.-P. Celis. J. Appl. Phys., 106, 033516 (2009)
  2. V. Depauw, O. Richard, H. Bender, I. Gordon, G. Beaucarne, J. Poortmans, R. Mertens, J.-P. Celis. Thin Sol. Films, 516, 6934 (2008)
  3. Н.Е. Преображенский, Е.В. Астрова, С.И. Павлов, В.Б. Воронков, А.М. Румянцев, В.В. Жданов. ФТП, 51, 79 (2017)
  4. Е.В. Астрова, Н.Е. Преображенский, С.И. Павлов, В.Б. Воронков. ФТП, 51, 8543 (2017)
  5. https://imagej.nih.gov/ij/docs/intro.html Image J. Image Processing and Analysis in Java: (02.05.2017)
  6. F.W. Smith, G. Ghidini. J. Electrochem. Soc.: Sol. St. Sci. Technol., 129, 1300 (1982)
  7. Izabela Kuzma-Filipek. Sintering of Porous Silicon. In: Handbook of Porous Silicon, ed. L. Canham (Springer International Publishing, Switzerland, 2014) р. 599
  8. К.Л. Гаврилюк, Ю.С. Кагановский, В.Г. Лифшиц. Кристаллография, 26, 561 (1981)
  9. M.E. Keeffe, C.C. Umbach, J.M. Blakely. J. Phys. Chem. Solids, 55, 965 (1994)
  10. Б.И. Болтакс. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках (Л., Наука, 1972)
  11. Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия, под ред. Р. Бургера, Р. Донована. (М., Мир, 1969) c. 206
  12. M. Liehr, J.E. Lewis, G.W. Rubloff. J. Vac. Sci. Technol. A, 5, 1559 (1987)
  13. G.W. Rubloff. J. Vac. Sci. Technol. A, 8, 1857 (1990)
  14. Я.Е. Гегузин. Физика спекания. 2-е изд. (М., Наука, 1984)
  15. T. Sato, K. Mitsutake, I. Mizushima, S. Taniguchi, Y. Tsunashima. Jpn. J. Appl. Phys., 39, pt. 1, 5033 (2000)
  16. G. Muller, M. Nerding, N. Ott, H.P. Strunk, R. Brendel. Phys. Status Solidi A, 197, 93 (2003)
  17. K. Sudoh, H. Iwasaki, R. Hiruta, H. Kuribayashi, R. Shimizu. J. Appl. Phys., 105, 083536 (2009)
  18. H. Kuribayashi, R. Hiruta, R. Shimizu, K. Sudoh, H. Iwasaki. Jap. J. Appl. Phys., 43, L 468 (2004)
  19. V. Depauw, I. Gordon, G. Beaucarne, J. Poortmans, R. Mertens, J.-P. Celis. Mater. Sci. Eng. B, 159- 160, 286 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.