"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Термоэлектрические свойства InSb<Zn> в нанопористом стекле
Урюпин О.Н.1, Шабалдин А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: О.uryupin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2017 г.

Получены нанопроволочные структуры антимонида индия, легированного цинком. Эти структуры были сформированы в пористом стекле с характерными размерами пор ~7 нм. Исследованы температурные зависимости электрического кондактанса, термоэдс и вольт-амперные характеристики. Впервые обнаружено увеличение термоэдс антимонида индия в пористом стекле по сравнению с термоэдс массивного материала. DOI: 10.21883/FTP.2017.06.44545.04
  1. R. Venkatasubramanian, E. Siivola, T. Colpitts, B. O'Quinn. Nature, 413, 597 (2001)
  2. T.C. Harman, P.J. Taylor, M.P. Walsh, B.E. LaForge. Science, 297, 2229 (2002)
  3. T.C. Harman, M.P. Walsh, B.E. LaForge, G.M. Turner. J. Electron. Mater., 34, L19 (2005)
  4. Y. Kumzerov, S. Vakhrushev. Nanostructures within porous materials. In: Encyclopedia of Nanoscience and Nanotechnology, ed. by H.S. Nalwa (American Scientific Publishers, Los Angeles, 2004) v. 7, p. 811
  5. D. Enke, F. Janowski, W. Schwieger. Microporous and Mesoporous Mater., 60, 19 (2003)
  6. P. Hofmann. Prog. Surf. Sci., 81, 191 (2006)
  7. P. Levitz, G. Ehret, S.K. Sinha, J.M. Drake. J. Chem. Phys., 95, 6151 (1991)
  8. О.Н. Урюпин, Ю.В. Иванов, А.А. Шабалдин, Ю.А. Кумзеров, А.В. Фокин, Н.Ф. Картенко. В кн.: Термоэлектрики и их применения, под ред. М.И. Федорова, Л.Н. Лукьяновой (СПб., ФТИ, 2015) с. 53
  9. O.N. Uryupin, Yu.V. Ivanov, A.A. Shabaldin, E.V. Konstantinov. J. Thermoelectricity, N 6, 21 (2013)
  10. В.М. Егоров, О.Н. Урюпин, Ю.В. Иванов. ФТТ, 57 (9), 1798 (2015)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.