Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001)

DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44431.8449

Российский научный фонд, 14-12-00644

Алешкин В.Я.^1,2, Байдусь Н.В.³, Дубинов А.А.^1,2, Красильник З.Ф.^1,2, Некоркин С.М.^1,3, Новиков А.В.^1,2, Рыков А.В.³, Юрасов Д.В.^1,2, Яблонский А.Н.¹

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

²Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

³Нижегородский научно-исследовательский институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия

Email: aleshkin@ipm.sci-nnov.ru, sanya@ipm.sci-nnov.ru

Поступила в редакцию: 16 ноября 2016 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2017 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений получены лазерные структуры GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами InGaAs на неотклоненной и отклоненной на 4^o к оси [011] подложках Si(001) с релаксированным буфером Ge, излучающие в области прозрачности объемного кремния (длина волны больше 1100 нм при комнатной температуре). Пороговые плотности мощности наблюдения стимулированного излучения для структур, выращенных на неотклоненной и отклоненной подложках, составили 45 и 37 кВт/см² соответственно. DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44431.8449

D. Liang, A.W. Fang, J.E. Bowers. In: Fibre Optic Communication [Springer Series in Optical Sciences, Vol. 161], ed. by H. Venghaus, N. Grote (Springer-Verlag, Berlin/Heidelberg, 2012) p. 625
Y. Chriqui, G. Saint-Girons, S. Bouchoule, J.-M. Moison, G. Isella, H. von Kaenel, I. Sagnes. Electron. Lett., 39, 1658 (2003)
В.Я. Алешкин, Н.В. Дикарева, А.А. Дубинов, С.А. Денисов, З.Ф. Красильник, К.Е. Кудрявцев, С.А. Матвеев, С.М. Некоркин, В.Г. Шенгуров. Письма ЖЭТФ, 100, 900 (2014)
J. Wang, X. Ren, C. Deng, H. Hu, Y. He, Z. Cheng, H. Ma, Q. Wang, Y. Huang, X. Duan, X. Yan. J. Lightwave Technol., 33, 3163 (2015)
A.Y. Liu, C. Zhang, J. Norman, A. Snyder, D. Lubyshev, J.M. Fastenau, A.W.K. Liu, A.C. Gossard, J.E. Bowers. Appl. Phys. Lett., 104, 041104 (2014)
S. Chen, W. Li, J. Wu, Q. Jiang, M. Tang, S. Shutts, S.N. Elliott, A. Sobiesierski, A.J. Seeds, I. Ross, P.M. Smowton, H. Liu. Nature Photonics, 10, 307 (2016)
H. Kroemer, K.J. Polasko, S.C. Wright. Appl. Phys. Lett., 36, 763 (1980)
K. Volz, A. Beyer, W. Witte, J. Ohlmann, I. Nemeth, B. Kunert, W. Stolz. J. Cryst. Growth, 315, 37 (2011)
V.Ya. Aleshkin, N.V. Baidus, A.A. Dubinov, A.G. Fefelov, Z.F. Krasilnik, K.E. Kudryavtsev, S.M. Nekorkin, A.V. Novikov, D.A. Pavlov, I.V. Samartsev, E.V. Skorokhodov, M.V. Shaleev, A.A. Sushkov, A.N. Yablonskiy, P.A. Yunin, D.V. Yurasov. Appl. Phys. Lett., 109, 061111 (2016)
А.Н. Яблонский, С.В. Морозов, Д.М. Гапонова, В.Я. Алешкин, В.Г. Шенгуров, Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, Н.В. Байдусь, З.Ф. Красильник. ФТП, 50, 1455 (2016)
L. Colace, G. Masini, F. Galluzzi, G. Assanto, G. Capellini, L. Di Gaspare, E. Palange, F. Evangelisti. Appl. Phys. Lett., 72, 3175 (1998)
H.-C. Luan, D.R. Lim, K.K. Lee, K.M. Chen, J.G. Sandland, K. Wada, L.C. Kimerling. Appl. Phys. Lett., 75, 2909 (1999)
Д.В. Юрасов, А.И. Бобров, В.М. Данильцев, А.В. Новиков, Д.А. Павлов, Е.В. Скороходов, М.В. Шалеев, П.А. Юнин. ФТП, 49, 1463 (2015)
П.В. Волков, А.В. Горюнов, А.Ю. Лукьянов, А.Д. Тертышник, А.В. Новиков, Д.В. Юрасов, Н.А. Байдакова, Н.Н. Михайлов, В.Г. Ремесник, В.Д. Кузьмин. ФТП, 46, 1505 (2012)
L. Souriau, T. Atanasovac, V. Terzieva, A. Moussa, M. Caymax, R. Loo, M. Meuris, W. Vandervorst. J. Electrochem. Soc., 155, H677 (2008)
J.M. Hartmann, A. Abbadie, J.P. Barnes, J.M. Fedeli, T. Billon, L. Vivien. J. Cryst. Growth, 312, 532 (2010)
V.Ya. Aleshkin, A.A. Dubinov, K.E. Kudryavtsev, V.V. Rumyantsev, A.A. Tonkikh, N.D. Zakharov, B.N. Zvonkov. J. Appl. Phys., 115, 043512 (2014)
C.K. Chia, J.R. Dong, D.Z. Chi, A. Sridhara, A.S.W. Wong, M. Suryana, G.K. Dalapati, S.J. Chua, S.J. Lee. Appl. Phys. Lett., 92, 141905 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель