Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности процесса спекания макропористого кремния в атмосфере аргона
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: east@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 8 февраля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2017 г.
Исследованы температурная и временная зависимости процесса спекания макропористого кремния в Ar и Ar+3%H2. Определен вклад различных механизмов, определяющих этот процесс. Особенности спекания макропористого кремния изучались с помощью изохронных и изотермических отжигов на образцах с регулярными и случайными макропорами в диапазоне 1000-1225oС. Установлено, что на спекание макропористого кремния при атмосферном давлении в потоке инертного газа, содержащего 2·10-4%O2, существенное влияние оказывает термическое травление. Термическое травление конкурирует с процессами переноса вещества, характерными для спекания, и препятствует формированию на поверхности бездефектной корки. Причиной травления является образование газообразной моноокиси кремния, которая уносится вместе с потоком газа. Эффект травления преобладает в области низких температур и не зависит от добавки водорода. Полученные значения энергии активации коэффициента диффузии Ea=2.57 эВ и показатель степени n=3.31-3.74 в зависимости радиуса пор от времени r~ t1/n свидетельствуют о смешанном механизме переноса вещества с помощью поверхностной и объемной диффузии атомов кремния. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44885.8544
- V. Depauw, I. Gordon, G. Beaucarne, J. Poortmans, R. Mertens, J.-P. Celis. J. Appl. Phys., 106, 033516 (2009)
- V. Depauw, O. Richard, H. Bender, I. Gordon, G. Beaucarne, J. Poortmans, R. Mertens, J.-P. Celis. Thin Sol. Films, 516, 6934 (2008)
- Н.Е. Преображенский, Е.В. Астрова, С.И. Павлов, В.Б. Воронков, А.М. Румянцев, В.В. Жданов. ФТП, 51, 79 (2017)
- Е.В. Астрова, Н.Е. Преображенский, С.И. Павлов, В.Б. Воронков. ФТП, 51, 8543 (2017)
- https://imagej.nih.gov/ij/docs/intro.html Image J. Image Processing and Analysis in Java: (02.05.2017)
- F.W. Smith, G. Ghidini. J. Electrochem. Soc.: Sol. St. Sci. Technol., 129, 1300 (1982)
- Izabela Kuzma-Filipek. Sintering of Porous Silicon. In: Handbook of Porous Silicon, ed. L. Canham (Springer International Publishing, Switzerland, 2014) р. 599
- К.Л. Гаврилюк, Ю.С. Кагановский, В.Г. Лифшиц. Кристаллография, 26, 561 (1981)
- M.E. Keeffe, C.C. Umbach, J.M. Blakely. J. Phys. Chem. Solids, 55, 965 (1994)
- Б.И. Болтакс. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках (Л., Наука, 1972)
- Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия, под ред. Р. Бургера, Р. Донована. (М., Мир, 1969) c. 206
- M. Liehr, J.E. Lewis, G.W. Rubloff. J. Vac. Sci. Technol. A, 5, 1559 (1987)
- G.W. Rubloff. J. Vac. Sci. Technol. A, 8, 1857 (1990)
- Я.Е. Гегузин. Физика спекания. 2-е изд. (М., Наука, 1984)
- T. Sato, K. Mitsutake, I. Mizushima, S. Taniguchi, Y. Tsunashima. Jpn. J. Appl. Phys., 39, pt. 1, 5033 (2000)
- G. Muller, M. Nerding, N. Ott, H.P. Strunk, R. Brendel. Phys. Status Solidi A, 197, 93 (2003)
- K. Sudoh, H. Iwasaki, R. Hiruta, H. Kuribayashi, R. Shimizu. J. Appl. Phys., 105, 083536 (2009)
- H. Kuribayashi, R. Hiruta, R. Shimizu, K. Sudoh, H. Iwasaki. Jap. J. Appl. Phys., 43, L 468 (2004)
- V. Depauw, I. Gordon, G. Beaucarne, J. Poortmans, R. Mertens, J.-P. Celis. Mater. Sci. Eng. B, 159- 160, 286 (2009)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
