"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние примеси самария на структуру и морфологию поверхности халькогенидного стеклообразного полупроводника Se95Te5
Мехтиева С.И.1, Атаева С.У.1, Исаев А.И.1, Зейналов В.З.1
1Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: seva_atayeva@mail.ru
Поступила в редакцию: 3 марта 2016 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2017 г.

Методами рентгеновской дифракции и атомно-силовой микроскопии исследованы структура и морфология поверхности пленок Se95Te5, а также влияние на них легирования самарием. C использованием параметров первого резкого дифракционного максимума (FSDP), наблюдаемого в картинах распределения интенсивности дифракции рентгеновских лучей, определены численные значения параметров локальной структуры, в частности "квазипериод" флуктуаций плотности, длина корреляции, диаметры нанопустот. Кроме того, определены численные значения амплитудных параметров шероховатости поверхности. Установлено, что с увеличением процентного содержания примеси самария наблюдается рост разупорядочения в атомной структуре и рост неоднородностей на поверхности исследуемых пленок. DOI: 10.21883/FTP.2017.06.44561.8228
  1. I. Aggarwal, J. Sanghera. Optoelectron. Adv. Mater., 4 (3), 665 (2002)
  2. J. Viens, C. Meneghini, A. Villeneuve, T. Galstian, E. Knystautas, M. Duguay, K. Ricardson, T. Cardinal. J. Lightwave. Technol., 17, 1184 (1999)
  3. Y. Ruan, W. Li., R. Jarvis et al. Opt. Express, 12, 5140 (2004)
  4. A. Kovalskiy, M. Vlcek, H. Jain, A. Fiserova, C.M. Waits, M. Dubey. J. Non-Cryst. Sol., 352, 589 (2006)
  5. A. Ozols, D. Saharovs, M. Reinfelde. J. Non-Cryst. Sol., 352, 2652 (2006)
  6. X. Zhang, H. Ma, J. Lucas. J. Optoelectron. Adv. Mater., 5, 1327 (2003)
  7. С.И. Мехтиева, А.И. Исаев, С.У. Aтаева, В.З. Зейналов. ФТП, 48 (9), 1182 (2014)
  8. Р.И. Алекберов, А.И. Исаев, С.И. Мехтиева, Г.А. Исаева. ФТП, 48 (6), 818 (2014)
  9. Р.И. Алекберов, С.И. Мехтиева, Г.А. Исаева, А.И. Исаев. ФТП, 48 (6), 823 (2014)
  10. R.I. Alekberov, A.I. Isayev, S.I. Mekhtiyeva. Chalcogenide Lett., 10 (9), 335 (2013)
  11. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цэндина (СПб., Наука, 1996)
  12. F. Sava, A. Lorinczi, M. Popescu, G. Sokol, E. Axente, I.N. Mihailscu, M. Nistor. J. Optoelectron. Adv. Mater., 8 (4), 1367 (2006)
  13. L.E. Busse, S.R. Nagel. Phys. Rev. Lett., 41, 1848 (1981)
  14. L.E. Busse. Phys. Rev. Lett. B, 29, 3639 (1984)
  15. K. Tanaka. Philos. Mag. Lett., 57, 183 (1988)
  16. T.S. Kavetskyy, O.I. Shpotyuk, V.T. Boyko. J. Phys. Chem. Solids, 68, 712 (2007)
  17. T.S. Kavetskyy, O.I. Shpotyuk. J. Optoelectron. Adv. Mater., 7, 2267 (2007)
  18. O.I. Shpotyuk, A. Kozdras, T.S. Kavetskyy, J. Filipecki. J. Non-Cryst. Sol., 352, 700 (2006)
  19. S.R. Elliott. Phys. Rev. Lett., 67, 711 (1991)
  20. S.R. Elliott. J. Non-Cryst. Sol., 182, 40 (1995)
  21. Э.А. Сморгонская, К.Д. Цэндин. В кн.: Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цэндина (СПб., Наука, 1996) с. 9
  22. P.H. Gaskell. J. Non-Cryst. Sol., 351, 1003 (2005)
  23. O.P. Rachek. J. Non-Cryst. Sol., 352, 3781 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.