"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Рост внутренних оптических потерь с увеличением тока накачки и выходная мощность лазеров на квантовых ямах
Соколова З.Н.1, Веселов Д.А.1, Пихтин Н.А.1, Тарасов И.С.1, Асрян Л.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, VA, USA
Email: zina.sokolova@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 19 января 2017 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2017 г.

Представлены результаты расчетов рабочих характеристик полупроводниковых лазеров на квантовых ямах с учетом роста внутренних оптических потерь в волноводной области с увеличением тока накачки. Использовано условие глобальной электронейтральности в структуре, которое заключается в равенстве суммарного заряда электронов в активной и волноводной областях суммарному заряду дырок в этих двух областях. Получено хорошее согласие измеренной и рассчитанной ватт-амперных характеристик. DOI: 10.21883/FTP.2017.07.44661.8522
  1. L.V. Asryan, S. Luryi. Appl. Phys. Lett., 83, 5368 (2003)
  2. L.V. Asryan, S. Luryi. IEEE J. Quant. Electron., 40, 833 (2004)
  3. L.V. Asryan. Appl. Phys. Lett., 88, 073107 (2006)
  4. E.A. Avrutin, B.S. Ryvkin. Semicond. Sci. Technol., 32, 015004 (2017)
  5. B.S. Ryvkin, E.A. Avrutin. J. Appl. Phys., 97, 123103 (2005)
  6. B.S. Ryvkin, E.A. Avrutin. Electron. Lett., 42, 1283 (2006)
  7. Д.А. Веселов, В.А. Капитонов, Н.А. Пихтин, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, В.В. Шамахов, И.С. Шашкин, И.С. Тарасов. Квант. электрон., 44 (11), 993 (2014)
  8. Д.А. Веселов, Н.А. Пихтин, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, В.В. Шамахов, И.С. Шашкин, В.А. Капитонов, И.С. Тарасов. Квант. электрон., 45 (7), 597 (2015)
  9. Д.А. Веселов, Н.А. Пихтин, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, В.В. Шамахов, И.С. Шашкин, Н.В. Воронкова, И.С. Тарасов. Квант. электрон., 45 (7), 604 (2015)
  10. Д.А. Веселов, И.С. Шашкин, Ю.К. Бобрецова, К.В. Бахвалов, Н.А. Пихтин, А.В. Лютецкий, В.А. Капитонов, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. ФТП, 50 (10), 1414 (2016)
  11. L.V. Asryan, S. Luryi, R.A. Suris. Appl. Phys. Lett., 81, 2154 (2002)
  12. H.C. Casey, M.B. Panish. Heterostructure Lasers (N.Y., Academic, 1978) [Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетеропереходах (М., Мир, 1981)]
  13. L.V. Asryan, R.A. Suris. IEEE J. Select. Topics Quantum Electron., 3 (2), 148 (1997)
  14. Z.N. Sokolova, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov, L.V. Asryan. J. Phys. Conf. Ser., 740, 012002 (2016)
  15. З.Н. Соколова, Н.А. Пихтин, И.С. Тарасов, Л.В. Асрян. Квант. электрон., 46 (9), 777 (2016)
  16. L.V. Asryan, Z.N. Sokolova. J. Appl. Phys., 115, 023107 (2014)
  17. K.J. Vahala, C.E. Zah. Appl. Phys. Lett., 52, 1945 (1988)
  18. L.V. Asryan, R.A. Suris. Semicond. Sci. Technol., 11, 554 (1996)
  19. Л.В. Асрян. Квант. электрон., 35 (12), 1117 (2005)
  20. D.-S. Han, L.V. Asryan. Nanotechnology, 21, 015201 (2010)
  21. Z.N. Sokolova, K.V. Bakhvalov, A.V. Lyutetskiy, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov, L.V. Asryan. Electron. Lett., 51, 780 (2015)
  22. З.Н. Соколова, К.В. Бахвалов, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, И.С. Тарасов, Л.В. Асрян. ФТП, 50 (5), 679 (2016)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.